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文档序号:36175668发布日期:2023-11-25 01:48阅读:5918来源:国知局
玻璃基板的制造方法以及玻璃基板与流程

1.本发明涉及玻璃基板的制造方法以及玻璃基板



背景技术:

2.在半导体器件的制造工序中,作为支承半导体器件的部件,有时会使用玻璃基板

例如,在专利文献1中记载了一种扇出型晶圆级封装用的玻璃制的支承基板

3.专利文献1:专利第
6443668
号公报
4.要求支承半导体器件的玻璃基板在厚度

翘曲方面具有与硅晶圆同等的尺寸精度

但是,支承半导体器件的玻璃基板除了是多成分系统以外,厚度

面积也比硅晶圆大,因此有时难以确保高的尺寸精度

因此,要求抑制尺寸精度的降低



技术实现要素:

5.本发明是鉴于上述课题所做出的,其目的在于,提供一种能够抑制尺寸精度降低的玻璃基板的制造方法以及玻璃基板

6.为了解决上述课题而实现目的,本公开所涉及的玻璃基板的制造方法是支承半导体器件的玻璃基板的制造方法,生成玻璃母板,测定上述玻璃母板的厚度

厚度偏差以及翘曲量,基于上述玻璃母板的厚度来分选玻璃母板,将分选出的上述玻璃母板切断而生成多个玻璃坯板,基于上述玻璃母板的厚度

厚度偏差以及翘曲量来设定上述玻璃坯板的第一研磨条件,基于上述第一研磨条件,研磨上述玻璃坯板的表面而生成玻璃板,测定上述玻璃板的厚度

厚度偏差以及翘曲量,基于上述玻璃板的厚度来分选上述玻璃板,基于上述玻璃板的厚度

厚度偏差以及翘曲量来设定上述玻璃板的第二研磨条件,基于上述第二研磨条件,研磨分选出的上述玻璃板的表面,而生成边的长度为
300mm
以上且厚度为
0.5mm
以上的矩形的玻璃基板

7.为了解决上述课题而实现目的,本公开所涉及的玻璃基板是支承半导体器件的玻璃基板,呈边的长度为
300mm
以上的矩形形状,厚度为
0.7mm
以上,上述玻璃基板的翘曲为
1mm
以下,上述玻璃基板的板厚为
0.5mm
以上且
4.0mm
以下,上述玻璃基板的厚度的偏差为5μm以下,上述玻璃基板的在
50mm
×
50mm
中的
ltv(local thickness variation)
为2μm以下,上述玻璃基板的边缘面部的宽度为
1mm
以下,在上述玻璃基板的边缘面与端面的边界区域的曲率最小的区域中由任意的三个点形成的曲率半径为
0.05mm
以上

8.根据本发明,能够抑制尺寸精度的降低

附图说明
9.图1是本实施方式所涉及的玻璃基板的示意图

10.图
2a
是图1的
a-a
剖视图

11.图
2b
是图
2a
的局部放大图

12.图3是用于说明本实施方式所涉及的玻璃基板的挠曲的示意图

13.图4是用于说明本实施方式所涉及的玻璃基板的挠曲的示意图

14.图5是说明本实施方式所涉及的玻璃基板的制造方法的示意图

15.图6是说明本实施方式所涉及的玻璃基板的制造方法的流程图

具体实施方式
16.以下,参照所附附图,对本发明的优选的实施方式详细地进行说明

此外,本发明并不限定于该实施方式,另外在存在多个实施方式的情况下,还包括组合各实施方式而构成的方式

另外,对于数值,包括四舍五入的范围

一般的公差范围

17.(
玻璃基板
)
18.图1是本实施方式所涉及的玻璃基板的示意图,图
2a
是图1的
a-a
剖视图

本实施方式所涉及的玻璃基板
10
被用作半导体封装制造用玻璃基板,可称为支承半导体器件的玻璃基板

更具体而言,玻璃基板
10
是扇出型面板级封装
(fanout panel level package

foplp)
制造用支承玻璃基板

但是,玻璃基板
10
的用途是任意的,并不局限于半导体器件的支承
、foplp
的制造用,可以是用于支承任意部件的玻璃基板

19.如图1所示,玻璃基板
10
是具有作为一方的主面的表面
10a(
一方的表面
)
和作为与表面
10a
相反侧的主面的表面
10b(
另一方的表面
)
的板状部件

玻璃基板
10
在俯视观察时即从与表面
10a
正交的方向观察的情况下呈矩形状

进一步而言,玻璃基板
10
在俯视观察时呈正方形,但并不局限于正方形,也可以在俯视观察时呈长方形

玻璃基板
10
也可以在端面
10c
形成切口部,而形成为矩形的外周的一部分被切除的形状

以下,将与表面
10a
正交的方向记载为z方向
。z
方向也可以称为玻璃基板
10
的厚度方向

另外,将与z方向正交的一个方向设为
x
方向,将与z方向以及
x
方向正交的方向设为y方向

20.如图
2a
所示,玻璃基板
10
的端面
10c
是连接表面
10a
和表面
10b
的面,也可以称为玻璃基板
10
的侧面

玻璃基板
10
在端面
10c
形成有倒角

具体而言,端面
10c
包括端面部
10c1
和边缘面部
10c2。
端面部
10c1
相当于端面
10c
中的未被倒角的部分,边缘面部
10c2
相当于端面
10c
中的被倒角的部分

此外,端面
10c
为遍及玻璃基板
10
的周向的整个区域包括图
2a
所示那样的端面部
10c1
和边缘面部
10c2
的形状

即,由于玻璃基板
10
为矩形状,因此可以说在玻璃基板
10
的沿着
x
方向的两个边上的端面
10c
和玻璃基板
10
的沿着y方向的两个边上的端面
10c(
即,在四个边全部
)
形成有端面部
10c1
和边缘面部
10c2。
21.端面部
10c1
是端面
10c
中的包含向玻璃基板
10
的径向外侧最突出的部分的表面

如图
2a
所示,端面部
10c1
在从与z方向正交的方向观察的情况下沿着z方向

22.端面部
10c1
经由边缘面部
10c2
而与玻璃基板
10
的表面连接

即,在边缘面部
10c2
中,z方向上的一方的端部与端面部
10c1
连接,另一方的端部与玻璃基板
10
的表面连接

边缘面部
10c2
在z方向上形成于端面部
10c1
的两侧

即,端面
10c
形成为在z方向上按一方的边缘面部
10c2、
端面部
10c1、
另一方的边缘面部
10c2
的顺序排列

而且,在一方的边缘面部
10c2
中,z方向上的一方的端部与玻璃基板
10
的表面
10a
连接,另一方的端部与端面部
10c1
连接

另外,在另一方的边缘面部
10c2
中,z方向上的一方的端部与端面部
10c1
连接,另一方的端部与玻璃基板
10
的表面
10b
连接

23.如图
2a
所示,边缘面部
10c2
在从与z方向正交的方向观察的情况下相对于z方向倾斜

边缘面部
10c2
以随着从端面部
10c1
朝向玻璃基板
10
的表面侧而朝向玻璃基板
10
的径向
内侧的方式倾斜

边缘面部
10c2
在从与z方向正交的方向观察的情况下为直线状,但也可以呈曲线状
(r
形状
)。
24.如以上那样,端面
10c
形成为包含端面部
10c1
和边缘面部
10c2
的形成有倒角的形状,但端面
10c
的形状并不限定于此,例如,也可以不形成倒角

25.(
玻璃基板的一边的长度
)
26.玻璃基板
10
的边的长度
l
优选为
300mm
以上,更优选为
500mm
以上

另外,玻璃基板
10
的边的长度
l
优选为
1000mm
以下,更优选为
700mm
以下

通过使长度
l
处于该范围,能够充分地确保供半导体器件配置的区域的大小,从而适当地制造半导体器件

其中,长度
l
是从z方向观察的情况下的玻璃基板
10
的一边的长度,且是指从玻璃基板
10
的一个边的端面
10c(
更详细而言为端面部
10c1)
到对置的边的端面
10c(
更详细而言为端面部
10c1)
为止的长度

27.(
玻璃基板的厚度
)
28.玻璃基板
10
的厚度d优选为
0.5mm
以上,更优选为
0.7mm
以上,进一步优选为
1.0mm
以上

另外,玻璃基板
10
的厚度d优选为
4.0mm
以下,更优选为
2.0mm
以下

通过使厚度d处于该范围,能够抑制翘曲,从而适当地制造半导体器件

其中,厚度d是指从表面
10a
到表面
10b
为止的在z方向上的长度

29.另外,在通过后述的本实施方式所涉及的制造方法来制造多个玻璃基板
10
的情况下,玻璃基板
10
彼此的厚度d之差优选为
20
μm以下,进一步优选为5μm以下

通过使玻璃基板
10
彼此的厚度d之差
(
每个玻璃基板
10
的厚度d的差异
)
处于该范围,能够抑制制造半导体器件时的尺寸精度的降低等

30.另外,玻璃基板
10
的厚度d的偏差优选为
10
μm以下,更优选为5μm以下,进一步优选为3μm以下

通过使厚度d的偏差处于该范围,能够使玻璃基板
10
的厚度d接近均匀,从而适当地制造半导体器件

其中,厚度d的偏差是指沿着玻璃基板
10
的表面的平面上的每个位置的
(
每个坐标的
)
厚度d的偏差

例如,可以对沿着玻璃基板
10
的表面的平面上的每个位置
(
坐标
)
,计算该位置处的厚度d,并将这些每个位置的厚度d中的最大值与最小值的差分设为厚度d的偏差

31.另外,玻璃基板
10
的在
50mm
×
50mm
中的
ltv(local thickness variation
,局部厚度变化
)
优选为2μm以下,进一步优选为1μm以下


50mm
×
50mm
中的
ltv
是指玻璃基板
10
的在
50mm
×
50mm
的单位区域中的厚度d的最大值与最小值的差分

换言之,厚度d的偏差是玻璃基板
10
的在整个区域中的厚度d的最大值与最小值的差分,相对于此,
ltv
是指玻璃基板
10
的在单位区域中的厚度d的最大值与最小值的差分

32.另外,将玻璃基板
10
的整个区域中的从周缘向径向内侧分离
1mm
的位置与从周缘向径向内侧分离
5mm
的位置之间的区域设为外侧区域

另外,将玻璃基板
10
的整个区域中的以玻璃基板
10
的中心点o为中心被一个边为
100mm
的正方形包围的区域设为中央侧区域

在该情况下,玻璃基板
10
的在外侧区域中的厚度d的平均值,可以大于玻璃基板
10
的在中央侧区域中的厚度d的平均值
(
即,中央也可以较厚
)。
相反,玻璃基板
10
的在外侧区域中的厚度d的平均值,可以小于玻璃基板
10
的在中央侧区域中的厚度d的平均值
(
即,中央也可以较薄
)。
另外,中央侧区域中的厚度d的偏差和外侧区域中的厚度d的偏差优选为2μm以下,进一步优选为1μm以下

其中,作为这样实现中央较薄或较厚的形状的制法,例如在研磨等物理
加工中可以想到提高玻璃基板
10
的中央的压力

研磨布的相对速度的方法

另外,例如,在
hf(
氢氟酸
)
蚀刻中,为了选择性地对玻璃基板
10
的中央进行蚀刻,而可以想到外周部的遮盖

玻璃基板
10
的中央部的加温

或以使新鲜的药液始终接触玻璃基板
10
的中央部的方式调整药液流路等的方法

33.(
玻璃基板的挠曲
)
34.图3以及图4是用于说明本实施方式所涉及的玻璃基板的挠曲的示意图

图3是说明利用支承部件b对从z方向观察的情况下的比玻璃基板
10
的中心点o靠径向外侧的第一位置
p1a、
第二位置
p2a、
第三位置
p3a
这三点进行支承的情况下的由自重引起的挠曲的例子的图

第一位置
p1a
是表面
10a
上的从玻璃基板
10
的中心点o向径向外侧分离距离
l1a
的位置

另外,第二位置
p2a
是表面
10a
上的从玻璃基板
10
的中心点o向径向外侧分离距离
l2a
的位置,且是在以中心点o为中心的情况下相对于第一位置
p1a
在周向上偏移
120
度的位置

另外,第三位置
p3a
是表面
10a
上的从玻璃基板
10
的中心点o向径向外侧分离距离
l3a
的位置,且是在以中心点o为中心的情况下相对于第一位置
p1a
以及第二位置
p2a
在周向上偏移
120
度的位置

此外,这里的径向是指以中心点o为中心的情况下的径向

另外,距离
l1a、
距离
l2a
以及距离
l3a
为相互相同的长度

例如,距离
l1a
相对于从中心点o经过第一位置
p1a
到玻璃基板
10
的周缘部的直线的长度为一半以上的任意长度,距离
l2a
相对于从中心点o经过第二位置
p2a
到玻璃基板
10
的周缘部的直线的长度为一半以上的任意长度,距离
l3a
相对于从中心点o经过第三位置
p3a
到玻璃基板
10
的周缘部的直线的长度为一半以上的任意的长度

在图3的例子中,从第一位置
p1a
到玻璃基板
10
的周缘部为止的在从中心点o经过第一位置
p1a
的直线上的长度为
10mm
,从第二位置
p2a
到玻璃基板
10
的周缘部为止的在从中心点o经过第二位置
p2a
的直线上的长度为
10mm
,从第三位置
p3a
到玻璃基板
10
的周缘部为止的在从中心点o经过第三位置
p3a
的直线上的长度为
10mm。
另外,支承部件b是直径为
1mm
以上且
2mm
以下的球状部件,直径更优选为
1.6mm。
另外,支承部件b的材料优选为材质比玻璃软且难以发生由温湿度

测定中的玻璃重量引起的变形的材料,例如为
peek(polyetheretherketone
,聚醚醚酮
)、ptfe(polytetrafluoroethylene
,聚四氟乙烯
)
等树脂,这里可以使用
peek。
35.这里,如图3所示,将在使玻璃基板
10
的表面
10a
朝向铅垂方向下方并通过支承部件b来支承表面
10a
上的第一位置
p1a、
第二位置
p2a
以及第三位置
p3a
的情况下在铅垂方向上侧的表面
10b
中在铅垂方向上的高度变得最低的位置设为最低点
sb1。
即,最低点
sb1
可称为表面
10b
中挠曲量最大的位置

在该情况下,最低点
sb1
的位置优选为在从铅垂方向
(z
方向
)
观察时位于中央区域
ar


所谓中央区域
ar
,是指比第一位置
p1a、
第二位置
p2a
以及第三位置
p3a
靠径向内侧的区域

进一步而言,中央区域
ar
是中心为中心点o且直径
da
相对于玻璃基板
10
的直径w为
1/3
长度的圆形区域

36.这样,玻璃基板
10
优选为在使表面
10a
朝向铅垂方向下方并通过支承部件b来支承表面
10a
的第一位置
p1a、
第二位置
p2a
以及第三位置
p3a
这三点的情况下,最低点
sb
位于中央区域
ar


玻璃基板
10
通过使最低点
sb
位于中央区域
ar
内而非位于中央区域
ar
的外侧,能够抑制例如在制造半导体器件时玻璃基板
10
的挠曲位置偏移这样的变形,从而抑制半导体器件的制造性恶化

37.另外,将在使玻璃基板
10
的表面
10a
朝向铅垂方向下方并通过支承部件b来支承表

10a
上的第一位置
p1a、
第二位置
p2a
以及第三位置
p3a
的情况下的玻璃基板
10
的最大挠曲量设为最大挠曲量
tbmax。
最大挠曲量
tbmax
可称为由玻璃基板
10
的自重引起的最大挠曲量,并且可称为从玻璃基板
10
的最高点
sb2
到最低点
sb1
为止的在铅垂方向上的距离

其中,所谓最高点
sb2
,是指在使玻璃基板
10
的表面
10a
朝向铅垂方向下方,并通过支承部件b来支承表面
10a
上的第一位置
p1a、
第二位置
p2a
以及第三位置
p3a
的情况下,在铅垂方向上侧的表面
10b
中在铅垂方向上的高度变得最高的位置

在该情况下,在玻璃基板
10
的长度
l

300mm
以上且
1000mm
以下,且厚度d为
4.0mm
以下的情况下,最大挠曲量
tbmax
优选为
10mm
以下,进一步优选为
0mm
以上且
5mm
以下

通过使最大挠曲量
tbmax
处于该范围,还可以抑制挠曲量,因此能够更适于抑制半导体器件的制造性恶化

38.其中,虽然图3示出了玻璃基板
10
简单翘曲的情况下的例子,但玻璃基板
10
的翘曲方式并不局限于图3这样的简单翘曲,例如也可以为图4那样的翘曲方式

即,在图3中,玻璃基板
10
以呈从外周端朝向最低点
sb1
凹陷的凹形状的方式挠曲,但是,如图4所示,也可以以如下方式挠曲,即从由支承部件b支承的部位朝向最低点
sb1
凹陷,并且从由支承部件b支承的部位还朝向外周端凹陷

39.在以上的说明中,对使表面
10a
朝向铅垂方向下方的情况下的玻璃基板
10
的挠曲进行了说明,但是,以下,对于使表面
10b
朝向铅垂方向下方的情况下的玻璃基板
10
的挠曲也优选为同样

40.(
玻璃基板的翘曲量
)
41.这里,将玻璃基板
10
的除了由自重引起的挠曲以外的情况下的翘曲量设为翘曲量
δ
t。
在该情况下,翘曲量
δ
t
优选为
1.0mm
以下,更优选为
0.5mm
以下,进一步优选为
0.1mm
以下

通过使翘曲量
δ
t
处于该范围,能够抑制在玻璃基板
10
上制造的半导体器件的翘曲,能够更适于抑制半导体器件的制造性恶化

其中,翘曲量
δ
t
为如下值:即,在使表面
10b
朝向铅垂方向下方且如上述那样通过支承部件b支承的情况与使表面
10a
朝向铅垂方向下方且如上述那样通过支承部件b支承的情况下的沿着玻璃基板
10
的表面的平面上的每个位置的
(
每个坐标的
)
挠曲量的差分中的最大值除以2而得的值

即,将使表面
10b
朝向铅垂方向下方且如上述那样通过支承部件b支承的情况下的沿着玻璃基板
10
的表面的平面上的位置
(
坐标
)i
处的挠曲量设为
ta(i),将使表面
10a
朝向铅垂方向下方且如上述那样通过支承部件b支承的情况下的沿着玻璃基板
10
的表面的平面上的位置
(
坐标
)i
处的挠曲量设为
tb(i)。
然后,将每个位置i的挠曲量
ta(i)与挠曲量
tb(i)的差分中的值最大的差分设为
max(ta
(i)-tb(i))。
在该情况下,翘曲量
δ
t
如下式
(1)
求出

即,翘曲量
δ
t

max(ta
(i)-tb(i))
的绝对值除以2而得的值

42.δ
t

|max(ta
(i)-tb(i))|/2
···
(1)
43.(
玻璃基板的端面形状
)
44.图
2b
是图
2a
的局部放大图

如图
2b
所示,端面部
10c1
包括直线部
10c1a
和曲线部
10c1b。
更详细而言,端面部
10c1
在直线部
10c1a
的z方向的两侧存在曲线部
10c1b
,且经由曲线部
10c1b
连接到边缘面部
10c2。
即,玻璃基板
10
的端面朝向z方向,按照表面
10b
侧的边缘面部
10c2、
表面
10b
侧的曲线部
10c1b、
表面
10a
侧的直线部
10c1a、
表面
10a
侧的曲线部
10c、
以及表面
10a
侧的边缘面部
10c2
的顺序构成

45.直线部
10c1a
是沿着z方向描绘端面部
10c1
的情况下的轨迹可视为直线的区域,曲
线部
10c1b
是沿着z方向描绘端面部
10c1
的情况下的轨迹描画曲线的区域

曲线部
10c1b
呈随着在z方向上从玻璃基板
10
的中央朝向外侧
(
表面
10a
或表面
10b

)
而朝向径向内侧倾斜的r形状

更详细而言,在将端面
10c
的在z方向上的中央点设为中点
10c1p
,从中点
10c1p
朝向z方向
(
表面
10a

)
描绘端面
10c
的情况下,将描绘出的轨迹向玻璃基板
10
的径向内侧
(
在图
2b
的例子中为
x
方向
)
在排除表面的完工后的凹凸的情况下移动
10
μm的位置设为边界位置
10c1a。
而且,在从中点
10c1p
朝向与z方向相反的一侧
(
表面
10b

)
描绘端面
10c
的情况下,将描绘出来的轨迹向玻璃基板
10
的径向内侧
(
在图
2b
的例子中为
x
方向
)
同样在排除表面所形成的凹凸的情况下移动
10
μm的位置设为边界位置
10c1b。
即,玻璃基板
10
的径向上的边界位置
10c1a
与中点
10c1p
的距离和玻璃基板
10
的径向上的边界位置
10c1b
与中点
10c1p
的距离可称为
10
μ
m。
在该情况下,在端面部
10c1
中,边界位置
10c1a
与边界位置
10c1b
之间的区域为直线部
10c1a
,比边界位置
10c1a
靠z方向侧
(
表面
10a

)
的区域和比边界位置
10c1b
靠与z方向相反的一侧
(
表面
10b

)
的区域可称为曲线部
10c1b。
即,在z方向上描绘直线部
10c1a
而得的轨迹在玻璃基板
10
的径向上的位移小因此可视为直线,但在z方向上描绘曲线部
10c1b
而得的轨迹呈在玻璃基板
10
的径向上位移的曲线状

46.另外,将曲线部
10c1b
与边缘面部
10c2
的边界位置设为边界位置
10c2a。
即,从边界位置
10c1a
到边界位置
10c2a
为止的区域可称为曲线部
10c1b
,从边界位置
10c2a
到边缘面部
10c2
与表面
10a(
表面
10b)
的边界位置
10c2b
为止的区域可称为边缘面部
10c2。
其中,边界位置
10c2a
可如下这样规定

即,将相对于表面
10a
倾斜角度
θ
的直线
(
即,沿着边缘面
10c2
的直线
)
在与边缘面
10c2
垂直的方向上分离
10
μm的端面
10c
上的位置称为边界位置
10c2a。
即,在z方向上描绘边缘面部
10c2
而得的轨迹在玻璃基板
10
的径向上的位移小因此可视为直线,但在z方向上描绘曲线部
10c1b
而得的轨迹呈在玻璃基板
10
的径向上位移的曲线状

47.这样,玻璃基板
10
在直线部
10c1a
与边缘面部
10c2
之间形成有呈r状的曲线部
10c1b。
这样的形状例如能够通过调节磨石的形状

磨石粒度号来实现

但是,玻璃基板
10
也可以不包括曲线部
10c1b。
在该情况下,直线部
10c1a
与边缘面部
10c2
也可以直接连接

48.(
直线部的长度
)
49.直线部
10c1a
的z方向的长度
d1
优选为玻璃基板
10
的厚度d的
50
%以下,优选为5%以上且
45
%以下

通过使长度
d1
处于该范围,能够抑制从端面
10c
开始的破裂,从而适当地制造半导体器件

进一步而言,通过使长度
d1
相对于厚度d不过小,能够抑制端部变得尖锐而不耐异物接触的情况

通过使长度
d1
相对于厚度d不过大,从而抑制因倒角部几乎消失

角度变得非常小而在异物与端面侧的边界部接触时容易破裂的情况

其中,长度
d1
是指从边界位置
10c1a
到边界位置
10c1b
为止的z方向的长度

其中,长度
d1
例如能够通过对端面
10c
附近的截面图像的图像拍摄或接触式测定来取得而测定

50.(
边缘面部的角度
)
51.如图
2a
所示,边缘面部
10c2
的角度
θ
优选为
15
°
以上且
80
°
以下,更优选为
20
°
以上且
60
°
以下

通过使角度
θ
处于该范围,能够抑制从端面
10c
开始的破裂,从而适当地制造半导体器件

其中,角度
θ
是指在从与z方向正交的方向观察的情况下的沿着边缘面部
10c2
的直线与沿着玻璃基板
10
的表面
(
在图
2a
的例子中为表面
10a)
的直线所成的角度
。z
方向侧
(
表面
10a

)
的边缘面部
10c2
的角度
θ
和与z方向相反侧
(
表面
10b

)
的边缘面部
10c2
的角度
θ
优选为相同,但并不局限于此,也可以为了识别表背等而设为不同的值

其中,角度
θ

如能够通过对端面
10c
附近的截面图像的图像拍摄或接触式测定来取得而测定

52.另外,边缘面部
10c2
的角度
θ
的偏差优选为
20
度以下,更优选为
10
度以下

通过使角度
θ
的偏差处于该范围,能够抑制从端面
10c
开始的破裂,从而适当地制造半导体器件

其中,角度
θ
的偏差是指边缘面部
10c2
上的每个位置的角度
θ
的偏差,将每个位置的角度
θ
中的最大值与最小值之差设为角度
θ
的偏差

在该情况下,例如,对边缘面部
10c2
上的每个位置,计算该位置处的角度
θ

更详细而言,由于本实施方式的玻璃基板
10
为矩形,所以针对沿着
x
方向的边的边缘面部
10c2
,对沿着
x
方向的每个位置计算角度
θ
,针对沿着y方向的边的边缘面部
10c2
,对沿着y方向的每个位置计算角度
θ

然后,可以将这些每个位置的角度
θ
中的最大值与最小值的差分设为角度
θ
的偏差

53.(
边缘面部的宽度
)
54.如图
2a
所示,边缘面部
10c2
的宽度w优选为
1mm
以下,更优选为
0.1mm
以上且
0.5mm
以下

通过使宽度w处于该范围,能够抑制从端面
10c
开始的破裂,从而适当地制造半导体器件

其中,宽度w是指边缘面部
10c2
的从边界位置
10c2a
到边界位置
10c2b
为止的在与z方向正交的方向上的长度

其中,宽度w例如能够通过对端面
10c
附近的截面图像的图像拍摄或接触式测定来取得而测定

55.另外,边缘面部
10c2
的宽度w的偏差优选为
0.2mm
以下,更优选为
0.1mm
以下

通过使宽度w的偏差处于该范围,能够抑制从端面
10c
开始的破裂,从而适当地制造半导体器件

其中,宽度w的偏差是指边缘面部
10c2
上的每个位置的宽度w的偏差,且将每个位置的宽度w中的最大值与最小值的差分除以宽度w的最小值而得的值设为宽度w的偏差

在该情况下,例如,对边缘面部
10c2
上的每个位置,计算该位置处的宽度
w。
更详细而言,由于本实施方式的玻璃基板
10
为矩形,所以针对沿着
x
方向的边的边缘面部
10c2
,对沿着
x
方向的每个位置计算宽度w,针对沿着y方向的边的边缘面部
10c2
,对沿着y方向的每个位置计算宽度
w。
然后,可以将这些每个位置的宽度w中的最大值与最小值的差分除以宽度w的最小值而得的值设为宽度w的偏差

56.(
曲线部的形状
)
57.边缘面部
10c2
与直线部
10c1a
的边界部分亦即曲线部
10c1b
优选为呈r形状

曲线部
10c1b
的曲率半径优选为
0.01mm
以上,更优选为
0.05mm
以上,并且优选为
0.5mm
以下

通过使曲线部
10c1b
的曲率半径处于该范围,能够抑制从端面
10c
开始的破裂,从而适当地制造半导体器件

其中,曲线部
10c1b
的曲率半径例如能够通过对端面
10c
附近的截面图像的图像拍摄或接触式测定来取得而测定

作为一个例子,可以在从与z方向正交的方向观察端面
10c
而得的截面图像中的边缘面部
10c2
与直线部
10c1a
的边界部,在除了突发性的凸点

凹点以及可视为表面粗糙度范围内的凸凹的影响以外的条件下,在边缘面部
10c2
与直线部
10c1a
的边界区域
(
即,曲线部
10c1b)
的曲率最小的区域中,将由任意的三点构成的曲率半径设为曲线部
10c1b
的曲率半径

同样地,边缘面部
10c2
与玻璃基板
10
的表面
(
表面
10a
以及表面
10b)
的边界部分也可以呈r形状

在该情况下,边缘面部
10c2
与玻璃基板
10
的表面的边界部分的r形状的曲率半径优选为
0.05mm
以上,更优选为
0.1mm
以上厚度的一半以下

优选为
0.5mm
以下

通过使曲线部
10c1b
的曲率半径处于该范围,能够抑制从端面
10c
开始的破裂,从而适当地制造半导体器件

58.(
玻璃基板的表面的表面粗糙度
)
59.玻璃基板
10
的表面
(
表面
10a
以及表面
10b)
的由
jis b 0601:2001
规定的算术平均粗糙度
ra
优选为
5nm
以下,更优选为
0.5nm
以上且
2.0nm
以下

通过使表面粗糙度处于该范围,能够适当地制造半导体器件

其中,玻璃基板
10
的表面的算术平均粗糙度
ra
通过按基准长度提取表面的粗糙度曲线来计算

基准长度例如可以设为5μ
m。
另外,算术平均粗糙度
ra
可以通过
keyence
制的
afm
来测定

60.(
玻璃基板的端面部的表面粗糙度
)
61.玻璃基板
10
的端面部
10c1
的由
jis b 0601:2001
规定的算术平均粗糙度
ra
优选为5μm以下,更优选为1μm以下

通过使表面粗糙度处于该范围,来抑制从端面部
10c1
开始的破裂,能够适当地制造半导体器件

其中,端面部
10c1
的表面的算术平均粗糙度
ra
通过按基准长度提取表面的粗糙度曲线来计算

基准长度例如可以为
128
μ
m。
62.玻璃基板
10
的边缘面部
10c2
的由
jis b 0601:2001
规定的算术平均粗糙度
ra
优选为5μm以下,更优选为1μm以下

通过使表面粗糙度处于该范围,来抑制从边缘面部
10c2
开始的破裂,能够适当地制造半导体器件

其中,边缘面部
10c2
的算术平均粗糙度
ra
通过按基准长度提取表面的粗糙度曲线来计算

基准长度例如可以设为
128
μ
m。
63.(
玻璃基板的优选的形状
)
64.作为一个例子,玻璃基板
10
优选为,厚度d为
1.5mm
,边缘面部
10c2
的宽度w为
0.2mm
,边缘面部
10c2
的角度
θ

25
°
,直线部
10c1a
的长度
d1

1.3mm
,曲线部
10c1b
的曲率半径为
0.2mm
,边缘面部
10c2
的算术平均粗糙度
ra

0.03
μm,表面的算术平均粗糙度
ra

0.4nm。
由此,能够减小表面粗糙度而提高强度,来抑制由玻璃的破损导致的成品率降低

由玻璃破片的混入导致的工序污染

65.作为一个例子,玻璃基板
10
优选为,厚度d为
1.5mm
,边缘面部
10c2
的宽度w为
0.2mm
,边缘面部
10c2
的角度
θ

30
°
,直线部
10c1a
的长度
d1

1.2mm
,曲线部
10c1b
的曲率半径为
0.2mm
,边缘面部
10c2
的算术平均粗糙度
ra

0.40
μm,表面的算术平均粗糙度
ra

0.9nm。
能够防止由玻璃主表面的表面粗糙度大所导致的成膜工序中的膜剥离

由此,能够提高端部的检测性

66.作为一个例子,玻璃基板
10
优选为,厚度d为
1.5mm
,边缘面部
10c2
的宽度w为
0.1mm
,边缘面部
10c2
的角度
θ

45
°
,直线部
10c1a
的长度
d1

1.1mm
,曲线部
10c1b
的曲率半径为
0.3mm
,边缘面部
10c2
的算术平均粗糙度
ra

0.40
μm,表面的算术平均粗糙度
ra

0.9nm。
由此,能够增大主表面的面积,而使玻璃基板的半导体器件搭载个数最大化

67.(
玻璃基板的杨氏模量
)
68.玻璃基板
10
的杨氏模量优选为
50gpa
以上,更优选为
70gpa
以上,进一步优选为
75gpa
以上

另外,玻璃基板
10
的杨氏模量优选为
150gpa
以下,更优选为
130gpa
以下,进一步优选为
120gpa
以下

通过使杨氏模量处于该范围,能够抑制玻璃基板的刚性降低,抑制玻璃基板的形状变化,因此能够抑制半导体器件的制造性恶化

其中,这里的玻璃基板
10
的杨氏模量可以使用利用
olympus
公司制的
38dl plus
并基于超声波的传播而测定出的值

69.(
玻璃基板的平均热膨胀系数
)
70.对于玻璃基板
10
而言,在
50℃

200℃
下的平均热膨胀系数
cte
优选为
3ppm/℃
以上且
12ppm/℃
以下,更优选为
3.2ppm/℃
以上且
10ppm/℃
以下

通过使平均热膨胀系数
cte
处于该范围,能够抑制玻璃基板
10
的破损

其中,平均热膨胀系数
cte
能够依照作为热膨胀
测定的规格的
din-51045-1
来测定

具体而言,针对样本,作为测定装置使用
netzsch
公司的
dilatometer(dil402expedis)
,在
30

300℃
的范围进行测定,可以将其中
50

200℃
的范围的平均热膨胀系数设为平均热膨胀系数
cte。
71.(
玻璃基板的光的透过率
)
72.玻璃基板
10
的波长为
300nm
以上且
1100nm
以下的光的平均透过率优选为
50
%以上,更优选为
60
%以上

另外,玻璃基板
10
的波长为
500nm
以上且
1100nm
以下的光的平均透过率优选为
80
%以上,更优选为
90
%以上

通过使对该波段的光的透过率处于该范围,能够适当地制造半导体器件

透过率例如能够通过使用紫外可见分光光度计
((

)
日立高新技术公司制
(u-4150

))
测定分光透过率曲线来测定

所谓平均透过率,是指对其波长带
(
这里为
300nm

1100nm、500nm

1000nm)
的各波长的光的透过率的平均值

73.(
玻璃基板的组成
)
74.玻璃基板
10
优选为以氧化物基准的质量%
(wt

)
计,含有以下化合物

通过将玻璃基板
10
设为以下组成,能够适当地支承部件

75.sio2:优选为
40wt
%以上且
75wt
%以下,更优选为
50wt
%以上且
75wt
%以下
76.al2o3:优选为
0wt
%以上且
20wt
%以下,更优选为
0wt
%以上且
15wt
%以下
77.b2o3:优选为
0wt
%以上且
20wt
%以下,更优选为
0wt
%以上且
10wt
%以下
78.mgo
:优选为
0wt
%以上且
25wt
%以下
79.cao
:优选为
0wt
%以上且
25wt
%以下,更优选为
0wt
%以上且
15wt
%以下
80.sro
:优选为
0wt
%以上且
10wt
%以下
81.bao
:优选为
0wt
%以上且
20wt
%以下,更优选为
0wt
%以上且
15wt
%以下
82.li2o
:优选为
0wt
%以上且
40wt
%以下
83.na2o
:优选为
0wt
%以上且
15wt
%以下
84.k2o
:优选为
0wt
%以上且
10wt
%以下
85.zro2:优选为
0wt
%以上且
10wt
%以下,更优选为
0wt
%以上且
8wt
%以下,进一步优选为
0wt
%以上且
5wt
%以下
86.tio2:优选为
0wt
%以上且
5wt
%以下
87.y2o3:优选为
0wt
%以上且
10wt
%以下
88.玻璃基板
10
由于是以上那样的结构,所以抑制了尺寸精度的降低,而适合作为支承半导体器件的玻璃基板

89.此外,对于玻璃基板
10
而言,可以将
wo2018/150759
所记载的标记设置于玻璃基板
10
的任意场所

90.(
玻璃基板的制造方法
)
91.接下来,对本实施方式所涉及的玻璃基板
10
的制造方法进行说明

图5是说明本实施方式所涉及的玻璃基板的制造方法的示意图

在本制造方法中,如图5所示,准备玻璃母板
10a
,对玻璃母板
10a
进行切断加工而生成玻璃坯板
10b
,对玻璃坯板
10b
的表面进行研磨而生成玻璃板
10c
,对玻璃板
10c
的表面进一步进行研磨并且进行端面加工,由此制造玻璃基板
10。
92.以下,对本实施方式所涉及的玻璃基板
10
的制造方法更具体地进行说明

图6是说明本实施方式所涉及的玻璃基板的制造方法的流程图

93.(
玻璃母板生成步骤
)
94.如图6所示,在本制造方法中,生成玻璃母板
10a(
步骤
s10
;玻璃母板生成步骤
)。
玻璃母板
10a
是成为玻璃基板
10
的母材的板状玻璃

在本实施方式中,例如,可以在玻璃母板生成步骤中,经由浮法

熔融法

铸锭成形等任意的玻璃溶解成形手法

以及必要时经由切片等机械加工,使玻璃原料成为玻璃状态,而生成所希望的组成的玻璃母板
10a。
另外,虽然在玻璃母板生成步骤中,可以生成任意大小的玻璃母板
10a
,但是,例如,可以生成一个边的长度为
300mm
以上且
1000mm
以下,厚度为
0.5mm
以上且
4mm
以下的玻璃母板
10a。
95.(
玻璃母板测定步骤
)
96.接下来,在本制造方法中,测定所生成的玻璃母板
10a
的厚度

厚度偏差以及翘曲量
(
步骤
s12
;玻璃母板测定步骤
)。
在玻璃母板测定步骤中,例如,对沿着玻璃母板
10a
的表面
(
主面
)
的平面上的每个位置
(
坐标
)
测定厚度,可以将每个位置的厚度的平均值设为玻璃母板
10a
的厚度

但是,玻璃母板
10a
的厚度并不局限于每个位置的厚度的平均值

例如,可以将玻璃母板
10a
的中央位置等规定位置处的厚度设为玻璃母板
10a
的厚度,也可以将每个位置的厚度的最大值

最小值设为玻璃母板
10a
的厚度

其中,对厚度的测定可以使用激光位移仪

97.在玻璃母板测定步骤中,测定玻璃母板
10a
的厚度偏差

厚度偏差是指沿着玻璃母板
10a
的表面的平面上的每个位置的
(
每个坐标的
)
厚度的偏差

例如,可以对沿着玻璃母板
10a
的表面的平面上的每个位置
(
坐标
)
测定厚度,并将这些每个位置的厚度中的最大值与最小值的差分设为厚度偏差

98.在玻璃母板测定步骤中,测定玻璃母板
10a
的翘曲量

玻璃母板
10a
的翘曲量是指除了由自重引起的挠曲以外的情况下的翘曲量

玻璃母板
10a
的翘曲量为如下值:即,以与图3的说明相同的方法通过支承部件b支承玻璃母板
10a
的一方的表面的情况

和以与图3的说明相同的方法通过支承部件b支承玻璃母板
10a
的另一方的表面的情况下的沿着玻璃母板
10a
的表面的平面上的每个位置的
(
每个坐标的
)
挠曲量的差分中的最大值除以2而得的值

即,将使玻璃母板
10a
的一方的表面朝向铅垂方向下方且通过支承部件b支承的情况下的沿着玻璃母板
10a
的表面的平面上的位置
(
坐标
)i
处的挠曲量设为
taa(i),将使玻璃母板
10a
的另一方的表面朝向铅垂方向下方且通过支承部件b支承的情况下的沿着玻璃母板
10a
的表面的平面上的位置
(
坐标
)i
处的挠曲量设为
tba(i)。
然后,将每个位置i的挠曲量
taa(i)与挠曲量
tba(i)的差分中的值最大的差分设为
max(taa
(i)-tba(i))。
在该情况下,玻璃母板
10a
的翘曲量
δ
ta
如下式
(2)
那样求出

即,翘曲量
δ
ta

max(taa
(i)-tba(i))
的绝对值除以2而得的值

99.δ
ta

|max(taa
(i)-tba(i))|/2
···
(2)
100.(
玻璃母板分选步骤
)
101.接下来,在本制造方法中,基于测定出的玻璃母板
10a
的厚度,分选玻璃母板
10a(
步骤
s14
:玻璃母板分选步骤
)。
即,在玻璃母板分选步骤中,按厚度划分多个玻璃母板
10a。
例如,在玻璃母板分选步骤中,预先将玻璃母板
10a
可取的厚度的上限值与下限值之间划分为多个数值范围,将该玻璃母板
10a
分配到在范围中包含成为分选对象的玻璃母板
10a
的厚度的数值范围组

在玻璃母板分选步骤中,对多个玻璃母板
10a
分别进行同样的分选,将多个玻璃母板
10a
分别分配到任一组

其中,在玻璃母板
10a
的厚度处于上限值与下限值之间
的范围外的情况下,也可以作为不合格品排除在外

通过这样基于厚度来分选玻璃母板
10a
,例如能够按每个组决定研磨余量,因此能够减小所制造的每个玻璃基板
10
的厚度的差异

102.这样,在本实施方式中,使用测定出的厚度

厚度偏差以及翘曲量中的厚度来分选玻璃母板
10a。
但并不局限于此,也可以使用厚度偏差以及翘曲量来分选玻璃母板
10a。
即,在玻璃母板分选步骤中,可以基于厚度

厚度偏差以及翘曲量中的至少一个来分选玻璃母板
10a。
其中,基于厚度偏差

翘曲量的分选也可以通过与基于厚度进行的分选同样的方法进行

即,例如,预先将厚度偏差

翘曲量可取的上限值与下限值之间划分为多个数值范围,并将该玻璃母板
10a
分配到在范围中包含成为分选对象的玻璃母板
10a
的厚度偏差

翘曲量的数值范围组

103.(
玻璃坯板生成步骤
)
104.接下来,在本制造方法中,切断玻璃母板
10a
而生成玻璃坯板
10b(
步骤
s16
;玻璃坯板生成步骤
)。
在玻璃坯板生成步骤中,通过机械加工切断玻璃母板
10a
而生成多个玻璃坯板
10b。
玻璃坯板
10b
可称为研磨前的玻璃基板

在玻璃坯板生成步骤中,可以用任意的方法切断玻璃母板
10a
,例如可以使用基于激光进行的激光加工

基于金刚石砂轮进行的机械加工等

另外,在玻璃坯板生成步骤中,可以生成任意大小的玻璃坯板
10b
,但是例如可以生成一个边的长度为
300mm
以上且
1000mm
以下,厚度为
0.5mm
以上且
4mm
以下的玻璃坯板
10b。
105.(
第一研磨条件设定步骤
)
106.接下来,在本制造方法中,基于玻璃母板
10a
的厚度

厚度偏差以及翘曲量,设定玻璃坯板
10b
的第一研磨条件
(
步骤
s18
;第一研磨条件设定步骤
)。
所谓第一研磨条件,是指用于研磨玻璃坯板
10b
的表面的研磨条件,且是用于使玻璃母板
10a
的厚度

厚度偏差以及翘曲量成为规定的水准的研磨条件

在第一研磨条件设定步骤中,对每个玻璃坯板
10b
,设定第一研磨条件

通过基于厚度

厚度偏差以及翘曲量来设定第一研磨条件,能够抑制所制造的玻璃基板
10
的尺寸精度的降低

107.更具体而言,在第一研磨条件设定步骤中,基于玻璃母板
10a
的厚度,来决定作为第一研磨条件的玻璃坯板
10b
的研磨余量

研磨余量是指欲通过研磨来除去的玻璃坯板
10b
的厚度,也称为研磨前的玻璃坯板
10b
的厚度与研磨后的玻璃坯板
10b
的厚度的差分值

进一步而言,在第一研磨条件设定步骤中,基于玻璃母板分选步骤中的分选结果
(
分选出的组
)
,决定研磨余量

即,对玻璃母板
10a
的每个厚度组预先设定研磨余量,在第一研磨条件设定步骤中,将针对与此后将要研磨的玻璃坯板
10b
对应的玻璃母板
10a
的组而设定的研磨余量,设定为作为第一研磨条件的研磨余量

108.另外,在第一研磨条件设定步骤中,基于玻璃母板
10a
的厚度偏差以及翘曲量来决定玻璃坯板
10b
的研磨方法

所谓研磨方法,是指表示如何对玻璃坯板
10b
进行研磨的研磨条件

作为研磨方法,例如,可列举研磨垫对玻璃坯板
10b
施加的载荷值

研磨垫的转速等

例如增加厚度大的部位的研磨载荷值,而选择性地增加厚度大的部位的研磨量

109.其中,步骤
s14
~步骤
s18
的执行顺序并不局限于该顺序,而是任意的

例如,可以在执行例如步骤
s16
之后执行步骤
s14、s18
,也可以在执行了步骤
s14、s18
后执行步骤
s16。
110.(
第一研磨步骤
)
111.在设定了第一研磨条件之后,在本制造方法中,以第一研磨条件对玻璃坯板
10b

行研磨而生成玻璃板
10c(
步骤
s20
;第一研磨步骤
)。
在第一研磨步骤中,以第一研磨条件对玻璃坯板
10b
的表面进行研磨

即,在第一研磨步骤中,通过被设定为第一研磨条件的研磨方法,以通过研磨除去被设定为第一研磨条件的研磨余量的方式对玻璃坯板
10b
的表面进行研磨而得到玻璃板
10c。
其中,在第一研磨步骤中,对玻璃坯板
10b
的一方的表面
(
一方的主面
)
和另一方的表面
(
另一方的主面
)
这两面进行研磨,但并不局限于此,只要对一方的表面和另一方的表面中的至少一方进行研磨即可

在第一研磨步骤中,可以生成任意厚度的玻璃板
10c
,但是,例如可以使得玻璃板
10c
的厚度成为
0.5mm
以上且
4mm
以下的方式进行研磨

其中,玻璃坯板
10b
的研磨方式可以是任意的,例如也可以使用精密研磨

表面磨削

112.当生成玻璃板
10c
之后,在本制造方法中,测定玻璃板
10c
的厚度

厚度偏差以及翘曲量
(
步骤
s22
;玻璃板测定步骤
)。
在玻璃板测定步骤中,例如可以对沿着玻璃板
10c
的表面
(
主面
)
的平面上的每个位置
(
坐标
)
测定厚度,并将每个位置的厚度的平均值设为玻璃板
10c
的厚度

但是,玻璃板
10c
的厚度并不局限于每个位置的厚度的平均值

例如,可以将玻璃板
10c
的中央位置等规定位置处的厚度设为玻璃板
10c
的厚度,也可以将每个位置的厚度的最大值

最小值设为玻璃板
10c
的厚度

113.在玻璃板测定步骤中,测定玻璃板
10c
的厚度偏差

厚度偏差是指沿着玻璃板
10c
的表面的平面上的每个位置的
(
每个坐标的
)
厚度的偏差

例如,可以对沿着玻璃板
10c
的表面的平面上的每个位置
(
坐标
)
测定厚度,并将这些每个位置的厚度中的最大值与最小值的差分设为厚度偏差

114.在玻璃板测定步骤中,测定玻璃板
10c
的翘曲量

玻璃板
10c
的翘曲量是指除了由自重引起的挠曲以外的情况下的翘曲量

玻璃板
10c
的翘曲量为如下值:即,在以与图3的说明相同的方法通过支承部件b支承玻璃板
10c
的一方的表面的情况

和以与图3的说明相同的方法通过支承部件b支承玻璃板
10c
的另一方的表面的情况下的沿着玻璃板
10c
的表面的平面上的每个位置的
(
每个坐标的
)
挠曲量的差分中的最大值除以2而得的值

即,将使玻璃板
10c
的一方的表面朝向铅垂方向下方且通过支承部件b支承的情况下的沿着玻璃板
10c
的表面的平面上的位置
(
坐标
)i
处的挠曲量设为
tab(i),将使玻璃板
10c
的另一方的表面朝向铅垂方向下方且通过支承部件b进行支承的情况下的沿着玻璃板
10c
的表面的平面上的位置
(
坐标
)i
处的挠曲量设为
tbb(i)。
然后,将每个位置i的挠曲量
tab(i)与挠曲量
tbb(i)的差分中的值最大的差分设为
max(tab
(i)-tbb(i))。
在该情况下,玻璃板
10c
的翘曲量
δ
tb
如下式
(3)
那样求出

即,翘曲量
δ
tb

max(taa
(i)-tba(i))
的绝对值除以2而得的值

115.δ
tb

|max(tab
(i)-tbb(i))|/2
···
(3)
116.(
玻璃板分选步骤
)
117.接下来,在本制造方法中,基于测定出的玻璃板
10c
的厚度,分选玻璃板
10c(
步骤
s24
:玻璃板分选步骤
)。
即,在玻璃板分选步骤中,按每个厚度划分多个玻璃板
10c。
例如,在玻璃板分选步骤中,预先将玻璃板
10c
可取的厚度的上限值与下限值之间划分为多个数值范围,并将该玻璃板
10c
分配到在范围中包含成为分选对象的玻璃板
10c
的厚度的数值范围组

在玻璃板分选步骤中,对多个玻璃板
10c
分别进行相同的分选,将多个玻璃板
10c
分别分配到任一组

其中,在玻璃板
10c
的厚度处于上限值与下限值之间的范围外的情况下,也可以作为不合格品排除在外

通过这样基于厚度来分选玻璃板
10c
,例如能够按每个组决定研磨余量,因此能够使所制造的玻璃基板
10
的厚度稳定化

118.这样,在本实施方式中,使用测定出的厚度

厚度偏差以及翘曲量中的厚度来分选玻璃板
10c。
但并不局限于此,也可以使用厚度偏差以及翘曲量来分选玻璃板
10c。
即,在玻璃板分选步骤中,可以基于厚度

厚度偏差以及翘曲量中的至少一个来分选玻璃板
10c。
其中,基于厚度偏差

翘曲量的分选也可以通过与基于厚度进行的分选同样的方法进行

即,例如,预先将厚度偏差

翘曲量可取的上限值与下限值之间划分为多个数值范围,并将该玻璃板
10c
分配到在范围中包含成为分选对象的玻璃板
10c
的厚度偏差

翘曲量的数值范围组

119.(
第二研磨条件设定步骤
)
120.接下来,在本制造方法中,基于玻璃板
10c
的厚度

厚度偏差以及翘曲量,设定玻璃板
10c
的第二研磨条件
(
步骤
s26
;第二研磨条件设定步骤
)。
所谓第二研磨条件,是指用于研磨玻璃板
10c
的表面的研磨条件,且是用于使玻璃板
10c
的厚度

厚度偏差以及翘曲量成为规定水准的研磨条件

在第二研磨条件设定步骤中,对每个玻璃板
10c
,设定第二研磨条件

通过基于厚度

厚度偏差以及翘曲量来设定第二研磨条件,能够抑制所制造的玻璃基板
10
的尺寸精度的降低

121.更具体而言,在第二研磨条件设定步骤中,基于玻璃板
10c
的厚度来决定作为第二研磨条件的玻璃板
10c
的研磨余量

进一步而言,在第二研磨条件设定步骤中,基于玻璃板分选步骤中的分选结果
(
分选出的组
)
,决定研磨余量

即,对玻璃板
10c
的每个厚度组预先设定研磨余量,在第二研磨条件设定步骤中,将针对与此后将要研磨的玻璃板
10c
的组而设定的研磨余量,设定为作为第二研磨条件的研磨余量

122.另外,在第二研磨条件设定步骤中,基于玻璃板
10c
的厚度偏差以及翘曲量来决定玻璃板
10c
的研磨方法

所谓研磨方法,是指表示如何对玻璃板
10c
进行研磨的研磨条件

作为研磨方法,例如可列举研磨垫对玻璃板
10c
施加的载荷值

研磨垫的转速等

123.(
端面加工步骤
)
124.接下来,在本制造方法中,对玻璃板
10c
的端面
(
侧面
)
进行加工
(
步骤
s28
;端面加工步骤
)。
具体而言,在端面加工步骤中,对玻璃板
10c
的端面实施倒角加工,而在玻璃板
10c
的端面形成边缘面部
10c2。
由此,在玻璃板
10c
的端面形成端面部
10c1
和边缘面部
10c2。
倒角加工可以用任意的方法进行,但是例如可以使旋转磨石与端面接触来进行倒角加工,也可以通过药液处理来进行倒角加工

另外,在端面加工步骤中,也可以对端面部
10c1
进行研磨

125.其中,步骤
s26、s28
的顺序是任意的,例如也可以先执行步骤
s28
,之后执行步骤
s26。
126.(
第二研磨步骤
)
127.接下来,在本制造方法中,以第二研磨条件对玻璃板
10c
进行研磨而生成玻璃基板
10(
步骤
s30
;第二研磨步骤
)。
由此,制造本实施方式中说明的玻璃基板
10。
在第二研磨步骤中,以第二研磨条件对玻璃板
10c
的表面进行研磨

即,在第二研磨步骤中,通过被设定为第二研磨条件的研磨方法,以通过研磨除去被设定为第二研磨条件的研磨余量的方式对玻璃板
10c
的表面进行研磨而成为玻璃基板
10。
在第二研磨步骤中,对玻璃板
10c
的一方的表面
(
一方的主面
)
和另一方的表面
(
另一方的主面
)
这两面进行研磨

其中,对玻璃板
10c
的研磨方式可以是任意的,例如也可以使用基于氧化铈进行的研磨

128.(
清洗步骤
)
129.当制造出玻璃基板
10
之后,清洗玻璃基板
10(
步骤
s32
;清洗步骤
)。
清洗方法可以是任意,但是例如可以使用基于碱性洗涤剂进行的清洗

超声波清洗以及擦洗中的至少一个

130.(
检查步骤
)
131.当清洗玻璃基板
10
之后,检查玻璃基板
10(
步骤
s34
;检查步骤
)。
在检查步骤中,测定玻璃基板
10
的尺寸等来检查玻璃基板
10。
132.(
效果
)
133.如以上说明那样,在本实施方式所涉及的玻璃基板
10
的制造方法中,生成玻璃母板
10a(
玻璃母板生成步骤
)
,测定玻璃母板
10a
的厚度

厚度偏差以及翘曲量
(
玻璃母板测定步骤
)
,基于玻璃母板
10a
的厚度来分选玻璃母板
10a(
玻璃母板分选步骤
)
,切断分选出的玻璃母板
10a
而生成多个玻璃坯板
10b(
玻璃坯板生成步骤
)
,基于玻璃母板
10a
的厚度

厚度偏差以及翘曲量来设定玻璃坯板
10b
的第一研磨条件
(
第一研磨条件设定步骤
)
,基于第一研磨条件研磨玻璃坯板
10b
的表面而生成玻璃板
10c(
第一研磨步骤
)
,测定玻璃板
10c
的厚度

厚度偏差以及翘曲量
(
玻璃板测定步骤
)
,基于玻璃板
10c
的厚度来分选玻璃板
10c(
玻璃板分选步骤
)
,基于玻璃板
10c
的厚度

厚度偏差以及翘曲量来设定玻璃板
10c
的第二研磨条件
(
第二条件设定步骤
)
,基于第二研磨条件研磨分选出的玻璃板
10c
的表面而生成边的长度为
300mm
以上且厚度为
0.5mm
以上的矩形的玻璃基板
10。
134.这里,支承半导体器件的玻璃基板要求厚度

翘曲等尺寸精度

但是,支承半导体器件的玻璃基板由于厚度

面积比较大,所以有时难以确保高的尺寸精度

对此,根据本制造方法,通过基于厚度分选玻璃母板
10a、
玻璃板
10c
,能够减小每个玻璃基板
10
的厚度的差异,并基于厚度

厚度偏差以及翘曲量来设定第一研磨条件以及第二研磨,从而能够将厚度以及厚度偏差设为适当的值,抑制尺寸精度的降低

135.另外,在本制造方法中,作为玻璃坯板
10b
的第一研磨条件,优选为基于玻璃母板
10a
的分选结果来设定玻璃坯板
10b
的研磨余量,基于玻璃母板
10a
的厚度偏差以及翘曲量来设定研磨方法

另外,在本制造方法中,作为玻璃板
10c
的第二研磨条件,优选为基于玻璃板
10c
的分选结果来设定玻璃板
10c
的研磨余量,基于玻璃板
10c
的厚度偏差以及翘曲量来设定研磨方法

本制造方法根据基于厚度进行的分选结果来决定研磨余量,并根据厚度偏差

翘曲量来决定研磨方法,因此能够更适于抑制尺寸精度的降低

136.另外,在本制造方法中,在对玻璃板
10c
的表面进行研磨之后
(
第一研磨
)
,对玻璃板
10c
的端面进行加工
(
端面加工步骤
)。
根据本制造方法,由于对第一研磨之后的端面进行加工,所以能够使板厚变动的影响最小化,还能够抑制端面形状的尺寸精度的降低

137.另外,本实施方式所涉及的玻璃基板
10
优选为支承半导体器件,呈边的长度
l

300mm
以上的矩形形状,厚度d为
0.7mm
以上,翘曲量
δ
t

1mm
以下,厚度d为
0.5mm
以上且
4.0mm
以下,厚度d的偏差为5μm以下,在
50mm
×
50mm
中的
ltv(local thickness variation)
为2μm以下,边缘面部
10c2
的宽度w为
1mm
以下,在边缘面
10c2
与端面部
10c1(
直线部
10c1a)
的边界区域
(
曲线部
10c1b)
的曲率最小的区域中,由任意的三个点形成的曲率半径为
0.05mm
以上

通过使玻璃基板
10
呈该形状,从而抑制了尺寸精度的降低,适合作为半导体器件的支承基板

其中,这样的玻璃基板
10
优选为用本实施方式中说明的制造方法来制造,但
并不局限于此,也可以用任意的方法来制造

138.(
实施例
1)
139.接下来,对实施例1进行说明

表1是表示各例的表

在各例中,玻璃基板的制造工序不同

140.[

1]
[0141][0142]
(

1)
[0143]
在例1中,实施玻璃母板生成步骤,以使玻璃母板的组成处于本实施方式的玻璃基板
10
的组成的范围内的方式生成了玻璃母板

然后,实施玻璃母板分选步骤,基于厚度对玻
璃母板进行了分选

另外,实施第一研磨条件设定步骤,基于玻璃母板的厚度

厚度偏差

翘曲量,设定了玻璃坯板的第一研磨条件

然后,实施玻璃坯板生成步骤,切断玻璃母板而生成了玻璃坯板

然后,实施第一研磨步骤,对玻璃坯板进行研磨而生成了玻璃板

在第一研磨步骤中,基于第一研磨条件对玻璃坯板进行了研磨

然后,实施玻璃板分选步骤,基于厚度对玻璃板进行了分选

另外,实施第二研磨条件设定步骤,基于玻璃板的厚度

厚度偏差

翘曲量,设定了玻璃板的第二研磨条件

另外,实施端面加工步骤,对玻璃板的端面进行了加工

然后,实施第二研磨步骤,对玻璃板进行研磨而生成了玻璃基板

在第二研磨步骤中,基于第二研磨条件对玻璃板进行了研磨

[0144]
(

2)
[0145]
在例2中,不实施玻璃母板分选步骤

第一研磨条件设定步骤

玻璃板分选步骤以及第二研磨条件设定步骤

即,在例2中,不基于玻璃母板以及玻璃板的厚度

厚度偏差

翘曲量来决定研磨条件

另外,在例2中,也不执行端面加工步骤

除此以外,以与例1同样的条件生成了玻璃基板

[0146]
(

3)
[0147]
在例3中,不实施玻璃板分选步骤以及第二研磨条件设定步骤

即,在例3中,不基于玻璃板的厚度

厚度偏差

翘曲量来决定第二研磨条件

另外,在例3中,也不执行端面加工步骤

除此以外,以与例1同样的条件生成了玻璃基板

[0148]
(

4)
[0149]
在例4中,不实施玻璃母板分选步骤

第一研磨条件设定步骤

玻璃板分选步骤以及第二研磨条件设定步骤

即,在例4中,不基于玻璃母板以及玻璃板的厚度

厚度偏差

翘曲量来决定研磨条件

除此以外,以与例1同样的条件生成了玻璃基板

[0150]
(

5)
[0151]
在例5中,不实施玻璃板分选步骤以及第二研磨条件设定步骤

即,在例5中,不基于玻璃板的厚度

厚度偏差

翘曲量来决定第二研磨条件

除此以外,以与例1同样的条件生成了玻璃基板

[0152]
(

6)
[0153]
在例6中,不实施玻璃母板分选步骤以及第一研磨条件设定步骤

即,在例6中,不基于玻璃母板的厚度

厚度偏差来决定第一研磨条件

除此以外,以与例1同样的条件生成了玻璃基板

[0154]
(
形状测定
)
[0155]
各例中所生成的玻璃基板的翘曲量

厚度

厚度的偏差
、ltv、
边缘面部的宽度

以及曲线部的曲率半径分别是指本实施方式中说明的翘曲量
δ
t、
厚度
d、
厚度d的偏差


50mm
×
50mm
中的
ltv、
边缘面部
10c2
的宽度
w、
以及曲线部
10c1b
的曲率半径,测定方法也与本实施方式中的说明相同

其中,例2~例6的玻璃基板对设备造成影响的可能性高,无法测定一部分的形状

[0156]
(
评价
)
[0157]
在厚度的评价中,将厚度为
1.49mm
以上且
1.51mm
以下的情况记为圆,将该范围外的板厚的情况记为叉

另外,作为厚度偏差的评价,将厚度偏差为5μm以下的情况记为圆,将大于5μm且
10
μm以下的情况记为三角,将大于
10
μm的情况记为叉

另外,在各例的玻璃基板
设置半导体器件,并评价能否进行半导体器件的制造工序的流动

将能够进行制造工序的流动的情况记为圆,将无法进行流动的情况记为叉

将厚度

厚度偏差以及工序流动全部为圆的情况作为合格

[0158]
在作为实施例的例1中,厚度

厚度偏差全部为圆,可知抑制了尺寸精度的降低

另外,例1的玻璃基板由于厚度

厚度偏差处于适当的范围,所以在工序流动中未产生特殊的问题,而适合作为支承基板

另一方面,在作为比较例的例2~例6中,厚度

厚度偏差的至少一个为圆以外的标记,可知尺寸精度降低

另外,例
2、
例3的玻璃基板由于厚度

厚度偏差不处于适当的范围,且存在没有边缘面部的区域,所以无法进行端面识别,无法进行一部分的形状测定,无法进行工序流动

另外,例4~例6的玻璃基板由于厚度偏差大,无法进行一部分的形状测定,无法正确设置器件,因此无法进行工序流动

[0159]
另外,作为选项的评价,还对端面形状进行了评价

将图
2b
中的直线部
10c1a
的z方向的长度
d1

0.1mm
以上且
0.5mm
以下的情况记为圆,将直线部
10c1a
的z方向的长度
d1
小于
0.1mm
或大于
0.5mm
的情况记为叉

在例
1、
例4~例6中,由于执行了端面加工步骤,所以抑制了端面形状的尺寸精度的降低,因此优选

[0160]
以上,对本发明的实施方式进行了说明,但实施方式并不由该实施方式的内容限定

另外,在上述的构成要素中包括本领域技术人员能够容易地想到

实质上相同的所谓的等同范围内的构成要素

并且,可以适当地组合上述的构成要素

并且,可以在不脱离上述实施方式的主旨的范围内进行构成要素的各种省略

置换或变更

[0161]
附图标记说明
[0162]
10...
玻璃基板;
10a...
玻璃母板;
10b...
玻璃坯板;
10c...
玻璃板;
10a、10b...
表面;
10c...
端面;
10c1...
端面部;
10c2...
边缘面部

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