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文档序号:36405673发布日期:2023-12-16 12:07阅读:0来源:国知局
光子模块和制造方法与流程

1.本发明涉及一种光子模块和对应制造方法



背景技术:

2.常规光子模块可包括与晶体硅部件结合的非晶硅波导

非晶硅波导通常通过三阶段工艺制造:
(1)
非晶硅在空腔中的等离子体增强化学气相沉积
(pecvd)
,其中空腔通过对绝缘体上硅衬底
soi
执行蚀刻来形成;
(2)
用于获得均匀拓扑和与
soi
的高度相等的高度的化学机械抛光
cmp
;以及
(3)
用于产生非晶硅条形波导的光刻和蚀刻

3.然而,此类光子模块和对应制造方法具有多个缺点

首先,空腔中的
pecvd
产生两个不同生长前沿;垂直的,从空腔的底部开始,以及水平的,从空腔的侧壁开始

这些垂直和水平生长前沿沿着形成空隙的对角线表面相遇

此类空隙特别不可取,因为它们充当散射中心,这导致显著光学插入损耗

在非晶-晶体界面处也会产生空隙

4.此外,
cmp
是具有挑战性的过程,对过程的控制会影响总体光学性能

特别地,过多或过少非晶硅被去除的非理想
cmp
在非晶-晶体界面而不是平坦表面处产生阶梯拓扑

这会导致插入损耗和非期望高阶模式
hom
激发

非理想
cmp
也造成碟形凹陷,即非晶硅波导的厚度沿着传播方向连续地变化,其中非晶硅在空腔中心处最薄,并且在界面处最厚

碟形凹陷导致双折射,因为光学性能将依赖偏振,所以这是非期望的

5.因此需要一种改进的光子模块和对应制造方法



技术实现要素:

6.因此,在第一方面,本发明的实施方案提供了一种光子模块,其包括:第一波导;第二波导,所述第二波导设置在所述第一波导的与衬底相反的一侧上;以及耦合部段;其中所述第一波导和所述第二波导中的一者由晶体硅形成;所述第一波导和所述第二波导中的另一者由非晶硅形成;并且,耦合部段被配置为在所述第一波导与所述第二波导之间耦合光

7.与常规模块相比,这种硅光子模块具有增强的耦合特性和传输特性

需注意,所述光子模块提供可将光向上垂直耦合到第二波导中的自动调整方案
(escalatorscheme)。
此外,特定光学模式可跨宽波长范围耦合

8.所述光子模块可具有以下任选特征中的任一者或它们的任何组合
(
只要它们相容即可
)。
9.所述光子模块可在大波导平台和小波导平台中实现

例如,光子模块可在3μm波导平台或
0.3
μm波导平台中实现

10.所述衬底可限定水平平面,所述第一波导可定位在所述衬底上方,并且所述第二波导可定位在所述第一波导上方

以此方式,所述第一波导位于所述第二波导与所述衬底之间

11.所述耦合部段可包括所述第一波导和所述第二波导中的至少一者的渐缩部分

所述渐缩部分对应于宽度在平行于或基本平行于相应波导的方向上从第一值减小到第二值
的减小,其中所述宽度是横向宽度

以这种方式,通过在空间上压缩传播通过所述波导中的至少一个的光学模式,所述渐缩部分诱发所述波导之间的光学功率的高效传递

因此,所述渐缩部分促进高效倏逝波耦合

所述第二波导的厚度和宽度可被选择成使得沿着所述耦合部段存在相位匹配点

12.所述耦合部段可包括:所述第一波导的渐缩部分,所述渐缩部分沿着第一方向从第一宽度渐缩到第二宽度;以及所述第二波导的渐缩部分,所述渐缩部分沿着第二方向从第一宽度渐缩到第二宽度;其中所述第一方向和所述第二方向是反向平行或基本上反向平行

所谓基本上反向平行,可能意指描述两个方向的向量之间的角度可以是
180
°±
0.5
°

±1°

±2°

±5°

以此方式,所述第一波导的具有所述第二宽度的变窄部分与所述第二波导的非渐缩部分
(
即具有所述第一宽度的部分
)
对准,并且所述第二波导的具有所述第二宽度的变窄部分与所述第一波导的非渐缩部分
(
即具有所述第一宽度的部分
)
对准

因此,所述耦合部段被配置为诱发光学功率从所述第一波导到所述第二波导
(
反之亦然
)
的高效传递

所述光子模块是双向的

13.沿着所述第一方向的所述第一宽度可等于或不同于沿着所述第二方向的所述第一宽度

类似地,沿着所述第一方向的所述第二宽度可等于或不同于沿着所述第二方向的所述第二宽度

14.所述光子模块还可包括:第一包层,所述第一包层被设置成以便至少部分地围绕所述第一波导;以及第二包层,所述第二包层被设置成以便至少部分地围绕所述第二波导

以此方式,所述光子模块由于光学损耗的减少而具有改进的效率

优选地,所述第一包层和所述第二包层由二氧化硅形成,所述二氧化硅的折射率低于硅波导部件;因此,光学泄漏减少

15.所述耦合部段的长度可大于所述第一波导的最大横向宽度和所述第二波导的最大横向宽度

所述耦合部段的所述长度可大于3μm,例如,至少4μ
m。
所述耦合部段的所述长度可不超过
10
μ
m。
所述最大横向宽度可为至少2μ
m。
所述最大横向宽度可不超过4μ
m。
以此方式,所述耦合部段是绝热的

16.在其他实例中,所述耦合部段的所述长度可等于或小于所述第一波导的最大横向宽度和所述第二波导的最大横向宽度

17.所述光子模块还可包括:中间层,所述中间层设置在所述第一波导与所述第二波导之间

以此方式,所述第二波导设置在所述中间层上

所述中间层可由氧化硅形成

所述中间层可为最多
100nm

(
即,如从所述第一波导的顶部到所述第二波导的底部测量
)。
18.所述第一波导可具有约3μm宽的端口或小面,通过所述端口或小面接收或发射光

所述第二波导可具有约3μm宽的端口或小面,通过所述端口或小面接收或发射光

所述第一波导中的端口或小面可以是输入端口,因为它被配置为接收光并且将其发射到耦合区域

所述第二波导中的端口或小面可以是输出端口,因为它被配置为将从耦合区域接收的光从光子模块发射出

19.所述衬底可包括掩埋氧化物
box


所述衬底还可包括硅衬底层,所述硅衬底层位于所述掩埋氧化物层的与所述第一波导相反的一侧上

20.所述第一波导可由晶体硅形成并且所述第二波导可由非晶硅形成

替代地,所述第一波导可由非晶硅形成并且所述第二波导可由晶体硅形成

21.所述光子模块还可包括:另外的二氧化硅包覆层,所述另外的二氧化硅包覆层设置在所述第二波导的与所述第一波导相反的一侧上

以此方式,光学泄漏进一步减少

22.所述光子模块还可包括:第三波导和第二耦合部段,其中所述第二耦合部段被配置为在所述第二波导与所述第三波导之间耦合光

所述第二波导可设置在所述第三波导的与所述衬底相反的一侧上

23.所述第三波导可定位在与所述第一波导相同的水平平面上

替代地,所述第三波导可设置在所述第二波导的与所述第一波导相反的一侧上

所述第一波导和所述第三波导可由晶体硅形成,并且所述第二波导可由非晶硅形成

以此方式,所述光子模块可将来自晶体硅的光耦合到非晶硅中,并且将其耦合回到晶体硅中

替代地,所述第一波导和所述第三波导可由非晶硅形成,并且所述第二波导可由晶体硅形成

以此方式,所述光子模块可将来自非晶硅的光耦合到晶体硅中,并且将其耦合回到非晶硅中

24.所述第三波导可包括所述第一波导的任选特征中的任一者或它们的组合
(
只要它们相容即可
)。
25.所述第二耦合部段可包括所述第一耦合部段的任选特征中的任一者或它们的组合
(
只要它们相容即可
)。
26.在第二方面,本发明的实施方案提供一种部件,所述部件包括第一方面的光子模块,其中所述部件包括一个或多个交叉波导,所述交叉波导或每个交叉波导的一部分位于所述第二波导与所述衬底之间;并且所述交叉波导与所述光子模块的所述波导光学绝缘

以此方式,所述部件促进通过光子模块以及交叉波导的同时功率传输

因此,促进多向功率传输;例如,一个或多个交叉波导可相对于光子模块成角度

27.如第二方面中所用的光子模块可包括第一方面的光子模块的任选特征中的任一者或它们的任何组合
(
只要它们相容即可
)。
28.在第三方面,本发明的实施方案提供一种具有两个臂的马赫-曾德尔干涉仪
mzi
,其中所述臂中的至少一个包括至少一个第一方面的光子模块

如第三方面中所用的光子模块可包括第一方面的光子模块的任选特征中的任一者或它们的任何组合
(
只要它们相容即可
)。
29.在第四方面,本发明的实施方案提供一种阵列波导光栅
awg
,所述
awg
包括多个输出或输入波导,所述输出或输入波导中的至少一个包括第一方面的光子模块

第四方面的光子模块可包括第一方面的光子模块的任选特征中的任一者或它们的任何组合
(
只要它们相容即可
)。
30.因此,所述光子模块在所述
mzi
的两个臂之间或在所述
awg
的所述多个输出或输入波导之间引入路径长度不平衡

此外,所述
mzi

awg
可将来自晶体硅的光耦合到非晶硅并且将其耦合回到晶体硅中,或者将来自非晶硅的光耦合到晶体硅并且将其耦合回到非晶硅中

31.根据第五方面,本发明的实施方案提供一种在衬底上制作光子模块的方法,所述方法包括:对第一层执行第一蚀刻工艺以形成第一波导;在所述第一波导的与衬底相反的一侧上沉积第二层;以及对所述第二层执行第二蚀刻工艺以形成第二波导;其中:所述执行所述第一蚀刻工艺和
/
或所述第二蚀刻工艺的步骤还形成用于在所述第一波导与所述第二波导之间耦合光的耦合部段;所述第一层和所述第二层中的一者由晶体硅形成;并且所述
第一层和所述第二层中的另一者由非晶硅形成

32.所述方法有利地产生具有增强的耦合特性和传输特性的光子模块

33.所述方法可包括在蚀刻所述第一层之前执行的在所述衬底上沉积所述第一层的步骤

所述方法可在绝缘体上硅晶片上执行,其中所述第一层由硅器件或绝缘体上硅层提供

34.所述执行所述第一蚀刻工艺的步骤还可形成所述第一波导的渐缩部分,所述耦合部段包括所述第一波导的所述渐缩部分

35.所述执行所述第二蚀刻工艺的步骤还可形成所述第二波导的渐缩部分,所述耦合部段包括所述第二波导的所述渐缩部分

36.所述执行所述第一蚀刻工艺的步骤还可形成所述第一波导的渐缩部分,所述渐缩部分沿着第一方向从第一宽度渐缩到第二宽度,并且所述耦合部段包括所述第一波导的所述渐缩部分;并且所述执行所述第二蚀刻工艺的步骤还可形成所述第二波导的渐缩部分,所述渐缩部分沿着第二方向从第一宽度渐缩到第二宽度,并且所述耦合部段还包括所述第二波导的所述渐缩部分;使得所述第一方向和所述第二方向反向平行或基本上反向平行

所谓基本上反向平行,可能意指描述两个方向的向量之间的角度可以是
180
°±
0.5
°

±1°

±2°

±5°

37.以此方式,就不需要空腔蚀刻或
cmp。
所述第二波导可毯式沉积在所述第一波导与所述衬底相反的一侧上,而不是空腔之上

由于不存在
cmp
,因此也消除了与
cmp
相关联的问题

此外,由于消除了多个生长前沿,因此避免了对光学性能有害的空隙或接缝

38.所述第一蚀刻工艺和
/
或所述第二蚀刻工艺内的一次或多次蚀刻可各向异性地执行

39.所述第一蚀刻工艺可包括将第一掩模施加到所述第一层的初始步骤;并且所述第二蚀刻工艺可包括将第二掩模施加到所述第二层的初始步骤

40.所述方法还包括:将第一包层沉积成以便至少部分地围绕所述第一波导;以及将第二包层沉积成以便至少部分地围绕所述第二波导

以此方式,所述光子模块由于光学损耗的减少而具有改进的效率

所述第一包层和所述第二包层可由二氧化硅形成

所述二氧化硅具有比硅波导部件低的折射率

因此,光学泄漏减少

41.所述沉积所述第二层的步骤还可包括在所述第一波导的与所述衬底相反的一侧上沉积中间层的初始步骤

所述中间层可由氧化硅形成

以此方式,所述第二层毯式沉积在所述氧化硅中间层而不是空腔上

因此,避免了空隙形成

42.所述衬底可包括掩埋氧化物
box


所述衬底还可包括硅衬底层,所述硅衬底层位于所述掩埋氧化物层的与所述第一波导相反的一侧上

43.所述第一波导可由晶体硅形成并且所述第二波导可由非晶硅形成

44.替代地,所述第一波导可由非晶硅形成并且所述第二波导可由晶体硅形成

45.所述方法还可包括:在所述第二波导的与所述第一波导相反的一侧上沉积另外的二氧化硅包覆层

46.在第六方面,本发明的实施方案提供一种波导结构,其包括:
47.位于衬底上的第一波导;以及
48.位于所述衬底上的第二波导,
49.所述第一波导和所述第二波导各自基本上平行于所述衬底,
50.所述第一波导处于与所述第二波导不同的高度,并且
51.所述波导被配置为使在所述第一波导中传播的光耦合到所述第二波导中

52.包括至少所述第一波导

所述第二波导和所述衬底的第六方面的波导结构可具有如参考第一方面阐述的任选特征中的任一者或它们的任何组合
(
只要它们相容即可
)。
53.本发明的其他方面提供:一种包括代码的计算机程序,所述代码在计算机上运行时使所述计算机执行第五方面的方法;一种计算机可读介质,所述计算机可读介质存储包括代码的计算机程序,所述代码在计算机上运行时使所述计算机执行第五方面的方法;以及一种计算机系统,所述计算机系统被编程为执行第五方面的方法

附图说明
54.现在将参考附图通过实例描述本发明的实施方案,在附图中:
55.图1示出根据本发明的实施方案的光子模块的俯视示意图;
56.图
2a
示出图1的光子模块的剖视图;
57.图
2b
示出图1的光子模块的剖视图;
58.图
3a
示出根据本发明的实施方案的部件;
59.图
3b
示出图
3a
的部件的替代配置;
60.图
3c
示出图
3a
的部件的又一配置;
61.图
3d
示出图
3a
的部件的另一配置;
62.图4示出根据本发明的实施方案的
mzi

63.图5示出根据本发明的实施方案的
awg

64.图
6a
示出图1的光子模块的剖视图;
65.图
6b
示出图1的光子模块的剖视图;
66.图
6c
示出图1的光子模块的剖视图;
67.图
7a
描绘光子模块在如图
6a
所描绘的剖面处的模拟结果;
68.图
7b
描绘光子模块在如图
6b
所描绘的剖面处的模拟结果;
69.图
7c
描绘光子模块在如图
6c
所描绘的剖面处的模拟结果

具体实施方式
70.现在将参考附图论述本发明的各方面和实施方案

本领域技术人员将明白其他方面和实施方案

71.图1示出光子模块1的俯视示意图

光子模块1包括衬底5,第一波导
10
设置在所述衬底上

第二波导
20
设置在第一波导
10
的与衬底5相反的一侧上,即在
'z'
方向上位于第一波导
10
和衬底5上方

光子模块1还包括用于在第一波导
10
与第二波导
20
之间耦合光的耦合部段
25。
耦合部段
25
包括第一波导的沿着第一方向从第一宽度渐缩到第二宽度的渐缩部分
30
以及第二波导的沿着第二方向从第一宽度渐缩到第二宽度的渐缩部分
35。
渐缩部分
30
在第一波导
10
的具有第一宽度的非渐缩部分
29
与具有第二宽度的变窄部分
31
之间延伸

类似地,渐缩部分
35
在第二波导
20
的具有第一宽度的非渐缩部分
34
与具有第二宽度的变窄部分
36
之间延伸

在此实例中,第一方向和第二方向反向平行

替代地,第一方向和第二方向可
基本上反向平行

所谓基本上反向平行,可能意指描述两个方向的向量之间的角度可以是
180
°±
0.5
°

±1°

±2°

±5°

这样,第一波导的变窄部分
31
与第二波导的非渐缩部分
34
对准,并且第二波导的变窄部分
36
与第一波导的非渐缩部分
29
对准

光子模块1是双向的;耦合部段
25
诱发光学功率从第一波导
10
到第二波导
20(
反之亦然
)
的高效传递

72.如图1所示,沿着第一方向的第一宽度等于沿着第二方向的第一宽度

也就是说,第一波导和第二波导具有相同的第一宽度和相同的第二宽度

在未示出的替代方案中,第一波导和第二波导具有相应地不同的第一宽度和
/
或相应地不同的第二宽度

73.耦合部段
25
的长度大于第一波导
10
的最大横向宽度和第二波导
20
的最大横向宽度

因此,耦合部段
25
的长度大于第一波导
10
的非渐缩部分
29
的横向宽度和第二波导
20
的非渐缩部分
34
的横向宽度

耦合部段的长度可为至少4μm但不超过
10
μm,并且最大横向宽度可为至少2μm但不超过4μ
m。
因此,光子模块被设定尺寸成使得耦合部段绝热

74.图
2a
示出沿着图1中的线
a-a'
的光子模块1的剖视图,其中剖面与第一波导的非渐缩部分
29
和第二波导的变窄部分
36
相交

类似地,图
2b
示出沿着图1中的线
b-b'
的光子模块1的剖视图,其中剖面与第一波导的变窄部分
31
和第二波导的非渐缩部分
34
相交

75.如图
2a
和图
2b
所描绘,与第一波导
10
等高的第一包层
12
与第一波导
10
相邻地设置,以便至少部分地围绕第一波导
10。
与第二波导
20
等高的第二包层
22
与第二波导
20
相邻地设置,以便至少部分地围绕第二波导
20。
第一包层
12
和第二包层
22
由二氧化硅形成以用于减少光学泄漏

另外的二氧化硅包覆层
38
设置在第二波导
20
和第二包层
22
的上表面上

在此实例中,第一波导是肋状波导,因为光学模式主要被限制在直立肋状部分
10
并且不会泄漏到硅器件层8中

在替代实例中,第一波导是脊状波导,并且光学模式包含在波导的直立脊状部分和对应平板部分中

76.中间层
15
设置在第一波导
10
与第二波导
20
之间

中间层
15
还将第一包层
12
与第二包层
22
分开

中间层
15
具有均匀厚度并且被界定在由第一波导
10
和第一包层
12
限定的第一平面表面与由第二波导
20
和第二包层
22
限定的第二平面表面之间

中间层
15
由氧化硅形成

在此实例中,中间层
15
为最多
100nm

(
即,如从第一波导
10
的顶部到第二波导
20
的底部测量
)。
77.衬底包括掩埋氧化物
box
层7,硅器件层8设置在所述
box
层上

进而,第一波导设置在硅器件层8上

第一波导
10
由晶体硅形成,并且第二波导
20
由非晶硅形成

在掩埋氧化物层下方,可存在硅衬底层

78.图
3a
示出包括具有第三波导
42
和第二耦合部段
43
的光子模块1的部件
40。
第二耦合部段
43
被配置为在第二波导
20
与第三波导
42
之间耦合光

第二耦合部段
43
是第一耦合部段
25
关于
z-y
平面反射的镜像

79.第二波导
20
设置在第三波导
42
的与衬底5相反的一侧上

第三波导
42
定位在与第一波导
10
相同的水平平面上

替代地,第三波导
42
可设置在第二波导
20
的与第一波导
10
相反的一侧上

部件
40
包括交叉波导
45
,所述交叉波导的一部分位于第二波导
20
与衬底5之间

交叉波导
45
与光子模块1的第一波导
10、
第二波导
20
和第三波导
42
光学绝缘

第二波导
20
在交叉波导
45
之上形成桥状结构

交叉波导
45
是直的并且垂直于光子模块1的纵向轴线延伸

部件可形成光子集成电路
(pic)
的一部分

80.图
3b
示出部件
40
的替代实例,其中交叉波导
45
相对于光子模块1的纵向轴线成角


相似特征由相似附图标记指示

81.图
3c
示出部件
40
的又一实例,其中交叉波导
45
以非零角度与光子模块1的纵向轴线相交,但交叉波导弯曲成使得第一端部
46
和第二端部
47
平行于光子模块1的纵向轴线延伸

相似特征由相似附图标记指示

82.图
3d
示出部件
40
的另一实例,其中部件包括多于一个交叉波导
45。
相似特征由相似附图标记指示

83.图4示出具有两个臂
55
的马赫-曾德尔干涉仪
(mzi)50。

55
中的一个包括光子模块1以在两个臂
55
之间引入路径长度不平衡

光子模块1促进
mzi50
的非热性能

84.图5示出具有多个输出
/
输入波导
65
的阵列波导光栅
(awg)60。
输出
/
输入波导中的每一个包括光子模块1以在输出
/
输入波导
65
之间引入路径长度不平衡
。awg60
通过光子模块1促进第一方向上的传输,并且通过输出
/
输入波导
65
促进第二方向上的传输,所述输出
/
输入波导可以是普通硅波导

第一方向和第二方向是垂直的或基本上垂直

光子模块1促进
awg60
的非热性能

85.图
6a
描绘第一波导
10
的输入端口,通过所述输入端口接收光

输入端口为约3μm宽,并且被配置为接收光并将其发射到耦合部段
25。
在另一实例中,第一波导
10
具有输出端口,通过所述输出端口发射光,所述输出端口为约3μm宽并且被配置为将从耦合部段接收的光从光子模块发射出

86.第二波导
20
的厚度和宽度被选择成使得沿着耦合部段
25
存在相位匹配点


6b
描绘相位匹配点的剖视图

87.图
6c
描绘第二波导
20
的输出端口,通过所述输出端口发射光

输出端口为约3μm宽,并且被配置为将从耦合区域接收的光从光子模块发射出

在另一实例中,第二波导
20
具有输入端口,通过所述输入端口接收光,所述输入端口为约3μm宽并且被配置为接收光并且将其发射到耦合区域
25。
88.图
7a
描绘图
6a
的输入端口处的光学模式;光学模式集中在对应于第一波导
10
的区域中


7c
描绘通过耦合区域之后在
7c
的输出端口处的光学模式;光学模式集中在对应于第二波导
20
的区域中

89.图
7b
描绘图
6b
的相位匹配点处的光学模式

90.通过在衬底5上沉积第一层
(
衬底5包括掩埋氧化物
box

7)
或者通过提供绝缘体上硅晶片
(
晶片的硅器件层提供第一层
)
来制作光子模块
1。
第一层可由晶体硅
(
例如,在
soi
晶片的情况下
)
或非晶硅
(
例如,在沉积第一层的情况下
)
形成

接下来,将第一掩模施加到第一层

这可通过光刻来执行

第一掩模被设定尺寸或蚀刻以便覆盖第一层的对应于第一波导
10
的期望形状的部分

然后,执行第一蚀刻以产生包括渐缩部分
30
的第一波导
10。
渐缩部分
30
在第一波导
10
的非渐缩部分
29
和变窄部分
31
之间延伸

当执行第一蚀刻时可使用各向异性蚀刻

91.第一包层
12
与第一波导
10
相邻地沉积
(
例如,通过化学气相沉积
)
到与第一波导
10
相同的高度,使得第一包层
12
和第一波导
10
的上表面形成平面表面

然后,在由第一包层
12
和第一波导
10
的上表面形成的平面表面上沉积中间层
15。
中间层
15
由氧化硅形成

中间层
15
为最多
100nm

(
即,如从第一波导
10
的顶部到第二波导
20
的底部测量
)。
92.接下来,在中间层
15
上沉积第二层,并且将第二掩模施加到第二层

如果第一层由
晶体硅形成,则第二层由非晶硅形成,反之亦然

第二掩模被设定尺寸以便覆盖第二层的对应于第二波导
20
的期望形状的部分

然后执行第二蚀刻以产生包括渐缩部分
35
的第二波导
20。
渐缩部分
35
在第二波导
20
的非渐缩部分
34
和变窄部分
36
之间延伸

渐缩部分
30
的横向宽度在沿着光子模块1的长度的第一方向上减小,而渐缩部分
35
的横向宽度在与第一方向相反的方向上减小

这样,第一波导的变窄部分
31
与第二波导的非渐缩部分
34
对准,并且第二波导的变窄部分
36
与第一波导的非渐缩部分
29
对准

因此,耦合部段
25
包括第一波导的渐缩部分
30
和第二波导的渐缩部分
35。
当执行第二蚀刻时可使用各向异性蚀刻

93.第二包层
22
与第二波导
20
相邻地沉积到与第二波导
20
相同的高度,使得第二包层
22
和第二波导
20
的上表面形成平面表面

另外的二氧化硅包覆层
28
沉积在由第二包层
22
和第二波导
20
的上表面形成的平面表面上

94.虽然已经结合上文描述的示例性实施方案描述了本发明,但当给出本公开时,许多等同修改和变型对于本领域技术人员而言将是显而易见的

因此,上文阐述的本发明的示例性实施方案应被视为是说明性的而非限制性的

在不脱离本发明的精神和范围的情况下可对所描述的实施方案作出各种改变

95.特征列表
[0096]1:光子模块
[0097]5:衬底
[0098]7:掩埋氧化物
box

[0099]8:硅器件层
[0100]
10
:第一波导
[0101]
12
:第一包层
[0102]
15
:中间层
[0103]
20
:第二波导
[0104]
22
:第二包层
[0105]
25
:耦合部段
[0106]
29
:第一波导的非渐缩部分
[0107]
30
:第一波导的渐缩部分
[0108]
31
:第一波导的变窄部分
[0109]
34
:第二波导的非渐缩部分
[0110]
35
:第二波导的渐缩部分
[0111]
36
:第二波导的变窄部分
[0112]
38
:另外的二氧化硅包层
[0113]
40
:部件
[0114]
42
:第三波导
[0115]
43
:第二耦合部段
[0116]
45
:交叉波导
[0117]
46
:交叉波导的第一端部
[0118]
47
:交叉波导的第二端部
[0119]
50

mzi
[0120]
55

mzi

[0121]
60

awg
[0122]
65

awg
输出
/
输入波导
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