垂直半导体结构元件和用于在制造这种类型的垂直半导体结构元件时产生突变的端点探测信号的方法与流程-尊龙凯时官方app下载

文档序号:36175664发布日期:2023-11-25 01:44阅读:来源:国知局

技术特征:
1.
一种用于产生突变的端点探测信号的垂直半导体结构元件
(200)
,所述垂直半导体结构元件具有:半导体衬底
(201)
,所述半导体衬底具有前侧和后侧,其中,所述前侧与所述后侧对置,其中,所述半导体衬底
(201)
具有第一化学元素,缓冲层
(202)
,所述缓冲层布置在所述半导体衬底
(201)
的前侧上,其中,所述缓冲层
(202)
具有第二化学元素,半导体接触层
(204)
,所述半导体接触层布置在所述缓冲层
(202)
上,其中,在所述半导体接触层
(204)
上布置有所述垂直半导体结构元件的有源区域,其特征在于,在所述缓冲层
(202)
与所述半导体接触层
(204)
之间布置有蚀刻控制层
(203)
,其中,所述蚀刻控制层
(203)
具有至少一个第三化学元素,所述至少一个第三化学元素与所述第一化学元素和所述第二化学元素不同
。2.
根据权利要求1所述的垂直半导体结构元件
(200)
,其特征在于,所述第三化学元素包括锗



铁或者铟
。3.
一种用于产生突变的端点探测信号的垂直半导体结构元件
(200)
,所述垂直半导体结构元件具有:半导体衬底
(201)
,所述半导体衬底具有前侧和后侧,其中,所述前侧与所述后侧对置,其中,所述半导体衬底
(201)
具有第一化学元素和另外的化学元素,所述另外的化学元素具有第一背景浓度,缓冲层
(202)
,所述缓冲层布置在所述半导体衬底
(201)
的前侧上,其中,所述缓冲层
(202)
具有第二化学元素和所述另外的化学元素,所述另外的化学元素具有第二背景浓度,半导体接触层
(204)
,所述半导体接触层布置在所述缓冲层
(202)
上,其中,在所述半导体接触层
(204)
上布置有所述垂直半导体结构元件的有源区域,其特征在于,在所述缓冲层
(202)
与所述半导体接触层
(204)
之间布置有蚀刻控制层
(203)
,其中,所述蚀刻控制层
(203)
具有所述另外的化学元素,所述另外的化学元素具有第三背景浓度,其中,所述第三背景浓度比所述第一背景浓度和所述第二背景浓度大
。4.
根据权利要求3所述的垂直半导体结构元件
(200)
,其特征在于,所述另外的化学元素包括碳
。5.
根据权利要求3或者4中任一项所述的垂直半导体结构元件
(200)
,其特征在于,所述第三背景浓度包括在
1e18 cm^-3

1e19 cm^-3
之间的范围
。6.
根据上述权利要求中任一项所述的垂直半导体结构元件
(200)
,其特征在于,所述蚀刻控制层
(203)
具有在
20nm

200nm
之间的层厚度
。7.
根据上述权利要求中任一项所述的垂直半导体结构元件
(200)
,其特征在于,所述第一化学元素包括硅或者硅和硼或者硅和磷或者硅和砷或者硅和锑,所述第二化学元素包括铝和镓和氮
。8.
根据上述权利要求中任一项所述的垂直半导体结构元件
(200)
,其特征在于,所述垂直半导体结构元件
(200)
包括氮化镓
。9.
根据上述权利要求中任一项所述的垂直半导体结构元件
(200)
,其特征在于,所述垂
直半导体结构元件
(200)
是肖特基二极管
、pn
二极管

垂直的扩散
mosfet、
平面栅极
mosfet、
沟道栅极
mosfet、
电流孔径垂直电子晶体管
、vgroove hemt
或者鳍式
fet。10.
一种用于在制造垂直半导体结构元件时产生突变的端点探测信号的方法
(300)
,所述垂直半导体结构元件具有半导体衬底

缓冲层

半导体接触层和所述垂直半导体结构元件的有源区域,所述半导体衬底具有前侧和后侧,其中,所述前侧与所述后侧对置,其中,所述半导体衬底具有第一化学元素,所述缓冲层布置在半导体衬底上并且具有第二化学元素,所述方法具有下述步骤:产生
(310)
蚀刻控制层,所述蚀刻控制层布置在所述缓冲层与所述半导体接触层之间,其中,所述蚀刻控制层具有第三化学元素,所述第三化学元素与所述第一化学元素和所述第二化学元素不同,借助蚀刻过程产生
(320)
后侧沟槽,所述后侧沟槽从所述半导体衬底的后侧出发在所述半导体接触层的方向上延伸,借助端点探测系统检测
(330)
所述突变的端点探测信号,根据所述端点探测信号结束
(340)
所述蚀刻过程


技术总结
一种用于产生突变的端点探测信号的垂直半导体结构元件


技术研发人员:c
受保护的技术使用者:罗伯特
技术研发日:2022.01.28
技术公布日:2023/11/24
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