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文档序号:36175673发布日期:2023-11-25 01:53阅读:4795来源:国知局
显示装置的制作方法

1.本公开涉及一种显示装置



背景技术:

2.随着多媒体技术的发展,显示装置变得越来越重要

因此,已经使用了诸如有机发光二极管
(oled)
显示装置和液晶显示
(lcd)
装置等的各种显示装置

3.通常,显示图像的显示装置可以包括诸如
oled
显示面板或
lcd
面板的显示面板

显示面板
(
具体地,发光元件显示面板
)
包括发光元件

例如,发光二极管
(led)
可以包括使用有机材料作为发光材料的
oled
和使用无机材料作为发光材料的无机发光二极管
(iled)。


技术实现要素:

4.技术问题
5.本公开的方面提供了一种能够改善亮度并减少掩模工艺的数量的显示装置以及一种制造该显示装置的方法

6.然而,本公开的方面不限于这里阐述的方面

通过参照下面给出的本公开的详细描述,本公开的以上和其他方面对于本公开所属领域的普通技术人员将变得更加明显

7.技术方案
8.根据本公开的实施例,显示装置包括:第一电极和第二电极,设置在基底上,第一电极和第二电极在一个方向上延伸并且彼此平行;第一绝缘层,设置在第一电极和第二电极上;多个发光元件,设置在第一绝缘层上,发光元件具有设置在第一电极上的第一端部和设置在第二电极上的第二端部;以及分隔件,设置在第一绝缘层上以与第一电极平行,分隔件包括与发光元件叠置的第一部分和不与发光元件叠置的第二部分,其中,从第一电极的顶表面到第一部分的顶表面的竖直距离与从第一电极的顶表面到第二部分的顶表面的竖直距离相同

9.第二部分包括:第一延伸部;以及第二延伸部,第一延伸部和第二延伸部设置为彼此相邻,并且发光元件设置在第一延伸部与第二延伸部之间

10.第一部分设置在第一延伸部与第二延伸部之间

11.第一延伸部与第一电极叠置,并且第二延伸部与第二电极叠置

12.第一部分和第二部分与发光元件延伸所沿的方向交叉

13.分隔件还包括第三部分,第三部分在与第一电极交叉的方向上延伸并且使第一部分和第二部分连接

14.第三部分包括第一连接件和第二连接件,第一连接件设置在第一部分的一侧,第二连接件设置在第一部分的另一侧

15.第一连接件和第二连接件平行于发光元件延伸所沿的方向布置,并且不与发光元件叠置

16.显示装置还包括:堤,设置在第一绝缘层上,并且将其中设置有发光元件的发射区
域分开

17.分隔件设置在发射区域中并且不与堤叠置

18.从第一电极的顶表面到第一部分的顶表面的竖直距离与从第一电极的顶表面到堤的顶表面的竖直距离相同

19.从第一电极的顶表面到第一部分的顶表面的竖直距离大于从第一电极的顶表面到堤的顶表面的竖直距离

20.堤以及分隔件的第一部分和第二部分直接设置在第一绝缘层上并且与第一绝缘层接触

21.根据本公开的实施例,显示装置包括:第一电极和第二电极,设置在基底上,第一电极和第二电极在一个方向上延伸并且彼此平行;第一绝缘层,设置在第一电极和第二电极上;多个发光元件,设置在第一绝缘层上,发光元件具有设置在第一电极上的第一端部和设置在第二电极上的第二端部;分隔件,设置在第一绝缘层上以与第一电极平行,分隔件包括与发光元件叠置的第一部分和不与发光元件叠置的第二部分;以及反射层,至少设置在第二部分的侧表面上,其中,从第一电极的顶表面到第一部分的顶表面的竖直距离与从第一电极的顶表面到第二部分的顶表面的竖直距离相同

22.第二部分包括第一延伸部和第二延伸部,第一延伸部和第二延伸部设置为彼此相邻,并且发光元件设置在第一延伸部与第二延伸部之间,并且反射层设置在第一延伸部和第二延伸部的与发光元件相邻的侧表面上

23.反射层设置为彼此面对且发光元件置于反射层之间

24.分隔件还包括第三部分,第三部分在与第一电极交叉的方向上延伸并且使第一部分和第二部分连接

25.第三部分包括第一连接件和第二连接件,第一连接件设置在第一部分的一侧,第二连接件设置在第一部分的另一侧,并且反射层设置为沿着第一连接件和第二连接件的侧表面延伸

26.反射层中的一个与第一电极叠置,反射层中的另一个与第二电极叠置,并且反射层与第一连接件和第二连接件间隔开

27.第一延伸部

第二延伸部和第一部分彼此间隔开

28.显示装置还包括:第一连接电极,设置在发光元件上,第一连接电极与发光元件的第一端部接触;以及第二连接电极,设置在发光元件上,第二连接电极与发光元件的第二端部接触

29.其他特征和实施例可以通过以下详细描述和附图而明显

30.有益效果
31.在根据本实施例的显示装置中,由于分隔件设置在多个电极和发光元件上,因此可以增大可以施用到每个子像素的发射区域中的墨的体积

结果,可以增大可以在每个子像素的发射区域中对准的发光元件的数量,因此可以改善亮度

32.此外,由于分隔件经由干蚀刻形成为具有大的锥角,所以可以减小分隔件的高度,结果,可以减小盒间隙

因此,可以实现薄的显示装置

33.此外,由于反射层设置在分隔件的多个部分的侧表面上,所以可以在向上方向上反射由发光元件发射的光,因此可以改善亮度

34.此外,由于通过单个掩模工艺同时形成分隔件的多个部分,所以可以减少掩模工艺的数量

35.根据实施例的效果不受上面例示的内容的限制,并且更多各种效果包括在本公开中

附图说明
36.图1是根据本公开的实施例的显示装置的平面图

37.图2是图1的显示装置的像素的剖视图

38.图3是图1的显示装置的像素的平面图

39.图4是图1的显示装置的子像素的等效电路图

40.图5是图3的第一子像素的平面图

41.图6是沿着图5的线
q1-q1'、
线
q2-q2'
和线
q3-q3'
截取的剖视图

42.图7是沿着图5的线
q4-q4'
截取的剖视图

43.图8是沿着图5的线
q1-q1'、
线
q2-q2'
和线
q3-q3'
截取的剖视图

44.图9是沿着图5的线
q1-q1'、
线
q2-q2'
和线
q3-q3'
截取的剖视图

45.图
10
是根据本公开的实施例的发光元件的透视图

46.图
11
至图
17
是示出根据本公开的实施例的制造显示装置的方法的剖视图或平面图

47.图
18
是根据本公开的另一实施例的显示装置的子像素的平面图

48.图
19
是沿着图
18
的线
q5-q5'
截取的剖视图

49.图
20
是沿着图
18
的线
q5-q5'
截取的剖视图

50.图
21
是根据本公开的另一实施例的显示装置的子像素的平面图

51.图
22
是沿着图
21
的线
q6-q6'
截取的剖视图

52.图
23
是根据本公开的另一实施例的显示装置的像素的平面图

53.图
24
是根据本公开的另一实施例的显示装置的像素的平面图

54.图
25
是根据本公开的另一实施例的显示装置的子像素的平面图

55.图
26
是沿着图
25
的线
q7-q7'
截取的剖视图

56.图
27
是沿着图
25
的线
q8-q8'
截取的剖视图

57.图
28
是根据本公开的另一实施例的显示装置的子像素的平面图

58.图
29
是沿着图
28
的线
q9-q9'
截取的剖视图

59.图
30
是沿着图
28
的线
q10-q10'
截取的剖视图

具体实施方式
60.现在将在下文中参照其中示出了发明的优选实施例的附图更充分地描述本发明

然而,本发明可以以不同的形式实施,并且不应被解释为限于在这里阐述的实施例

相反,提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的,并且这些实施例将向本领域的技术人员充分传达发明的范围

61.还将理解的是,当层被称为“在”另一层或基底“上”时,它可以直接在所述另一层或基底上,或者也可以存在居间层

在整个说明书中,相同的附图标号指示相同的组件

62.将理解的是,尽管可以在这里使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件,但是这些元件不应受这些术语限制

这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开

例如,在不脱离本发明的教导的情况下,下面讨论的第一元件可以被称为第二元件

类似地,第二元件也可以被称为第一元件

63.本公开的各种实施例的特征中的每个可以部分地组合或全部地组合或者部分地彼此组合或全部地彼此组合,并且技术上各种互锁和驱动是可能的

每个实施例可以彼此独立地实现,或者可以关联地一起实现

64.在下文中,将参照附图描述本公开的示例性实施例

65.图1是根据本公开的实施例的显示装置的平面图

66.参照图1,显示装置
10
显示运动图像或静止图像

显示装置
10
可以指提供显示屏幕的几乎所有类型的电子装置

显示装置
10
的示例可以包括电视
(tv)、
笔记本计算机

监视器

广告牌

物联网
(iot)
装置

移动电话

智能电话

平板个人计算机
(pc)、
电子手表

智能手表

手表电话

头戴式显示器

移动通信终端

电子记事本

电子书

便携式多媒体播放器
(pmp)、
导航装置

游戏控制台

数码相机和摄像机

67.显示装置
10
包括提供显示屏幕的显示面板

显示面板的示例可以包括无机发光二极管
(iled)
显示面板

有机发光二极管
(oled)
显示面板

量子点发光二极管
(qled)
显示面板

等离子体显示面板
(pdp)
和场发射显示
(fed)
面板

显示装置
10
的显示面板在下文中将被描述为
iled
显示面板,但是本公开不限于此

68.如图1中所示定义第一方向
dr1、
第二方向
dr2
和第三方向
dr3。
第一方向
dr1
和第二方向
dr2
可以在同一平面上彼此垂直

第三方向
dr3
可以垂直于第一方向
dr1
和第二方向
dr2
所在的平面

第三方向
dr3
可以垂直于第一方向
dr1
和第二方向
dr2
中的每个

第三方向
dr3
是指显示装置
10
的厚度方向

69.显示装置
10
的形状可以变化

在一个示例中,显示装置
10
在平面图中可以具有矩形形状,该矩形形状在第一方向
dr1
上比在第二方向
dr2
上延伸得长

在另一示例中,显示装置
10
在平面图中可以具有矩形形状,该矩形形状在第二方向
dr2
上比在第一方向
dr1
上延伸得长

然而,本公开不限于这些示例

显示装置可以具有诸如正方形形状

具有圆
(
倒圆
)
角的矩形形状

另一多边形形状或圆形形状的各种其他形状

显示装置
10
的显示区域
dpa
可以具有与显示装置
10
类似的形状

图1示出了显示装置
10
和显示区域
dpa
具有矩形形状,该矩形形状在第一方向
dr1
上比在第二方向
dr2
上延伸得长

70.显示装置
10
可以包括显示区域
dpa
和非显示区域
nda。
显示区域
dpa
是其中显示画面的区域,非显示区域
nda
其中是不显示画面的区域

显示区域
dpa
也可以被称为有效区域,非显示区域
nda
也可以被称为无效区域

显示区域
dpa
可以大体上占显示装置
10
的中间部分

71.显示区域
dpa
可以包括多个像素
px。
像素
px
可以在行方向和列方向上布置

像素
px
在平面图中可以具有矩形形状或正方形形状,但是本公开不限于此

可选地,像素
px
可以具有相对于特定方向倾斜的菱形形状

像素
px
可以以条带
(stripe)
方式或类型交替地布置

像素
px
中的每个可以包括发射特定波长范围的光以发射预定颜色的光的一个或更多个发光元件

72.非显示区域
nda
可以设置在显示区域
dpa
的外围

非显示区域
nda
可以围绕整个显
示区域
dpa
或显示区域
dpa
的一部分

显示区域
dpa
可以具有矩形形状,非显示区域
nda
可以设置为与显示区域
dpa
的四条边相邻

非显示区域
nda
可以形成显示装置
10
的边框

包括在显示装置
10
中的布线或电路驱动器可以设置在非显示区域
nda
中,或者外部装置可以安装在非显示区域
nda


73.图2是图1的显示装置的像素的剖视图

74.参照图2,显示装置
10
的显示区域
dpa
可以包括第一发射区域
la1、
第二发射区域
la2
和第三发射区域
la3。
第一发射区域
la1、
第二发射区域
la2
和第三发射区域
la3
可以是将由显示装置
10
的发光元件
ed
产生的光发射到显示装置
10
的外部的区域

75.显示装置
10
可以包括基底
11、
缓冲层
12、
晶体管层
tftl、
发光元件层
eml、
波长转换层
wlcl、
滤色器层
cfl
和封装层
tfe。
76.基底
11
可以是基体基底或基体构件,并且可以由诸如聚合物树脂的绝缘材料形成

在一个示例中,基底
11
可以是可弯曲

可折叠或可卷曲的柔性基底

基底
11
可以包括聚酰亚胺
(pi)
,但是本公开不限于此

77.缓冲层
12
可以设置在基底
11


缓冲层
12
可以由能够防止空气或湿气渗透的无机膜形成

在一个示例中,缓冲层
12
可以包括交替地堆叠的多个无机膜

78.晶体管层
tftl
可以设置在缓冲层
12


晶体管层
tftl
可以包括第一晶体管
t1、
栅极绝缘层
13、
第一层间绝缘层
15、
第二层间绝缘层
17
和过孔层
19。
79.第一晶体管
t1
可以设置在缓冲层
bf
上,并且可以形成像素电路

在一个示例中,第一晶体管
t1
可以是像素电路的驱动晶体管或开关晶体管

第一晶体管
t1
可以包括有源层
act、
栅电极
g1、
源电极
se
和漏电极
de。
有源层
act
中的每个可以包括多个导体区
acta

actb
以及在导体区
acta

actb
之间的沟道区
actc。
80.发光元件层
eml
可以设置在晶体管层
tftl


发光元件层
eml
可以包括分隔件
wa、
发光元件
ed
和堤
bnl。
发光元件
ed
可以设置在第一晶体管
t1


发光元件
ed
可以设置在第一电极与第二电极之间,并且可以连接到第一连接电极和第二连接电极

81.稍后将参照图5至图7描述晶体管层
tftl
和发光元件层
eml。
82.平坦化层
41
可以设置在发光元件层
eml
上以使发光元件层
eml
的顶部平坦化

平坦化层
41
可以包括有机材料

在一个示例中,平坦化层
41
可以包括丙烯酸树脂

环氧树脂

酚醛树脂

聚酰胺树脂和
pi
树脂中的至少一种,但是本公开不限于此

可以不设置平坦化层
41。
83.波长转换层
wlcl
可以包括第一盖层
cap1、
第一光阻挡构件
bk1、
第一波长转换器
wlc1、
第二波长转换器
wlc2、
光传输器
ltu、
第二盖层
cap2
和第三平坦化层
43。
84.第一盖层
cap1
可以设置在发光元件层
eml
的平坦化层
41


第一盖层
cap1
可以密封第一波长转换器
wlc1
和第二波长转换器
wlc2
以及光传输器
ltu
的底表面

第一盖层
cap1
可以包括无机材料

在一个示例中,第一盖层
cap1
可以包括氮化硅

氮化铝

氮化锆

氮化钛

氮化铪

氮化钽

氧化硅

氧化铝

氧化钛

氧化锡

氧化铈和氮氧化硅中的至少一种,但是本公开不限于此

可以不设置第一盖层
cap1。
85.第一光阻挡构件
bk1
可以在第一盖层
cap1
上设置在第一光阻挡区域
ba1、
第二光阻挡区域
ba2
和第三光阻挡区域
ba3


第一光阻挡构件
bk1
可以在厚度方向上与堤
bnl
叠置

第一光阻挡构件
bk1
可以阻挡光的透射

第一光阻挡构件
bk1
可以防止可能由于在第一发射
区域
la1、
第二发射区域
la2
和第三发射区域
la3
之间的渗透光而引起的颜色混合,因此可以改善颜色再现性

第一光阻挡构件
bk1
在平面图中可以以格子形状布置以围绕第一发射区域
la1、
第二发射区域
la2
和第三发射区域
la3。
86.第一光阻挡构件
bk1
可以包括有机光阻挡材料和拒液剂

这里,拒液剂可以由含氟单体或含氟聚合物
(
具体地,含氟脂族聚碳酸酯
)
形成

在一个示例中,第一光阻挡构件
bk1
可以由包括拒液剂的黑色有机材料形成

第一光阻挡构件
bk1
可以经由涂覆并曝光包括拒液剂的有机光阻挡材料来形成

87.由于第一光阻挡构件
bk1
包括拒液剂,因此第一光阻挡构件
bk1
可以将第一波长转换器
wlc1
和第二波长转换器
wlc2
以及光传输器
ltu
分开为与它们相应的发射区域
la
对应

在一个示例中,在通过喷墨印刷形成第一波长转换器
wlc1
和第二波长转换器
wlc2
以及光传输器
ltu
的情况下,墨组合物可以沿着第一光阻挡构件
bk1
的顶表面流动

在这种情况下,第一光阻挡构件
bk1
可以引导墨组合物流入第一发射区域
la1、
第二发射区域
la2
和第三发射区域
la3
中的每个中

结果,第一光阻挡构件
bk1
可以防止墨组合物的混合

88.第一波长转换器
wlc1
可以在第一盖层
cap1
上设置在第一发射区域
la1


第一波长转换器
wlc1
可以被第一光阻挡构件
bk1
围绕

第一波长转换器
wlc1
可以包括第一基体树脂
bs1、
第一散射体
sct1
和第一波长移位件
wls1。
89.第一基体树脂
bs1
可以包括具有高透光率的材料

第一基体树脂
bs1
可以由透明有机材料形成

在一个示例中,第一基体树脂
bs1
可以包括以下有机材料中的至少一种:环氧树脂

丙烯酸树脂

卡多
(cardo)
树脂和酰亚胺树脂

90.第一散射体
sct1
可以具有与第一基体树脂
bs1
不同的折射率,并且可以与第一基体树脂
bs1
形成光学界面

在一个示例中,第一散射体
sct1
可包括能够散射至少一些光的光散射材料或光散射颗粒

在一个示例中,第一散射体
sct1
可以包括诸如氧化钛
(tio2)、
氧化锆
(zro2)、
氧化铝
(al
x
oy)、
氧化铟
(in2o3)、
氧化锌
(zno)
或氧化锡
(sno2)
的金属氧化物的颗粒,或者可以包括诸如丙烯酸树脂或氨基甲酸乙酯树脂的有机材料的颗粒

第一散射体
sct1
可以在基本上不改变入射光的峰值波长的情况下使入射光在随机方向上散射,而与入射光的入射角无关

91.第一波长移位件
wls1
可以将入射光的峰值波长转换或移位为第一峰值波长

在一个示例中,第一波长移位件
wls1
可以将提供到其的蓝光转换为具有
610nm

650nm
的单峰值波长的红光,并且可以发射红光

第一波长移位件
wls1
可以包括量子点

量子棒或磷光体

量子点可以是响应于从导带跃迁到价带的电子而发射特定颜色的光的微粒材料

92.量子点可以是半导体纳米晶体材料

由于量子点具有根据其组合物和尺寸的预定带隙,因此量子点可以吸收光然后发射预定波长的光

半导体纳米晶体材料包括
iv
族元素
、ii-vi
族化合物
、iii-v
族化合物
、iv-vi
族化合物及其组合

93.在一个示例中,量子点可以具有由包括上述半导体纳米晶体材料的核和围绕核的壳组成的核-壳结构

量子点的壳可以用作通过防止量子点的核的化学变性来维持量子点的半导体特性的保护层和
/
或用作用于向量子点赋予电泳特性的充电层

量子点的壳可以具有单层结构或多层结构

量子点的核与壳之间的界面可以具有其中量子点的壳处的元素的浓度朝向量子点的壳的中心逐渐降低的浓度梯度

量子点的壳可以包括金属或非金属的氧化物

半导体化合物或其组合

94.由第一波长移位件
wls1
发射的光可以具有
45nm
或更小
、40nm
或更小或者
30nm
或更小的半峰全宽
(fwhm)
,并且可以进一步改善显示装置
10
的色纯度和颜色再现性

由第一波长移位件
wls1
发射的光可以在各个方向上释放,而与入射光的入射角无关

因此,可以改善在第一发射区域
la1
中显示的红色的侧面可见性

95.从发光元件层
eml
提供的蓝光中的一些可以不被第一波长移位件
wls1
转换为红光,而是可以透射穿过第一波长转换器
wlc1。
从发光元件层
eml
提供的蓝光中的一些可以入射到第一滤色器
cf1
而不被第一波长转换器
wlc1
转换,并且可以被第一滤色器
cf1
阻挡

由第一波长转换器
wlc1
获得的红光可以穿过第一滤色器
cf1
发射到外部

因此,第一发射区域
la1
可以发射红光

96.第二波长转换器
wlc2
可以在第一盖层
cap1
上设置在第二发射区域
la2


第二波长转换器
wlc2
可以被第一光阻挡构件
bk1
围绕

第二波长转换器
wlc2
可以包括第二基体树脂
bs2、
第二散射体
sct2
和第二波长移位件
wls2。
97.第二基体树脂
bs2
可以包括具有高透光率的材料

第二基体树脂
bs2
可以由透明有机材料形成

在一个示例中,第二基体树脂
bs2
可以由与第一基体树脂
bs1
相同的材料形成,或者可以包括用于形成第一基体树脂
bs1
的上述材料中的任何一种

98.第二散射体
sct2
可以具有与第二基体树脂
bs2
不同的折射率,并且可以与第二基体树脂
bs2
形成光学界面

在一个示例中,第二散射体
sct2
可以包括能够使至少一些光散射的光散射材料或光散射颗粒

在一个示例中,第二散射体
sct2
可以由与第一散射体
sct1
相同的材料形成,或者可以包括用于形成第一散射体
sct1
的上述材料中的任何一种

第二散射体
sct2
可以在基本上不改变入射光的峰值波长的情况下使入射光在随机方向上散射,而与入射光的入射角无关

99.第二波长移位件
wls2
可以将入射光的峰值波长转换或移位为与第一峰值波长不同的第二峰值波长

在一个示例中,第二波长移位件
wls2
可以将提供到其的蓝光转换为具有
510nm

550nm
的单峰值波长的绿光,并且可以发射绿光

第二波长移位件
wls2
可以包括量子点

量子棒或磷光体

第二波长移位件
wls2
可以包括与第一波长移位件
wls1
相同的材料

第二波长移位件
wls2
可以由量子点

量子棒或磷光体形成,使得第二波长移位件
wls2
的波长范围可以与第一波长移位件
wls1
的波长范围不同

100.光传输器
ltu
可以在第一盖层
cap1
上设置在第三发射区域
la3


光传输器
ltu
可以被第一光阻挡构件
bk1
包围

光传输器
ltu
可以在保持入射光的峰值波长的同时使入射光透射穿过其

光传输器
ltu
可以包括第三基体树脂
bs3
和第三散射体
sct3。
101.第三基体树脂
bs3
可以包括具有高透光率的材料

第三基体树脂
bs3
可以由透明有机材料形成

在一个示例中,第三基体树脂
bs3
可以由与第一基体树脂
bs1
或第二基体树脂
bs2
相同的材料形成,或者可以包括用于形成第一基体树脂
bs1
或第二基体树脂
bs2
的上述材料中的任何一种

102.第三散射体
sct3
可以具有与第三基体树脂
bs3
不同的折射率,并且可以与第三基体树脂
bs3
形成光学界面

在一个示例中,第三散射体
sct3
可以包括能够使至少一些光散射的光散射材料或光散射颗粒

在一个示例中,第三散射体
sct3
可以由与第一散射体
sct1
或第二散射体
sct2
相同的材料形成,或者可以包括用于形成第一散射体
sct1
或第二散射体
sct2
的上述材料中的任何一种

第三散射体
sct3
可以在基本上不改变入射光的峰值波长的
情况下使入射光在随机方向上散射,而与入射光的入射角无关

103.由于波长转换层
wlcl
直接设置在发光元件层
eml
的平坦化层
41
上,因此显示装置
10
可以不需要用于第一波长转换器
wlc1
和第二波长转换器
wlc2
以及光传输器
ltu
的单独的基底

因此,第一波长转换器
wlc1
和第二波长转换器
wlc2
以及光传输器
ltu
可以容易地分别与第一发射区域
la1、
第二发射区域
la2
和第三发射区域
la3
对准,并且可以减小显示装置
10
的厚度

104.第二盖层
cap2
可以覆盖第一波长转换器
wlc1
和第二波长转换器
wlc2、
光传输器
ltu
以及第一光阻挡构件
bk1。
在一个示例中,第二盖层
cap2
可以密封第一波长转换器
wlc1
和第二波长转换器
wlc2、
光传输器
ltu
以及第一光阻挡构件
bk1
,并且因此可以防止第一波长转换器
wlc1
和第二波长转换器
wlc2、
光传输器
ltu
以及第一光阻挡构件
bk1
被损坏或污染

第二盖层
cap2
可以由与第一盖层
cap1
相同的材料形成,或者可以包括用于形成第一盖层
cap1
的上述材料中的任何一种

105.第三平坦化层
43
可以设置在第二盖层
cap2
上,并且可以使第一波长转换器
wlc1
和第二波长转换器
wlc2
以及光传输器
ltu
的顶部平坦化

第三平坦化层
43
可以包括有机材料

在一个示例中,第三平坦化层
43
可以包括丙烯酸树脂

环氧树脂

酚醛树脂

聚酰胺树脂和
pi
树脂中的至少一种

106.滤色器层
cfl
可以包括第二光阻挡构件
bk2、
第一滤色器
cf1、
第二滤色器
cf2
和第三滤色器
cf3
以及钝化层
prt。
107.第二光阻挡构件
bk2
可以在波长转换层
wlcl
的第三平坦化层
43
上设置在第一光阻挡区域
ba1、
第二光阻挡区域
ba2
和第三光阻挡区域
ba3


第二光阻挡构件
bk2
可以在厚度方向上与第一光阻挡构件
bk1
或堤
bnl
叠置

第二光阻挡构件
bk2
可以阻挡光的透射

第二光阻挡构件
bk2
可以防止可能由于在第一发射区域
la1、
第二发射区域
la2
和第三发射区域
la3
之间的渗透光而引起的颜色混合,因此可以改善颜色再现性

第二光阻挡构件
bk2
在平面图中可以以格子形状布置以围绕第一发射区域
la1、
第二发射区域
la2
和第三发射区域
la3。
108.第一滤色器
cf1
可以在第三平坦化层
43
上设置在第一发射区域
la1


第一滤色器
cf1
可以被第二光阻挡构件
bk2
围绕

第一滤色器
cf1
可以在厚度方向上与第一波长转换器
wlc1
叠置

第一滤色器
cf1
可以选择性地使第一颜色的光
(
例如,红光
)
透射穿过其,并且可以阻挡或吸收第二颜色的光
(
例如,绿光
)
和第三颜色的光
(
例如,蓝光
)。
在一个示例中,第一滤色器
cf1
可以是红色滤色器,并且可以包括红色着色剂

红色着色剂可以是红色染料或红色颜料

109.第二滤色器
cf2
可以在第三平坦化层
43
上设置在第二发射区域
la2


第二滤色器
cf2
可以被第二光阻挡构件
bk2
围绕

第二滤色器
cf2
可以在厚度方向上与第二波长转换器
wlc2
叠置

第二滤色器
cf2
可以选择性地使第二颜色的光
(
例如,绿光
)
透射通过其,并且可以阻挡或吸收第一颜色的光
(
例如,红光
)
和第三颜色的光
(
例如,蓝光
)。
在一个示例中,第二滤色器
cf2
可以是绿色滤色器,并且可以包括绿色着色剂

绿色着色剂可以是绿色染料或绿色颜料

110.第三滤色器
cf3
可以在第三平坦化层
43
上设置在第三发射区域
la3


第三滤色器
cf3
可以被第二光阻挡构件
bk2
围绕

第三滤色器
cf3
可以在厚度方向上与光传输器
ltu
叠置

第三滤色器
cf3
可以选择性地使第三颜色的光
(
例如,蓝光
)
透射通过其,并且可以阻挡
或吸收第一颜色的光
(
例如,红光
)
和第二颜色的光
(
例如,绿光
)。
在一个示例中,第三滤色器
cf3
可以是蓝色滤色器,并且可以包括蓝色着色剂

蓝色着色剂可以是蓝色染料或蓝色颜料

111.第一滤色器
cf1、
第二滤色器
cf2
和第三滤色器
cf3
可以通过吸收外部光中的一些来减少外部光的反射

因此,第一滤色器
cf1、
第二滤色器
cf2
和第三滤色器
cf3
可以防止可能由外部光的反射引起的颜色失真

112.由于第一滤色器
cf1、
第二滤色器
cf2
和第三滤色器
cf3
直接设置在波长转换层
wlcl
的第三平坦化层
43
上,因此显示装置
10
可以不需要用于第一滤色器
cf1、
第二滤色器
cf2
和第三滤色器
cf3
的单独的基底

因此,可以减小显示装置
10
的厚度

113.钝化层
prt
可以覆盖第一滤色器
cf1、
第二滤色器
cf2
和第三滤色器
cf3。
钝化层
prt
可以保护第一滤色器
cf1、
第二滤色器
cf2
和第三滤色器
cf3。
114.封装层
tfe
可以设置在滤色器层
cfl
的钝化层
prt


封装层
tfe
可以覆盖显示层的顶表面和侧表面

在一个示例中,封装层可以包括至少一个无机膜,从而可以防止氧或湿气的渗透

封装层
tfe
还可以包括至少一个有机膜,从而可以保护显示装置
10
免受诸如灰尘的异物的影响

在一个示例中,封装层
tfe
可以具有其中至少一个有机膜堆叠在两个无机膜之间的结构

两个无机膜可以包括氮化硅

氮化铝

氮化锆

氮化钛

氮化铪

氮化钽

氧化硅

氧化铝

氧化钛

氧化锡

氧化铈

氮氧化硅或氟化锂

有机膜可以包括丙烯酸树脂

甲基丙烯酸树脂

聚异戊二烯

乙烯基树脂

环氧树脂

氨基甲酸乙酯树脂

纤维素树脂或苝树脂

然而,封装层
tfe
的结构没有具体限制,而是可以变化

115.将在下文中以显示装置
10
的一个像素的平面结构和剖面结构为例描述晶体管层
tftl
和发光元件层
eml。
116.图3是图1的显示装置的像素的平面图

图3示出了像素
px
并且还示出了在第二方向
dr2
上与像素
px
相邻的另一像素
px
的一部分

117.参照图3,显示装置
10
的像素
px
可以包括多个子像素
spxn(
其中n为1至
3)。
在一个示例中,像素
px
可以包括第一子像素
spx1、
第二子像素
spx2
和第三子像素
spx3。
第一子像素
spx1
可以发射第一颜色的光,第二子像素
spx2
可以发射第二颜色的光,第三子像素
spx3
可以发射第三颜色的光

在一个示例中,第一颜色的光

第二颜色的光和第三颜色的光可以分别是蓝光

绿光和红光,但是本公开不限于此

可选地,子像素
spxn
可以全部发射相同颜色的光
(
例如,蓝光
)。
图3示出了像素
px
包括三个子像素
spxn
,但是像素
px
可以包括多于三个的子像素
spxn。
118.子像素
spxn
中的每个可以包括发射区域
ema
和非发射区域

发射区域
ema
可以是设置有发光元件
ed
以发射特定波长范围的光的区域,非发射区域可以是发光元件
ed
未设置在其中并且由发光元件
ed
发射的光不能到达而不输出光的区域

发射区域
ema
可以包括设置有发光元件
ed
的区域和在发光元件
ed
周围的输出由发光元件
ed
发射的光的区域

119.然而,本公开不限于此

发射区域
ema
可以包括输出由发光元件
ed
发射然后由其他构件反射或折射的光的区域

多个发光元件
ed
可以包括在子像素
spxn
中的每个中,并且设置有多个发光元件
ed
的区域和在设置有多个发光元件
ed
的区域周围的区域可以一起形成子像素
spxn
中的每个的发射区域
ema。
120.子像素
spxn
的发射区域
ema
示出为具有基本相同的尺寸,但是本公开不限于此


选地,子像素
spxn
的发射区域
ema
可以根据由设置在其中的发光元件
ed
发射的光的颜色或波长范围而具有不同的尺寸

121.子像素
spxn
中的每个还可以包括设置在非发射区域中的子区域
sa。
在子像素
spxn
中的每个中,子区域
sa
可以在沿第二方向
dr2
相邻的一对发射区域
ema
之间设置在发射区域
ema
的在第二方向
dr2
上的一侧

在一个示例中,多个发射区域
ema
或多个子区域
sa
可以在第二方向
dr2
上重复地布置,并且多个发射区域
ema
和多个子区域
sa
可以在第二方向
dr2
上交替地布置

然而,本公开不限于该示例

像素
px
的发射区域
ema
和子区域
sa
可以具有与图3中所示的布局不同的布局

发射区域
ema
和在发射区域
ema
的在第二方向
dr2
上的一侧
(
例如,在发射区域
ema
的上侧
)
的子区域
sa
可以包括在图3的像素
px
的子像素
spxn
中的每个中,并且在第二方向
dr2
上与对应的子像素
spxn
相邻的另一子像素
spxn
的子区域
sa
可以设置在发射区域
ema
的在第二方向
dr2
上的另一侧
(
例如,在发射区域
ema
的下侧
)。
122.堤
bnl
可以设置在像素
px
的子像素
spxn
的子区域
sa
与发射区域
ema
之间,并且子区域
sa
与发射区域
ema
之间的距离可以根据堤
bnl
的宽度而变化

子区域
sa
由于发光元件
ed
没有设置在其中而不发射光,但是电极
rme
可以部分地设置在子区域
sa


来自不同子像素
spxn
的电极
rme
的组可以在子区域
sa
的分离部
rop
中彼此分开

123.堤
bnl
可以包括在第一方向
dr1
上延伸的部分和在第二方向
dr2
上延伸的部分,并且在平面图中可以遍及整个显示区域
dpa
以格子图案布置


bnl
可以沿着子像素
spxn
中的每个的边界设置,以将子像素
spxn
彼此分开

此外,堤
bnl
可以设置为围绕子像素
spxn
的发射区域
ema
,以将发射区域
ema
彼此分开

124.像素
px
或子像素
spxn
中的每个可以包括像素驱动电路

线可以设置为穿过或经过像素
px
或子像素
spxn
中的每个并且将驱动信号施加到像素驱动电路

像素驱动电路可以包括晶体管和电容器

包括在像素驱动电路中的每个中的晶体管和电容器的数量可以变化

在一个示例中,像素驱动电路可以具有包括三个晶体管和一个电容器的“3t1c”结构

像素驱动电路在下文中将被描述为具有“3t1c”结构,但是本公开不限于此

可选地,诸如“2t1c”、“7t1c”或“6t1c”结构的各种其他结构也可以适用于像素驱动电路

125.图4是图1的显示装置的子像素的等效电路图

126.参照图4,子像素
spxn
包括发光元件
ed、
三个晶体管
(
即,第一晶体管
t1、
第二晶体管
t2
和第三晶体管
t3)
和一个存储电容器
cst。
127.发光元件
ed
可以根据经由第一晶体管
t1
施加到其的电流而发射光

发光元件
ed
可以根据从连接到发光元件
ed
的两端部的第一电极和第二电极传输到其的电信号而发射特定波长范围的光

128.发光元件
ed
的第一端部可以连接到第一晶体管
t1
的源电极,发光元件
ed
的第二端部可以连接到比高电位电压
(
在下文中,第一电源电压
)
低的低电位电压
(
在下文中,第二电源电压
)
供应到其的第二电压线
vl2。
129.第一晶体管
t1
根据第一晶体管
t1
的栅电极与源电极之间的电压差来控制从第一电源电压供应到其的第一电压线
vl1
流到发光元件
ed
的电流

在一个示例中,第一晶体管
t1
可以是用于驱动发光元件
ed
的晶体管

第一晶体管
t1
的栅电极可以连接到第二晶体管
t2
的源电极,第一晶体管
t1
的源电极可以连接到发光元件
ed
的第一端部,第一晶体管
t1
的漏电极可以连接到第一电源电压供应到其的第一电压线
vl1。
130.第二晶体管
t2
通过来自第一扫描线
sl1
的第一扫描信号导通,以使数据线
dtl
连接到第一晶体管
t1
的栅电极

第二晶体管
t2
的栅电极可以连接到第一扫描线
sl1
,第二晶体管
t2
的源电极可以连接到第一晶体管
t1
的栅电极,第二晶体管
t2
的漏电极可以连接到数据线
dtl。
131.第三晶体管
t3
通过来自第二扫描线
sl2
的扫描信号导通,以使初始化电压线
vil
连接到发光元件
ed
的第一端部

第三晶体管
t3
的栅电极可以连接到第二扫描线
sl2
,第三晶体管
t3
的漏电极可以连接到初始化电压线
vil
,第三晶体管
t3
的源电极可以连接到发光元件
ed
的第一端部或第一晶体管
t1
的源电极

图4示出了第一扫描线
sl1
和第二扫描线
sl2
是分开的,但是本公开不限于此

在一些实施例中,第一扫描线
sl1
和第二扫描线
sl2
可以设置为单线,在这种情况下,第二晶体管
t2
和第三晶体管
t3
可以由同一扫描信号导通

132.第一晶体管
t1、
第二晶体管
t2
和第三晶体管
t3
的源电极和漏电极不限于以上描述

第一晶体管
t1、
第二晶体管
t2
和第三晶体管
t3
可以形成为薄膜晶体管
(tft)。
图4示出了第一晶体管
t1、
第二晶体管
t2
和第三晶体管
t3
形成为n型金属氧化物半导体场效应晶体管
(mosfet)
,但是本公开不限于此

也就是说,可选地,第一晶体管
t1、
第二晶体管
t2
和第三晶体管
t3
全部可以形成为
p

mosfet。
又可选地,第一晶体管
t1、
第二晶体管
t2
和第三晶体管
t3
中的一些可以形成为n型
mosfet
,而其他晶体管可以形成为
p

mosfet。
133.存储电容器
cst
形成在第一晶体管
t1
的栅电极与源电极之间

存储电容器
cst
存储与第一晶体管
t1
的栅电极和源电极之间的电压差对应的差分电压

134.在下文中将进一步详细地描述显示装置
10
的像素
px
的结构

135.图5是图3的第一子像素的平面图

图6是沿着图5的线
q1-q1'、
线
q2-q2'
和线
q3-q3'
截取的剖视图

图7是沿着图5的线
q4-q4'
截取的剖视图

136.图8是沿着图5的线
q1-q1'、
线
q2-q2'
和线
q3-q3'
截取的剖视图

图9是沿着图5的线
q1-q1'、
线
q2-q2'
和线
q3-q3'
截取的剖视图

将简化上面已经参照图2描述的元件或特征的描述

137.参照图5至图7并且进一步参照图2和图3,显示装置
10
可以包括基底
11
,并且还可以包括设置在基底
11
上的有源层

多个导电层和多个绝缘层

有源层

导电层和绝缘层可以形成显示装置
10
的晶体管层
tftl
和发光元件层
eml。
138.基底
11
可以是绝缘基底

基底
11
可以由诸如玻璃

石英或聚合物树脂的绝缘材料形成

基底
11
可以是刚性基底,或者可以是可弯曲

可折叠或可卷曲的柔性基底

139.第一导电层可以设置在基底
11


第一导电层包括下金属层
bml
,并且下金属层
bml
可以设置为与第一晶体管
t1
的有源层
act
叠置

下金属层
bml
可以包括能够阻挡光的透射的材料,并且可以防止光入射在第一晶体管
t1
的有源层
act


可以不设置下金属层
bml。
140.缓冲层
12
可以设置在下金属层
bml
和基底
11


缓冲层
12
可以形成在基底
11
上以保护像素
px
的晶体管免受可能渗透穿过易受湿气渗透的基底
11
的湿气的影响,并且可以执行表面平坦化功能

141.半导体层可以设置在缓冲层
12


半导体层可以包括第一晶体管
t1
的有源层
act。
有源层
act
可以设置为与稍后将描述的第二导电层的栅电极
g1
部分地叠置

142.半导体层可以包括多晶硅

单晶硅或氧化物半导体

可选地,半导体层可以包括多晶硅

氧化物半导体可以是包含铟
(in)
的氧化物半导体

在一个示例中,氧化物半导体可以
是氧化铟锡
(ito)、
氧化铟锌
(izo)、
氧化铟镓
(igo)、
氧化铟锡锌
(itzo)、
氧化铟镓锡
(igto)
和氧化铟镓锌锡
(igzto)
中的至少一种

143.图5至图7示出了第一子像素
spx1
仅包括一个晶体管
(
即,第一晶体管
t1)
,但是本公开不限于此

也就是说,第一子像素
spx1
可以包括多于一个的晶体管

144.栅极绝缘层
13
设置在半导体层和缓冲层
12


栅极绝缘层
13
可以用作第一晶体管
t1
的栅极绝缘膜

145.第二导电层设置在栅极绝缘层
13


第二导电层可以包括栅电极
g1
和存储电容器的第一电容器电极
cse1。
栅电极
g1
可以设置为在厚度方向上
(
即,在第三方向
dr3

)
与有源层
act
的沟道区叠置

第一电容器电极
cse1
可以设置为在厚度方向上与第二电容器电极
cse2
叠置

在一个示例中,第一电容器电极
cse1
可以连接到栅电极
g1
并合并到栅电极
g1


第一电容器电极
cse1
和第二电容器电极
cse2
可以设置为在厚度方向上彼此叠置,并且存储电容器可以在第一电容器电极
cse1
和第二电容器电极
cse2
之间形成

146.第一层间绝缘层
15
设置在第二导电层上

第一层间绝缘层
15
可以用作第二导电层与设置在第二导电层上的层之间的绝缘膜,并且可以保护第二导电层

第一层间绝缘层
15
可以设置为覆盖第二导电层,以保护第二导电层

第一层间绝缘层
15
可以形成为包括无机材料
(
诸如以氧化硅
(sio
x
)、
氮化硅
(sin
x
)
或氮氧化硅
(sio
x
ny)
为例
)
的无机层,或者形成为这种无机材料的堆叠

147.第三导电层可以设置在第一层间绝缘层
15


第三导电层可以包括第一晶体管
t1
的第一源电极
se
和第一漏电极
de、
数据线
dtl
以及第二电容器电极
cse2。
148.第一晶体管
t1
的第一源电极
se
和第一漏电极
de
可以分别通过穿透第一层间绝缘层
15
和栅极绝缘层
13
的接触孔与有源层
act
的导体区
acta

actb
接触

第一晶体管
t1
的第一源电极
se
可以通过另一接触孔电连接到下金属层
bml。
149.数据线
dtl
可以将数据信号施加到包括在显示装置
10
中的另一晶体管
(
未示出
)。
虽然未具体示出,但是数据线
dtl
可以连接到包括在显示装置
10
中的另一晶体管的源电极
/
漏电极,从而将信号传输到所述另一晶体管的源电极
/
漏电极

150.第二电容器电极
cse2
可以设置为在厚度方向上与第一电容器电极
cse1
叠置

第二电容器电极
cse2
可以合并到第一源电极
se
中并且连接到第一源电极
se。
151.第三导电层可以形成为包括钼
(mo)、

(al)、

(cr)、

(au)、

(ti)、

(ni)、

(nd)、

(cu)
或其合金的单层或多层,但是本公开不限于此

152.第二层间绝缘层
17
可以设置在第三导电层上

第二层间绝缘层
17
可以用作第三导电层与设置在第三导电层上的其他层之间的绝缘膜

第二层间绝缘层
17
可以覆盖并保护第三导电层

第二层间绝缘层
17
可以形成为包括无机材料
(
诸如以
sio
x
、sin
x

sio
x
ny为例
)
的无机层,或者形成为这种无机材料的堆叠

153.第四导电层可以设置在第二层间绝缘层
17


第四导电层可以包括第一电压线
vl1、
第二电压线
vl2
和第一导电图案
cdp。
要供应到第一晶体管
t1
的高电位电压
(
或第一电源电压
)
可以施加到第一电压线
vl1
,要供应到第二电极
rme2
的低电位电压
(
或第二电源电压
)
可以施加到第二电压线
vl2。
用于使发光元件
ed
对准的对准信号可以在显示装置
10
的制造期间施加到第二电压线
vl2。
154.第一导电图案
cdp
可以通过形成在第二层间绝缘层
17
中的接触孔连接到第二电容
器电极
cse2。
第二电容器电极
cse2
可以合并到第一晶体管
t1
的第一源电极
se
中,并且第一导电图案
cdp
可以电连接到第一源电极
se。
第一导电图案
cdp
可以与第一电极
rme1
接触,并且第一晶体管
t1
可以通过第一导电图案
cdp
将施加到第一晶体管
t1
的第一电源电压从第一电压线
vl1
传输到第一电极
rme1。
155.第四导电层被示出为包括一条第一电压线
vl1
和一条第二电压线
vl2
,但是本公开不限于此

可选地,第四导电层可以包括多于一条第一电压线
vl1
和多于一条第二电压线
vl2。
又可选地,第三导电层可以传输诸如电源电压的信号,在这种情况下,可以不设置第四导电层和第二层间绝缘层
17。
在一个示例中,第一电压线
vl1
和第二电压线
vl2
可以由第三导电层形成,并且可以不设置第一导电图案
cdp。
156.第四导电层可以形成为包括
mo、al、cr、au、ti、ni、nd、cu
或其合金的单层或多层,但是本公开不限于此

157.过孔层
19
可以设置在第四导电层上

过孔层
19
可以包括有机绝缘材料
(
诸如以
pi
为例
)
,并且可以执行表面平坦化功能

158.分隔件
wa、
多个电极
rme、

bnl、
多个发光元件
ed
和多个连接电极
cne
可以作为发光元件层
eml
设置在过孔层
19


多个第一绝缘层
pas1、
第二绝缘层
pas2
和第三绝缘层
pas3
也可以设置在过孔层
19


159.电极
rme
可以设置在过孔层
19


电极
rme
可以包括第一电极
rme1
和第二电极
rme2。
第一电极
rme1
和第二电极
rme2
可以在第二方向
dr2
上延伸,并且可以设置为在第一方向
dr1
上彼此间隔开

160.电极
rme
可以在第一子像素
spx1
内在第二方向
dr2
上延伸,并且可以在第一子像素
spx1
的子区域
sa
中与其他电极
rme
分开

在一个示例中,参照在第二方向
dr2
上的一对相邻的子像素
spxn
,一个子区域
sa
可以设置在两个发射区域之间,并且在子区域
sa
中,一组第一电极
rme1
和第二电极
rme2
可以与另一组第一电极
rme1
和第二电极
rme2
分开

然而,本公开不限于该示例

在另一示例中,电极
rme
中的一些
(
即,第一子像素
spx1
的第一电极
rme1
和第二电极
rme2
中的一者
)
可以继续在第二方向
dr2
上延伸超过第一子像素
spx1
,而在不同的子像素
spxn
之间不被分割

161.第一电极
rme1
可以通过第一电极接触孔
ctd
电连接到第一晶体管
t1
,第二电极
rme2
可以通过第二电极接触孔
cts
电连接到第二电压线
vl2。
在一个示例中,第一电极
rme1
可以在堤
bnl
的在第一方向
dr1
上延伸的部分中通过穿透过孔层
19
的第一电极接触孔
ctd
与第一导电图案
cdp
接触,第二电极
rme2
可以在堤
bnl
的在第一方向
dr1
上延伸的部分中通过穿透过孔层
19
的第二电极接触孔
cts
与第二电压线
vl2
接触

然而,本公开不限于该示例

在另一示例中,第一电极接触孔
ctd
和第二电极接触孔
cts
可以设置在发射区域
ema
中,第一电极接触孔
ctd
和第二电极接触孔
cts
由堤
bnl
围绕,第一电极接触孔
ctd
和第二电极接触孔
cts
不与堤
bnl
叠置

在又一示例中,第二电极
rme2
可以与第三导电层直接接触,使得电压可以施加到第二电极
rme2。
162.第一子像素
spx1
被示出为包括一个第一电极
rme1
和一个第二电极
rme2
,但是本公开不限于此

可选地,第一子像素
spx1
可以包括多于一个的第一电极
rme1
和多于一个的第二电极
rme2。
第一电极
rme1
和第二电极
rme2
可以不必在第一子像素
spx1
中在一个方向上延伸,并且第一电极
rme1
和第二电极
rme2
的布局可以变化

在一个示例中,第一电极
rme1
和第
二电极
rme2
可以部分地弯曲或弯折,并且第一电极
rme1
和第二电极
rme2
中的一个可以设置为围绕另一电极

163.电极
rme
可以包括具有高反射率的导电材料

在一个示例中,电极
rme
可以包括具有高反射率的金属或金属合金
(
诸如银
(ag)、cu、al
或者
al、ni
或镧
(la)
的合金
)。
电极
rme
可以在第一子像素
spx1
的向上方向上反射由发光元件
ed
发射的光

164.然而,本公开不限于此,并且电极
rme
还可以包括透明导电材料

在一个示例中,电极
rme
可以包括诸如
ito、izo

itzo
的材料

在一些实施例中,电极
rme
可以形成为一层或更多层透明导电材料和一层或更多层具有高反射率的金属的堆叠,或者形成为包括透明导电材料和具有高反射率的金属的单层

在一个示例中,电极
rme
可以具有诸如
ito/ag/ito、ito/ag/izo

ito/ag/itzo/izo
的堆叠结构

165.电极
rme
可以电连接到发光元件
ed
,并且预定电压可以施加到电极
rme
使得发光元件
ed
可以发射光

电极
rme
可以通过连接电极
cne
电连接到发光元件
ed
,施加到电极
rme
的电信号可以通过连接电极
cne
传输到发光元件
ed。
166.第一电极
rme1
和第二电极
rme2
中的一个可以电连接到发光元件
ed
的阳极,另一个电极可以电连接到发光元件
ed
的阴极

然而,本公开不限于此

167.电极
rme
可以用于在第一子像素
spx1
中形成电场,以使发光元件
ed
对准

发光元件
ed
可以通过形成在第一电极
rme1
和第二电极
rme2
上的电场而设置在第一电极
rme1
与第二电极
rme2
之间

发光元件
ed
可以经由喷墨印刷喷涂到电极
rme


包括发光元件
ed
的墨喷射到电极
rme
上,并且通过向电极
rme
施加对准信号来形成电场

分散在墨中的发光元件
ed
可以通过接收到来自形成在电极
rme
上的电场的介电泳力而在电极
rme
上对准

168.第一绝缘层
pas1
可以设置在过孔层
19


第一绝缘层
pas1
可以设置为覆盖第一电极
rme1
和第二电极
rme2。
第一绝缘层
pas1
可以保护第一电极
rme1
和第二电极
rme2
,并且可以使第一电极
rme1
和第二电极
rme2
彼此绝缘

此外,第一绝缘层
pas1
可以防止设置在其上的发光元件
ed
与其他构件直接接触并因此被其他构件损坏

169.第一绝缘层
pas1
的顶表面可以形成为在沿第一方向
dr1
彼此间隔开的电极
rme
之间部分地凹入

发光元件
ed
可以设置在第一绝缘层
pas1
的顶表面的凹入部分上,并且可以在第一绝缘层
pas1
与发光元件
ed
之间形成间隙

170.第一绝缘层
pas1
可以包括暴露电极
rme
的顶表面的一部分的多个第一触点
ct1
和第二触点
ct2。
第一触点
ct1
和第二触点
ct2
可以穿透第一绝缘层
pas1
,连接电极
cne
可以与由第一触点
ct1
和第二触点
ct2
暴露的电极
rme
接触

171.堤
bnl
可以设置在第一绝缘层
pas1



bnl
可以包括在平面图中在第一方向
dr1
上延伸的部分和在第二方向
dr2
上延伸的部分,并且可以以格子形状布置


bnl
可以沿着第一子像素
spx1
的边界设置,以使第一子像素
spx1
与其他子像素
spxn
分开


bnl
可以设置为围绕第一子像素
spx1
的发射区域
ema
和子区域
sa
,并且由堤
bnl
隔断和开口的区域可以是第一子像素
spx1
的发射区域
ema
和子区域
sa。
172.在如在显示装置
10
的制造中执行的喷墨印刷期间,堤
bnl
可以防止墨在相邻的子像素
spxn
之间溢出


bnl
可以防止用于不同子像素
spxn
的具有不同发光元件
ed
的组的墨混合在一起


bnl
的表面可以被疏水处理,以防止墨在相邻的子像素
spxn
之间溢出


bnl
可以包括能够吸收光的黑色矩阵材料

黑色矩阵材料可以包括包含黑色颜料的有机材料,
并且因此可以能够吸收光

由于堤
bnl
包括黑色矩阵材料,所以堤
bnl
可以通过吸收相邻的子像素
spxn
之间发射的光来防止颜色混合

173.发光元件
ed
可以设置在第一绝缘层
pas1


发光元件
ed
中的每个可以包括在平行于基底
11
的顶表面的方向上布置的多个半导体层

发光元件
ed
可以布置为使得发光元件
ed
延伸所沿的方向可以平行于基底
11
,并且包括在发光元件
ed
中的每个中的半导体层可以在平行于基底
11
的顶表面的方向上顺序地布置

然而,本公开不限于此

可选地,包括在发光元件
ed
中的每个中的半导体层可以在垂直于基底
11
的方向上布置

174.发光元件
ed
可以在分隔件
wa
的部分之间设置在沿第一方向
dr1
彼此间隔开的电极
rme


发光元件
ed
可以在发光元件
ed
延伸所沿的方向上
(
即,在第二方向
dr2

)
彼此间隔开,并且可以基本上彼此平行地对准

发光元件
ed
可以在一个方向上延伸,并且发光元件
ed
的长度可以大于电极
rme
之间在第一方向
dr1
上的最小距离

发光元件
ed
中的每个的至少一个端部可以设置在电极
rme
中的一个上,或者发光元件
ed
中的每个的两个端部可以设置在不同的电极
rme


电极
rme
延伸所沿的方向和发光元件
ed
延伸所沿的方向可以基本上彼此垂直,但是本公开不限于此

可选地,发光元件
ed
可以相对于电极
rme
延伸所沿的方向倾斜地布置

175.发光元件
ed
中的每个可以包括多个半导体层,并且由发光元件
ed
中的每个发射的光的波长可以根据半导体层的材料而变化

然而,本公开不限于此,并且发光元件
ed
中的每个的半导体层的材料可以是一致的,使得发光元件
ed
可以发射相同颜色的光

此外,发光元件
ed
中的每个可以包括掺杂有不同导电类型的掺杂剂的半导体层,并且可以通过形成在电极
rme
上的电场对准,使得发光元件
ed
的端部可以面对特定方向

发光元件
ed
的第一端部和第二端部可以基于包括在发光元件
ed
中的每个中的半导体层中的一个来限定

在一个示例中,发光元件
ed
的放置在第一电极
rme1
上的端部可以为第一端部,发光元件
ed
的放置在第二电极
rme2
上的端部可以为第二端部

在显示装置
10
在第一子像素
spx1
中包括多于两个的电极的实施例中,发光元件
ed
的设置在不同的电极
rme
上的第一端部可以面对不同的方向

176.发光元件
ed
可以与连接电极
cne
接触,从而电连接到连接电极
cne。
由于发光元件
ed
中的每个的半导体层中的一些在对应的发光元件
ed
的一个端表面暴露,所以暴露的半导体层可以与连接电极
cne
接触

发光元件
ed
可以通过连接电极
cne
电连接到电极
rme
和过孔层
19
下方的导电层,并且响应于施加的电信号,发光元件
ed
可以发射特定波长范围的光

177.分隔件
wa
可以直接设置在第一绝缘层
pas1
和发光元件
ed


分隔件
wa
可以具有通过使在第一方向
dr1
上延伸的部分和在第二方向
dr2
上延伸的部分连接而获得的形状

分隔件
wa
的在第一方向
dr1
上延伸的部分可以彼此间隔开,并且分隔件
wa
的在第二方向
dr2
上延伸的部分可以彼此间隔开

分隔件
wa
可以在发射区域
ema
的中间中设置在由堤
bnl
围绕的区域中

178.分隔件
wa
可以包括与发光元件
ed
叠置的第一部分
waa、
彼此相邻设置且第一部分
waa
置于其间的第二部分
wav
以及使第一部分
waa
和第二部分
wav
连接的第三部分
wah。
179.第一部分
waa
可以是分隔件
wa
的在第二方向
dr2
上延伸并且与发光元件
ed
叠置的部分

在一个示例中,第一部分
waa
可以设置在发射区域
ema
的中间中

第一部分
waa
可以直接设置在发光元件
ed
上以固定并保护发光元件
ed。
第一部分
waa
可以设置为围绕发光元件
ed
的外表面的部分,但是不覆盖发光元件
ed
中的每个的两侧或两个端部

第一部分
waa
的设
置在发光元件
ed
上的部分可以在第一绝缘层
pas1
上在第二方向
dr2
上延伸

第一部分
waa
可以在显示装置
10
的制造期间保护并固定发光元件
ed。
此外,第一部分
waa
可以设置为填充第一绝缘层
pas1
与发光元件
ed
之间的间隙

第一部分
waa
可以设置在第一绝缘层
pas1
上,以暴露发光元件
ed
中的每个的两侧和设置有电极
rme
的区域的部分

尽管未具体示出,但是在电极
rme
的形成期间,第一部分
waa
也可以部分地设置在子区域
sa
中,但是可以与第一绝缘层
pas1
一起从子区域
sa
的分离部
rop
去除

180.第一部分
waa
可以设置为与连接电极
cne
叠置,但是不与电极
rme
叠置,但是本公开不限于此

可选地,第一部分
waa
可以设置为不仅与连接电极
cne
叠置,而且与电极
rme
叠置

第一部分
waa
可以在第一方向
dr1
上具有预定宽度,第一部分
waa
的宽度可以小于发光元件
ed
在第一方向
dr1
上的长度

此外,第一部分
waa
的宽度可以小于第一延伸部
wav1
和第二延伸部
wav2
的宽度,但是本公开不限于此

可选地,第一部分
waa
的宽度可以与第一延伸部
wav1
和第二延伸部
wav2
的宽度相同

181.第二部分
wav
可以包括第一延伸部
wav1
和第二延伸部
wav2。
第一延伸部
wav1
可以是分隔件
wa
的在第二方向
dr2
上延伸并且与第一电极
rme1
叠置的部分

第二延伸部
wav2
可以是分隔件
wa
的在第二方向
dr2
上延伸并且与第二电极
rme2
叠置的部分

在一个示例中,第一延伸部
wav1
可以设置在发射区域
ema
的左部分中,第二延伸部
wav2
可以设置在发射区域
ema
的右部分中

第一延伸部
wav1
和第二延伸部
wav2
可以平行于电极
rme
和连接电极
cne
延伸所沿的方向延伸

第一延伸部
wav1
和第二延伸部
wav2
可以彼此间隔开,且发光元件
ed
置于它们之间,并且第一延伸部
wav1
和第二延伸部
wav2
可以设置为不与发光元件
ed
叠置

第一延伸部
wav1
和第二延伸部
wav2
在平面图中可以不与堤
bnl
叠置,并且可以与堤
bnl
间隔开

182.第一延伸部
wav1
和第二延伸部
wav2
可以在第一方向
dr1
上具有预定宽度,第一延伸部
wav1
和第二延伸部
wav2
的宽度可以小于电极
rme
的宽度

第一延伸部
wav1
和第二延伸部
wav2
可以分别与第一电极
rme1
和第二电极
rme2
完全地叠置

第一延伸部
wav1
和第二延伸部
wav2
可以在第一方向
dr1
上彼此间隔开,第一延伸部
wav1
和第二延伸部
wav2
之间的距离可以大于发光元件
ed
在第一方向
dr1
上的长度

183.第三部分
wah
可以包括第一连接件
wah1
和第二连接件
wah2
,第一连接件
wah1
和第二连接件
wah2
在第一方向
dr1
上延伸并且在第二方向
dr2
上彼此间隔开

184.第一连接件
wah1
可以是分隔件
wa
的在第一方向
dr1
上延伸并且与第一电极接触孔
ctd
和第二电极接触孔
cts
相邻的部分

第二连接件
wah2
可以是分隔件
wa
的在第二方向
dr2
的相反方向上与第一连接件
wah1
间隔开的部分

在一个示例中,第一连接件
wah1
可以设置在发射区域
ema
的上部中,第二连接件
wah2
可以设置在发射区域
ema
的下部中

第一连接件
wah1
和第二连接件
wah2
可以在平行于发光元件
ed
延伸所沿的方向上布置,并且可以设置为不与发光元件
ed
叠置

第一连接件
wah1
和第二连接件
wah2
可以设置为与电极
rme
和连接电极
cne
叠置

第一连接件
wah1
和第二连接件
wah2
在平面图中可以不与堤
bnl
叠置,并且可以与堤
bnl
间隔开

185.第一部分
waa、
第二部分
wav
和第三部分
wah
可以彼此一体地形成

第一部分
waa、
第二部分
wav
和第三部分
wah
可以形成为彼此连续地连接

如稍后将描述的,第一部分
waa、
第二部分
wav
和第三部分
wah
可以通过使有机材料图案化而同时形成

186.分隔件
wa
可以至少部分地突出超过过孔层
19
的顶表面

分隔件
wa
的突出部分中的每个可以具有倾斜或弯曲的侧表面

可选地,分隔件
wa
在剖视图中可以具有弯曲的半圆形形状或半椭圆形状

分隔件
wa
可以包括诸如
pi
的有机绝缘材料,但是本公开不限于此

187.分隔件
wa
可以具有预定高度,分隔件
wa
的第一部分可以具有预定高度以固定发光元件
ed。
从第一电极
rme1
的顶表面到第一部分
waa、
第二部分
wav
和第三部分
wah
的顶表面的竖直距离可以全部相同

从第一电极
rme1
的顶表面到第一延伸部
wav1
的顶表面的竖直距离
h1
可以与从第一电极
rme1
的顶表面到第一部分
waa
的顶表面的竖直距离
h2
相同

如上面已经提及的,分隔件
wa
的部分可以通过使有机材料图案化而全部同时形成,结果,第一延伸部
wav1
和第二延伸部
wav2
的顶表面以及第一部分
waa
的顶表面可以位于距第一电极
rme1
的顶表面相同的高度处

188.分隔件
wa
可以在包括发光元件
ed
的墨的施用和发光元件
ed
的对准之后形成

一旦墨施用到由堤
bnl
分割的发射区域
ema
,就可以根据发射区域
ema
的体积来确定可以施用的墨的体积

当分隔件
wa
在发光元件
ed
的对准之后形成时,可以在分隔件
wa
的形成之前增大可以施用到发射区域
ema
上的墨的体积

结果,可以增大可以在发射区域
ema
中对准的发光元件的数量,因此可以改善亮度

189.分隔件
wa
可以通过使用硬掩模的干蚀刻形成,并且因此可以具有大的锥角

第一连接件
wah1
和第二连接件
wah2、
第一延伸部
wav1
和第二延伸部
wav2
以及第一部分
waa
全部可以具有相同的锥角

第二延伸部
wav2
的锥角
θ1可以与第一部分
waa
的锥角
θ2相同

190.由于分隔件
wa
具有大的锥角并且可以增大可以施用的墨的体积,所以分隔件
wa
的高度没有具体限制

从第一电极
rme1
的顶表面到第一延伸部
wav1
的顶表面的竖直距离
h1
可以与从第一电极
rme1
的顶表面到堤
bnl
的顶表面的竖直距离
h3
相同

在这种情况下,由于分隔件
wa
的高度可以减小到与堤
bnl
的高度一样低,所以可以减小发光元件层
eml
与波长转换层
wlcl(
见图
2)
之间的盒间隙,并且可以实现薄的显示装置
10。
191.然而,本公开不限于此

可选地,如图8中所示,分隔件
wa
的高度可以大于堤
bnl
的高度

在一个示例中,从第一电极
rme1
的顶表面到第一延伸部
wav1
的顶表面的竖直距离
h1
可以大于从第一电极
rme1
的顶表面到堤
bnl
的顶表面的竖直距离
h3
,并且从第一电极
rme1
的顶表面到第一部分
waa
的顶表面的竖直距离
h2
也可以大于从第一电极
rme1
的顶表面到堤
bnl
的顶表面的竖直距离
h3。
192.又可选地,如图9中所示,分隔件
wa
的高度可以小于堤
bnl
的高度

在一个示例中,从第一电极
rme1
的顶表面到第一延伸部
wav1
的顶表面的竖直距离
h1
可以小于从第一电极
rme1
的顶表面到堤
bnl
的顶表面的竖直距离
h3
,并且从第一电极
rme1
的顶表面到第一部分
waa
的顶表面的竖直距离
h2
也可以小于从第一电极
rme1
的顶表面到堤
bnl
的顶表面的竖直距离
h3。
193.连接电极
cne、
第二绝缘层
pas2
和第三绝缘层
pas3
可以设置在分隔件
wa
上,但是本公开不限于此

可以不设置第三绝缘层
pas3。
194.连接电极
cne
可以设置在发光元件
ed、
电极
rme
和分隔件
wa


连接电极
cne
可以部分地设置在分隔件
wa
的第一部分
waa
上,并且可以通过第一部分
waa
和第二绝缘层
pas2
彼此绝缘

连接电极
cne
可以与发光元件
ed
和电极
rme
接触

连接电极
cne
可以与在发光元件
ed
中的每个的两个端表面上暴露的半导体层直接接触并且通过穿透第一绝缘层
pas1
和第二绝
缘层
pas2
的第一触点
ct1
和第二触点
ct2
与电极
rme
中的至少一个直接接触

发光元件
ed
中的每个的两个端部可以通过连接电极
cne
电连接到电极
rme。
195.第一连接电极
cne1
可以在第二方向
dr2
上延伸,并且可以设置在第一电极
rme1
和分隔件
wa


第一连接电极
cne1
的一部分可以与第一电极
rme1
和第一延伸部
wav1
叠置,第一连接电极
cne1
的另一部分可以与分隔件
wa
的第一部分
waa
叠置

第一连接电极
cne1
可以通过暴露第一电极
rme1
的顶表面的第一触点
ct1
与第一电极
rme1
接触,并且还可以与发光元件
ed
的第一端部接触

196.第二连接电极
cne2
可以在第二方向
dr2
上延伸,并且可以设置在第二电极
rme2
和分隔件
wa


第二连接电极
cne2
的一部分可以与第二电极
rme2
和第二延伸部
wav2
叠置,第二连接电极
cne2
的另一部分可以与分隔件
wa
的第一部分
waa
叠置

第二连接电极
cne2
可以通过暴露第二电极
rme2
的顶表面的第二触点
ct2
与第二电极
rme2
接触,并且还可以与发光元件
ed
的第二端部接触

197.第一连接电极
cne1
和第二连接电极
cne2
可以将施加到第一电极
rme1
和第二电极
rme2
的电信号传输到发光元件
ed。
电信号可以直接施加到发光元件
ed。
第一连接电极
cne1
和第二连接电极
cne2
在平面图中可以彼此间隔开

第一连接电极
cne1
和第二连接电极
cne2
可以设置为彼此不直接接触,并且施加到连接电极
cne
的电信号可以流过发光元件
ed。
198.第一连接电极
cne1
和第二连接电极
cne2
可以设置在不同的层中

第一连接电极
cne1
可以设置在第二绝缘层
pas2
下方,第二连接电极
cne2
可以设置在第二绝缘层
pas2


第一连接电极
cne1
和第二连接电极
cne2
可以彼此间隔开,并且可以通过第二绝缘层
pas2
彼此绝缘,但是本公开不限于此

可选地,可以不设置第二绝缘层
pas2
,并且第一连接电极
cne1
和第二连接电极
cne2
可以直接设置在同一层

在这种情况下,由于第一连接电极
cne1
和第二连接电极
cne2
彼此分开预定距离,因此第一连接电极
cne1
和第二连接电极
cne2
可以不直接彼此连接

199.连接电极
cne
可以在设置有第一触点
ct1
和第二触点
ct2
的区域中具有相对大的宽度

连接电极
cne
可以通过单独穿透第一绝缘层
pas1
或者穿透第一绝缘层
pas1
和第二绝缘层
pas2
两者的第一触点
ct1
和第二触点
ct2
与电极
rme
接触

200.第一触点
ct1
和第二触点
ct2
可以形成为在第二方向
dr2
上与设置有发光元件
ed
的区域间隔开,而在第一方向
dr1
上不与发光元件
ed
叠置

第一触点
ct1
和第二触点
ct2
被示出为设置在子区域
sa
中,但是本公开不限于此

可选地,第一触点
ct1
和第二触点
ct2
可以在发射区域
ema
中形成在未设置发光元件
ed
的区域中

201.连接电极
cne
可以包括导电材料

连接电极
cne
可以包括
ito、izo、itzo

al。
在一个示例中,连接电极
cne
可以包括透明导电材料,并且由发光元件
ed
发射的光可以穿过连接电极
cne
朝向电极
rme
行进

然而,本公开不限于该示例

202.第二绝缘层
pas2
可以设置在第一连接电极
cne1、
分隔件
wa
和堤
bnl


第二绝缘层
pas2
可以设置为覆盖第一连接电极
cne1。
第二绝缘层
pas2
可以设置在过孔层
19
的除了设置有第二连接电极
cne2
的区域之外的整个表面上

也就是说,第二绝缘层
pas2
不仅可以设置在第一绝缘层
pas1
上,而且可以设置在分隔件
wa
和堤
bnl


203.第三绝缘层
pas3
可以设置在第二连接电极
cne2、
第二绝缘层
pas2
和分隔件
wa


第三绝缘层
pas3
可以设置在过孔层
19
的整个表面上,以覆盖第二连接电极
cne2、
第二绝缘

pas2
和分隔件
wa。
204.第一绝缘层
pas1、
第二绝缘层
pas2
和第三绝缘层
pas3
可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料,但是本公开不限于此

205.图
10
是根据本公开的实施例的发光元件的透视图

206.参照图
10
,发光元件
ed
可以是发光二极管
(led)(
具体地,具有几纳米或几微米的尺寸并且由无机材料形成的
iled)。
如果在两个相对的电极之间在特定方向上形成电场,则发光元件
ed
可以在形成极性的两个电极之间对准

207.发光元件
ed
可以具有在一个方向上延伸的形状

发光元件
ed
可以具有圆柱体



线或管的形状,但是发光元件
ed
的形状没有具体限制

可选地,发光元件
ed
可以具有诸如规则立方体

长方体或六角柱的多边形柱的形状,或者可以具有在一个方向上延伸但外表面部分倾斜的形状

208.发光元件
ed
可以包括掺杂有任意导电类型
(
例如,
p
型或n型
)
的杂质的半导体层

半导体层可以从外部电源接收电信号以发射特定波长范围的光

发光元件
ed
可以包括第一半导体层
31、
第二半导体层
32、
发光层
36、
电极层
37
和绝缘膜
38。
209.第一半导体层
31
可以包括n型半导体

第一半导体层
31
可以包括半导体材料
(
即,
al
x
gayin
1-x-y
n(
其中
0≤x≤1、0≤y≤1
并且
0≤x y≤1))。
在一个示例中,第一半导体层
31
可以包括掺杂有n型掺杂剂的
algainn、gan、algan、ingan、aln

inn
中的至少一种
。n
型掺杂剂可以是
si、ge

sn。
210.第二半导体层
32
可以设置在第一半导体层
31
上,且发光层
36
置于它们之间

第二半导体层
32
可以包括
p
型半导体

第二半导体层
32
可以包括半导体材料
(
即,
al
x
gayin
1-x-y
n(
其中
0≤x≤1、0≤y≤1
并且
0≤x y≤1))。
在一个示例中,第二半导体层
32
可以包括掺杂有
p
型掺杂剂的
algainn、gan、algan、ingan、aln

inn
中的至少一种
。p
型掺杂剂可以是
mg、zn、ca、se

ba。
211.图
10
示出了第一半导体层
31
和第二半导体层
32
形成为单层,但是本公开不限于此

可选地,根据发光层
36
的材料,第一半导体层
31
和第二半导体层
32
中的每个可以包括多于一个层
(
诸如以盖层或拉伸应变势垒减小
(tsbr)
层为例
)。
212.发光层
36
可以设置在第一半导体层
31
与第二半导体层
32
之间

发光层
36
可以包括单量子阱结构材料或多量子阱结构材料

在发光层
36
包括具有多量子阱结构的材料的情况下,发光层
36
可以具有其中多个量子层与多个阱层交替地堆叠的结构

发光层
36
可以根据经由第一半导体层
31
和第二半导体层
32
施加到其的电信号通过使电子-空穴对结合来发射光

发光层
36
可以包括诸如
algan

algainn
的材料

具体地,在发光层
36
具有其中多个量子层和多个阱层交替地堆叠的多量子阱结构的情况下,量子层可以包括诸如
algan

algainn
的材料,阱层可以包括诸如
gan

alinn
的材料

213.发光层
36
可以具有其中具有大带隙能的半导体材料和具有小带隙能的半导体材料交替地堆叠的结构,或者可以根据要发射的光的波长而包括
iii
族或v族半导体材料

由发光层
36
发射的光的类型没有具体限制

发光层
36
可以根据需要发射红色波长范围或绿色波长范围的光,而不是蓝色光

214.电极层
37
可以是欧姆连接电极,但是本公开不限于此

可选地,电极层
37
可以是肖特基连接电极

发光元件
ed
可以包括至少一个电极层
37。
发光元件
ed
可以包括多于一个电
极层
37
,但是本公开不限于此

可选地,可以不设置电极层
37。
215.当发光元件
ed
电连接到电极
rme
或连接电极
cne
时,电极层
37
可以降低发光元件
ed
与电极
rme
或连接电极
cne
之间的电阻

电极层
37
可以包括导电金属

在一个示例中,电极层
37
可以包括
al、ti、in、au、ag、ito、izo

itzo
中的至少一种

216.绝缘膜
38
可以设置为围绕第一半导体层
31
和第二半导体层
32
以及电极层
37。
在一个示例中,绝缘膜
38
可以设置为至少围绕发光层
36
,但是暴露发光元件
ed
的在长度方向上的两个端部

绝缘膜
38
可以在与发光元件
ed
的至少一端部相邻的区域中在剖视图中形成为圆形

217.绝缘膜
38
可以包括具有绝缘性质的材料
(
诸如以氧化硅
(sio
x
)、
氮化硅
(sin
x
)、
氮氧化硅
(sio
x
ny)、
氮化铝
(aln
x
)
或氧化铝
(alo
x
)
为例
)。
绝缘膜
38
被示出为单层膜,但是本公开不限于此

可选地,在一些实施例中,绝缘膜
38
可以形成为其中堆叠有多个层的多层膜

218.绝缘膜
38
可以保护发光元件
ed
的其他元件

绝缘膜
38
可以防止在发光元件
ed
与电信号施加到其的电极直接接触的情况下在发光层
36
中可能发生的短路

此外,绝缘膜
38
可以防止发光元件
ed
的发射效率的劣化

219.可以对绝缘膜
38
的外表面进行表面处理

发光元件
ed
可以在分散在预定墨中的同时喷射在电极上

这里,可以对绝缘膜
38
的表面进行疏水处理或亲水处理,以保持发光元件
ed
分散在墨中,而不与其他相邻的发光元件
ed
团聚

220.图
11
至图
17
是示出根据本公开的实施例的制造显示装置的方法的剖视图或平面图


11
至图
17
仅示出了根据本公开的实施例的制造显示装置的方法的工艺中的一些

221.参照图
11
,在过孔层
19
上形成第一电极
rme1
和第二电极
rme2
,以在一个方向上延伸

第一电极
rme1
和第二电极
rme2
可以用于使发光元件
ed
对准,并且稍后可以对第一电极
rme1
和第二电极
rme2
进行分割

在第一电极
rme1
和第二电极
rme2
上形成第一绝缘层
pas1。
第一绝缘层
pas1
可以覆盖第一电极
rme1
和第二电极
rme2
,并且可以设置在过孔层
19
的整个表面上

此后,在第一绝缘层
pas1
上形成堤
bnl。
222.此后,参照图
12
,将包括发光元件
ed
的墨
200
喷射到由堤
bnl
分隔的第一绝缘层
pas1



200
可以包括溶剂
220
和分散在溶剂
220
中的多个发光元件
ed。
发光元件
ed
可以均匀地分散在溶剂
220


223.可以使用喷墨印刷装置通过印刷将墨
200
喷射到第一绝缘层
pas1



200
可以通过喷墨印刷装置的喷墨头的喷嘴喷射

通过喷嘴喷射的墨
200
可以定位在形成有第一电极
rme1
和第二电极
rme2
的第一绝缘层
pas1


发光元件
ed
可以在一个方向上延伸,并且可以以随机的对准方向分散在墨
200


一旦墨
200
喷射到第一绝缘层
pas1
上,墨
200
就可以施用在堤
bnl
内部而不溢出堤
bnl。
224.此后,参照图
13
,通过向第一电极
rme1
和第二电极
rme2
施加对准信号以形成电场
el
来使发光元件
ed
对准

分散在溶剂
220
中的发光元件
ed
可以受到来自电场
el
的介电泳力,并且因此可以放置在第一电极
rme1
和第二电极
rme2
上,且它们的对准方向和位置持续改变

225.一旦形成电场
el
,发光元件
ed
就可以受到介电泳力

如果电场
el
形成为平行于过孔层
19
的顶表面,则发光元件
ed
可以对准,使得发光元件
ed
延伸所沿的方向可以平行于过孔层
19
,结果,发光元件
ed
可以设置在第一电极
rme1
和第二电极
rme2


发光元件
ed
可以由
于介电泳力而从它们的初始位置朝向第一电极
rme1
和第二电极
rme2
移动

由于发光元件
ed
的位置和对准方向通过电场
el
持续改变,所以发光元件
ed
中的每个的两个端部可以放置在第一电极
rme1
和第二电极
rme2


发光元件
ed
中的每个可以包括掺杂有不同导电类型的掺杂剂的半导体层,并且可以具有偶极矩

具有偶极矩的发光元件
ed
在放置在电场
el
中时可以受到介电泳力,并且因此可以对准以使其两个端部放置在第一电极
rme1
和第二电极
rme2


226.此后,通过热处理工艺去除溶剂
220。
可以在其内部功率可控的腔室中执行热处理工艺

腔室可以控制其中的压力,并且可以在控制压力的情况下通过施加热量来去除溶剂
220。
根据图
11
至图
17
的实施例,可以在低压环境中通过热处理工艺完全地去除溶剂
220。
可以在
10-4
托至1托的压力以及
25℃

150℃
的温度下执行溶剂
220
的去除

在这种情况下,可以降低溶剂
220
的沸点,使得溶剂
220
可以变得容易去除

可以在腔室中执行1分钟至
30
分钟热处理工艺,但是本公开不限于此

227.此后,参照图
14
,在由堤
bnl
分隔的第一绝缘层
pas1
上和发光元件
ed
上施用有机材料层
310。
可以通过溶液工艺
(
诸如以旋涂

狭缝涂覆或喷墨印刷为例
)
形成有机材料层
310。
有机材料层
310
可以由
pi
形成,但是本公开不限于此

228.此后,在有机材料层
310
上形成用于形成分隔件
wa
的硬掩模
330。
硬掩模
330
可以由无机材料
(
诸如以
ito
为例
)
形成

硬掩模
330
可以形成为具有与分隔件
wa
相同的平面形状

229.此后,参照图
15
和图
16
,使用硬掩模
330
通过对有机材料层
310
进行干蚀刻来形成分隔件
wa。
分隔件
wa
可以包括第一部分
waa、
第二部分
wav(
即,第一延伸部
wav1
和第二延伸部
wav2)
和第三部分
wah(
即,第一连接件
wah1
和第二连接件
wah2)
,并且可以同时形成第一部分
waa、
第二部分
wav
和第三部分
wah。
230.由于分隔件
wa
的第一部分
waa、
第二部分
wav
和第三部分
wah
通过同一掩模工艺形成,因此从第一电极
rme1
的顶表面到第一部分
waa
的顶表面

第二部分
wav
的顶表面和第三部分
wah
的顶表面的竖直距离可以全部相同

此外,由于在发光元件
ed
的对准之后形成分隔件
wa
,所以可以增大可以施用到子像素
spxn
的发射区域
ema
上的墨的体积

结果,可以增加可以在发射区域
ema
中对准的发光元件的数量,并且因此可以改善亮度

此外,由于使用硬掩模
330
通过干蚀刻形成分隔件
wa
,所以分隔件
wa
可以形成为具有大的锥角

分隔件
wa
可以具有
40
°
或更大的锥角

此外,由于通过单个掩模工艺形成具有各个部分的分隔件
wa
,所以可以减少掩模工艺的数量,从而可以简化显示装置的制造

231.此后,在目标基底
150
上形成第一连接电极
cne1、
第二绝缘层
pas2、
第二连接电极
cne2
和第三绝缘层
pas3。
232.具体地,参照图
17
,通过沉积电极材料层并使电极材料层图案化来形成第一连接电极
cne1。
第一连接电极
cne1
可以邻接发光元件
ed
的第一端部

此后,通过沉积绝缘材料并使绝缘材料图案化来形成覆盖第一连接电极
cne1
并暴露发光元件
ed
的第二端部的第二绝缘层
pas2。
通过沉积电极材料层并使电极材料层图案化来形成第二连接电极
cne2。
第二连接电极
cne2
可以邻接发光元件
ed
的第二端部

此后,形成第三绝缘层
pas3。
以此方式,可以获得显示装置
10。
233.在下文中,将描述根据本公开的其他实施例的显示装置

234.图
18
是根据本公开的另一实施例的显示装置的子像素的平面图


19
是沿着图
18
的线
q5-q5'
截取的剖视图


20
是沿着图
18
的线
q5-q5'
截取的剖视图


21
是根据本公开的另一实施例的显示装置的子像素的平面图


22
是沿着图
21
的线
q6-q6'
截取的剖视图

235.参照图
18
至图
22
,显示装置
10
可以包括分隔件
wa。

18
至图
22
的实施例与图2至图9的实施例的不同之处在于,显示装置
10
还包括反射层
rfl。
将省略或简化上面已经参照图2至图9描述的元件或特征的描述

236.参照图
18
和图
19
,显示装置
10
还可以包括设置在分隔件
wa
上的反射层
rfl。
反射层
rfl
可以至少设置在分隔件
wa
的部分的侧表面上

具体地,反射层
rfl
可以设置在分隔件
wa
的第一延伸部
wav1
和第二延伸部
wav2
的在第二方向
dr2
上延伸的侧表面上

反射层
rfl
可以在第二方向
dr2
上延伸,并且可以在第一方向
dr1
上彼此间隔开

反射层
rfl
可以设置在第一延伸部
wav1
和第二延伸部
wav2
的彼此相对的侧表面上

在一个示例中,反射层
rfl
中的一个可以设置在第一延伸部
wav1
的与发光元件
ed
相邻的侧表面上,并且另一反射层
rfl
可以设置在第二延伸部
wav2
的与发光元件
ed
相邻的侧表面上

237.反射层
rfl
可以与多个连接电极
cne
接触

具体地,第一延伸部
wav1
的侧表面上的反射层
rfl
可以与第一连接电极
cne1
接触,并且可以接触第一连接电极
cne1
的底表面,第二延伸部
wav2
的侧表面上的反射层
rfl
可以与第二连接电极
cne2
接触,并且可以接触第二连接电极
cne2
的底表面

由于反射层
rfl
与连接电极
cne
接触,所以反射层
rfl
可以减小连接电极
cne
的电阻

238.反射层
rfl
可以与第一延伸部
wav1
和第二延伸部
wav2
的侧表面接触,并且反射层
rfl
的端部可以与第一绝缘层
pas1
直接接触

反射层的第二端部可以与第一延伸部
wav1
和第二延伸部
wav2
的顶表面对齐

反射层
rfl
可以与第一延伸部
wav1
和第二延伸部
wav2
的整个侧表面接触,但是本公开不限于此

可选地,反射层
rfl
可以仅设置在第一延伸部
wav1
和第二延伸部
wav2
的侧表面的部分上

239.反射层
rfl
可以由具有高反射率的金属
(
诸如以
al、ti

ni
为例
)
形成

反射层
rfl
可以沿着第一延伸部
wav1
和第二延伸部
wav2
的侧表面倾斜设置

反射层
rfl
可以从两个方向围绕发光元件
ed。
因此,可以通过使由发光元件
ed
发射的光在向上方向上反射来改善亮度

240.如上面已经提及的,由于使用硬掩模通过干蚀刻形成分隔件
wa
,所以分隔件
wa
可以具有大的锥角

因此,可以提高第一延伸部
wav1
和第二延伸部
wav2
的侧表面上的反射层
rfl
的倾斜角,结果,可以改善由发光元件
ed
发射的光的反射效率

241.可选地,参照图
20
,反射层
rfl
可以进一步朝向发光元件
ed
延伸

具体地,第一延伸部
wav1
上的反射层
rfl
可以与第一延伸部
wav1
的侧表面部分地接触并且还可以与第一绝缘层
pas1
部分地接触以平行于第一电极
rme1
,第二延伸部
wav2
上的反射层
rfl
可以与第二延伸部
wav2
的侧表面部分地接触并且还可以与第一绝缘层
pas1
部分地接触以平行于第二电极
rme2。
242.反射层
rfl
的设置为与第一电极
rme1
和第二电极
rme2
平行的部分可以在向上方向上反射从其上方入射到其上的光,并且可以改善亮度

反射层
rfl
可以设置为与发光元件
ed
分开预定距离,使得第一连接电极
cne1
和第二连接电极
cne2
可以与发光元件
ed
中的每个的两个端部接触

243.又可选地,反射层
rfl
还可以设置在分隔件
wa
的第三部分
wah
的侧表面上
(
即,在第
一连接件
wah1
和第二连接件
wah2
的侧表面上
)。
244.参照图
21
和图
22
,反射层
rfl
可以设置在分隔件
wa
的第三部分
wah
的在第一方向
dr1
上延伸的侧表面
(
即,第一连接件
wah1
和第二连接件
wah2
的侧表面
)
上并且沿着分隔件
wa
的第三部分
wah
的在第一方向
dr1
上延伸的侧表面延伸

反射层
rfl
的设置在第一连接件
wah1
和第二连接件
wah2
的侧表面上的部分可以在第一方向
dr1
上延伸,并且可以在第二方向
dr2
上彼此间隔开

反射层
rfl
可以设置在第一连接件
wah1
和第二连接件
wah2
的彼此相对的侧表面上

在一个示例中,反射层
rfl
中的一个可以设置在第一连接件
wah1
的与发光元件
ed
相邻的侧表面上,另一反射层
rfl
可以设置在第二连接件
wah2
的与发光元件
ed
相邻的侧表面上

245.反射层
rfl
中的一个可以与第一电极
rme1
叠置,并且可以在第一连接件
wah1、
第一延伸部
wav1
和第二连接件
wah2
的侧表面之上连续地连接

另一反射层
rfl
可以与第二电极
rme2
叠置,并且可以在第一连接件
wah1、
第二延伸部
wav2
和第二连接件
wah2
的侧表面之上连续地连接

反射层
rfl
可以设置为在第一连接件
wah1
和第二连接件
wah2
上彼此分开预定距离

246.反射层
rfl
可以设置在第一连接件
wah1
和第二连接件
wah2
以及第一延伸部
wav1
和第二延伸部
wav2
的侧表面上,以从四个方向围绕发光元件
ed。
因此,可以通过使由发光元件
ed
发射的光在向上方向上反射来改善亮度

247.图
23
是根据本公开的另一实施例的显示装置的像素的平面图


24
是根据本公开的另一实施例的显示装置的像素的平面图

248.参照图
23
和图
24
,显示装置
10
可以包括分隔件
wa。

23
和图
24
的实施例与图2至图9以及图
18
至图
22
的实施例的不同之处在于,未设置分隔件
wa
的第三部分
wah(
即,第一连接件
wah1
和第二连接件
wah2)。
将省略或简化上面已经参照图2至图9以及图
18
至图
22
描述的元件或特征的描述

249.参照图
23
和图
24
,分隔件
wa
可以包括在第二方向
dr2
上延伸并且在第一方向
dr1
上彼此间隔开的第二部分
wav(
即,第一延伸部
wav1
和第二延伸部
wav2)
和设置在第一延伸部
wav1
与第二延伸部
wav2
之间并且在第二方向
dr2
上延伸的第一部分
waa。
第一延伸部
wav1
和第二延伸部
wav2
以及第一部分
waa
可以不彼此连接,而是可以彼此分开且彼此间隔开

第一延伸部
wav1
和第二延伸部
wav2
以及第一部分
waa
可以与图2至图9以及图
18
至图
22
的实施例中的任何一个的它们各自的对应物相同,因此将省略其详细描述

250.与图2至图9以及图
18
至图
22
的实施例中的任何一个的对应物不同,分隔件
wa
可以不包括在第一方向
dr1
上延伸的第三部分
wah
,并且可以包括在第二方向
dr2
上延伸的第一延伸部
wav1
和第二延伸部
wav2
以及第一部分
waa。
因此,可以改善通过干蚀刻同时形成的分隔件
wa
的图案

251.反射层
rfl
可以设置在第一延伸部
wav1
和第二延伸部
wav2
的彼此面对的侧表面上

由于反射层
rfl
设置为彼此相邻且多个发光元件
ed
置于它们之间,所以反射层
rfl
可以在向上方向上发射由发光元件
ed
发射的光,并且可以改善亮度

252.图
25
是根据本公开的另一实施例的显示装置的子像素的平面图


26
是沿着图
25
的线
q7-q7'
截取的剖视图


27
是沿着图
25
的线
q8-q8'
截取的剖视图


26
示出了横跨图
25
中的第一发光元件
ed1
和第二发光元件
ed2
中的每个的两个端部截取的剖视图,图
27
示出
了横跨图
25
的多个触点
ct1、ct2、ct3

ct4
截取的剖视图

253.参照图
25
至图
27
,在每个子像素
spxn
中,显示装置
10
可以包括相对多数量的电极
rme
和相对多数量的连接电极
cne
,并且还可以包括相对多数量的发光元件
ed。

25
至图
27
的实施例与图2至图9以及图
18
至图
24
的实施例的不同之处在于,在每个子像素
spxn
中电极
rme
和连接电极
cne
的布局以及分隔件
wa
的形状

将省略或简化上面已经参照图2至图9以及图
18
至图
24
描述的元件或特征的描述

254.分隔件
wa
可以包括与发光元件
ed
叠置的第一部分
waa、
彼此间隔开且第一部分
waa
置于它们之间的第二部分
wav
以及使第一部分
waa
和第二部分
wav
连接的第三部分
wah。
255.第一部分
waa
可以包括第一固定件
waa1
和第二固定件
waa2
,第一固定件
waa1
在第二方向
dr2
上延伸并且设置在第二部分
wav
中的一些之间
(
即,在第一延伸部
wav1
与第二延伸部
wav2
之间
)
,第二固定件
waa2
在第二方向
dr2
上延伸并且设置在第二部分
wav
中的一些之间
(
即,在第二延伸部
wav2
与第三延伸部
wav3
之间
)。
第二部分
wav
可以连接第三部分
wah(
即,第一连接件
wah1
和第二连接件
wah2)
,并且可以包括在第二方向
dr2
上延伸且在第一方向
dr1
上彼此间隔开的第一延伸部
wav1、
第二延伸部
wav2
和第三延伸部
wav3。
第三部分
wah
可以包括在第一方向
dr1
上延伸并在第二方向
dr2
上彼此间隔开的第一连接件
wah1
和第二连接件
wah2。
256.第一连接件
wah1
和第二连接件
wah2
可以具有与图2至图9的它们各自的对应物相同的结构

第一连接件
wah1
和第二连接件
wah2
可以设置为与多个电极
rme
和多个连接电极
cne
叠置

第一连接件
wah1
和第二连接件
wah2
可以与第一电极
rme1、
第二电极
rme2、
第三电极
rme3
和第四电极
rme4
叠置

第一连接件
wah1
可以与第五连接电极
cne5
的第三连接件
cn_b3
叠置

第二连接件
wah2
可以与第一连接电极
cne1、
第二连接电极
cne2、
第三连接电极
cne3
和第四连接电极
cne4
叠置

257.第一延伸部
wav1
可以与第一电极
rme1
以及第一连接电极
cne1
和第三连接电极
cne3
叠置

第二延伸部
wav2
可以与第二电极
rme2
和第三电极
rme3
并且与第二连接电极
cne2、
第三连接电极
cne3、
第四连接电极
cne4
和第五连接电极
cne5
叠置

第三延伸部
wav3
可以与第四电极
rme4
并且与第四连接电极
cne4
和第五连接电极
cne5
叠置

在一个示例中,第一延伸部
wav1
可以设置在发射区域
ema
的左部分中,第二延伸部
wav2
可以设置在发射区域
ema
的中间中,第三延伸部
wav3
可以设置在发射区域
ema
的右部分中

第一延伸部
wav1
和第二延伸部
wav2
可以在第一方向
dr1
上彼此间隔开,且第一发光元件
ed1
和第三发光元件
ed3
置于它们之间

258.第一固定件
waa1
和第二固定件
waa2
可以在第二方向
dr2
上延伸,并且可以是第一部分
waa
的与发光元件
ed
叠置的部分

第一固定件
waa1
可以直接设置在第一发光元件
ed1
和第三发光元件
ed3
上以固定并保护第一发光元件
ed1
和第三发光元件
ed3
,第二固定件
waa2
可以直接设置在第二发光元件
ed2
和第四发光元件
ed4
上以固定并保护第二发光元件
ed2
和第四发光元件
ed4。
第一固定件
waa1
和第二固定件
waa2
可以与连接电极
cne
叠置

第一固定件
waa1
可以与第一连接电极
cne1、
第三连接电极
cne3
和第五连接电极
cne5
叠置,第二固定件
waa2
可以与第二连接电极
cne2、
第四连接电极
cne4
和第五连接电极
cne5
叠置

259.由于分隔件
wa
设置在电极
rme
和发光元件
ed
上,所以可以增大可以施用到发射区域
ema
上的墨的体积

结果,可以增加可以在发射区域
ema
中对准的发光元件的数量,因此可
以改善亮度

260.电极
rme
可以包括第一电极
rme1
和第二电极
rme2
,并且还可以包括第三电极
rme3
和第四电极
rme4。
261.第三电极
rme3
可以设置在第一电极
rme1
与第二电极
rme2
之间,并且第四电极
rme4
可以在第一方向
dr1
上与第三电极
rme3
间隔开且第二电极
rme2
置于它们之间

电极
rme
可以沿着从左到右的方向以第一电极
rme1、
第三电极
rme3、
第二电极
rme2
和第四电极
rme4
的顺序布置

262.电极
rme
可以横跨堤
bnl
从发射区域
ema
延伸到子区域
sa。
第一电极
rme1
和第二电极
rme2
可以通过第一电极接触孔
ctd
和第二电极接触孔
cts
连接到其下方的第三导电层

然而,第三电极
rme3
和第四电极
rme4
可以不直接连接到第三导电层,并且可以通过发光元件
ed
和连接电极
cne
电连接到第一电极
rme1
和第二电极
rme2。
第一电极
rme1
和第二电极
rme2
可以是通过第一电极接触孔
ctd
和第二电极接触孔
cts
直接连接到第三导电层的第一类型电极,第三电极
rme3
和第四电极
rme4
可以是不直接连接到第三导电层的第二类型电极

第二类型电极可以与连接电极
cne
一起提供用于发光元件
ed
的电连接路径

263.发光元件
ed
中的每个可以设置在不同的电极
rme


发光元件
ed
中的一些可以设置在第一延伸部
wav1
与第二延伸部
wav2
之间,发光元件
ed
中的另一些可以设置在第二延伸部
wav2
与第三延伸部
wav3
之间

发光元件
ed
可以包括设置在第一延伸部
wav1
与第二延伸部
wav2
之间的第一发光元件
ed1
和第三发光元件
ed3
以及设置在第二延伸部
wav2
与第三延伸部
wav3
之间的第二发光元件
ed2
和第四发光元件
ed4。
第一发光元件
ed1
和第三发光元件
ed3
可以设置在第一电极
rme1
和第三电极
rme3
上,第二发光元件
ed2
和第四发光元件
ed4
可以设置在第二电极
rme2
和第四电极
rme4


第一发光元件
ed1
和第二发光元件
ed2
可以设置为与发射区域的下侧或子区域
sa
相邻,第三发光元件
ed3
和第四发光元件
ed4
可以设置为与发射区域
ema
的上侧相邻

这里,发光元件
ed
可以不是通过它们在发射区域
ema
中的位置来分类,而是通过它们如何连接到连接电极
cne
来分类

发光元件
ed
中的每个所连接的一组连接电极
cne
可以根据连接电极
cne
的布局而变化,发光元件
ed
可以根据它们各自连接到哪一个连接电极
cne
而被分类为不同的组

264.连接电极
cne
可以包括分别设置在第一电极
rme1
和第二电极
rme2
上的第一连接电极
cne1
和第二连接电极
cne2
,并且还可以包括第三连接电极
cne3、
第四连接电极
cne4
和第五连接电极
cne5
,并且第三连接电极
cne3、
第四连接电极
cne4
和第五连接电极
cne5
中的每个可以设置在多于一个的电极
rme


265.第一连接电极
cne1
可以在第二方向
dr2
上比第二连接电极
cne2


第一连接电极
cne1
和第二连接电极
cne2
可以设置在发射区域
ema
的中心的下侧

第一连接电极
cne1
和第二连接电极
cne2
可以设置在发射区域和子区域
sa
中并且设置为横跨发射区域和子区域
sa
,并且可以分别通过第一触点
ct1
和第二触点
ct2
与第一电极
rme1
和第二电极
rme2
接触

266.第三连接电极
cne3
可以包括设置在第三电极
rme3
上的第一子延伸部
cn_e1、
设置在第一电极
rme1
上的第二子延伸部
cn_e2
以及使第一子延伸部
cn_e1
和第二子延伸部
cn_e2
连接的第一子连接件
cn_b1。
第一子延伸部
cn_e1
可以在第一方向
dr1
上与第一连接电极
cne1
间隔开并面对第一连接电极
cne1
,第二子延伸部
cn_e2
可以在第二方向
dr2
上与第一连接电极
cne1
间隔开并面对第一连接电极
cne1。
第一子延伸部
cn_e1
可以设置在发射区域
ema
的下部中,第二子延伸部
cn_e2
可以设置在发射区域
ema
的上部中

第一子延伸部
cn_e1
可以设置在发射区域
ema
和子区域
sa
中并且设置为横跨发射区域
ema
和子区域
sa
,并且可以通过设置在子区域
sa
中的第三触点
ct3
连接到第三电极
rme3。
第一子连接件
cn_b1
可以在发射区域
ema
的中间中设置在第一电极
rme1
和第三电极
rme3
之上

第三连接电极
cne3
可以大体在第二方向
dr2
上延伸,并且可以在第一方向
dr1
上弯曲然后再在第二方向
dr2
上延伸

267.第四连接电极
cne4
可以包括设置在第四电极
rme4
上的第三子延伸部
cn_e3、
设置在第二电极
rme2
上的第四子延伸部
cn_e4
以及使第三子延伸部
cn_e3
和第四子延伸部
cn_e4
连接的第二子连接件
cn_b2。
第三子延伸部
cn_e3
可以在第一方向
dr1
上与第二连接电极
cne2
间隔开并面对第二连接电极
cne2
,第四子延伸部
cn_e4
可以在第二方向
dr2
上与第二连接电极
cne2
间隔开并面对第二连接电极
cne2。
第三子延伸部
cn_e3
可以设置在发射区域
ema
的下部中,第四子延伸部
cn_e4
可以设置在发射区域
ema
的上部中

第三子延伸部
cn_e3
可以设置在发射区域
ema
和子区域
sa
中并且设置为横跨发射区域
ema
和子区域
sa
,并且可以通过设置在子区域
sa
中的第四触点
ct4
连接到第四电极
rme4。
第二子连接件
cn_b2
可以在发射区域
ema
的中心附近设置在第二电极
rme2
和第四电极
rme4
之上

第四连接电极
cne4
可以大体在第二方向
dr2
上延伸,并且可以在第一方向
dr1
上弯曲然后再在第二方向
dr2
上延伸

268.第五连接电极
cne5
可以包括设置在第三电极
rme3
上的第五子延伸部
cn_e5、
设置在第四电极
rme4
上的第六子延伸部
cn_e6
以及使第五子延伸部
cn_e5
和第六子延伸部
cn_e6
连接的第三子连接件
cn_b3。
第五子延伸部
cn_e5
可以在第一方向
dr1
上与第三连接电极
cne3
的第二子延伸部
cn_e2
间隔开并面对第三连接电极
cne3
的第二子延伸部
cn_e2
,第六子延伸部
cn_e6
可以在第一方向
dr1
上与第四连接电极
cne4
的第四子延伸部
cn_e4
间隔开并面对第四连接电极
cne4
的第四子延伸部
cn_e4。
第五子延伸部
cn_e5
和第六子延伸部
cn_e6
可以设置在发射区域
ema
的上部中,第三子连接件
cn_b3
可以设置在第二电极
rme2、
第三电极
rme3
和第四电极
rme4
之上

在平面图中,第五连接电极
cne5
可以设置为围绕第四连接电极
cne4
的第四子延伸部
cn_e4。
269.第一连接电极
cne1
和第二连接电极
cne2
可以是连接到第一电极
rme1
和第二电极
rme2
的第一类型连接电极,第一电极
rme1
和第二电极
rme2
直接连接到第三导电层,第三连接电极
cne3
和第四连接电极
cne4
可以是连接到第三电极
rme3
和第四电极
rme4
的第二类型连接电极,第三电极
rme3
和第四电极
rme4
不直接连接到第三导电层,第五连接电极
cne5
可以是不连接到电极
rme
的第三类型连接电极

270.如上所述,发光元件
ed
可以根据它们连接到哪一个连接电极
cne
而分类为不同的组

271.第一发光元件
ed1
和第二发光元件
ed2
可以具有与第一类型连接电极接触的第一端部和与第二类型连接电极接触的第二端部

第一发光元件
ed1
可以与第一连接电极
cne1
和第三连接电极
cne3
接触,第二发光元件
ed2
可以与第二连接电极
cne2
和第四连接电极
cne4
接触

第三发光元件
ed3
和第四发光元件
ed4
可以具有与第二类型连接电极接触的第一端部和与第三类型连接电极接触的第二端部

第三发光元件
ed3
可以与第三连接电极
cne3
和第五连接电极
cne5
接触,第四发光元件
ed4
可以与第四连接电极
cne4
和第五连接电极
cne5
接触

272.发光元件
ed
可以经由连接电极
cne
串联连接

由于数量相对多的发光元件
ed
可以
设置在每个子像素
spxn
中并且可以在其间构造串联连接,所以可以进一步提高显示装置
10
的每单位面积发射的光的量

273.图
28
是根据本公开的另一实施例的显示装置的子像素的平面图


29
是沿着图
28
的线
q9-q9'
截取的剖视图


30
是沿着图
28
的线
q10-q10'
截取的剖视图


29
示出了横跨图
28
的第一发光元件
ed1
和第二发光元件
ed2
中的每个的两个端部截取的剖视图,图
30
示出了横跨图
28
的多个触点
ct1

ct2
截取的剖视图

274.参照图
28
至图
30
,显示装置
10
的子像素
spxn
的电极
rme
和连接电极
cne
可以与前述实施例中的任何一个的它们各自的对应物不同

显示装置
10
的分隔件
wa
可以具有与图
25
至图
27
的分隔件
wa
相同的结构,但是相对于电极
rme
和连接电极
cne
具有不同的布局

275.分隔件
wa
的第三部分
wah(
即,第一连接件
wah1
和第二连接件
wah2)
可以具有与图2至图9的第一连接件
wah1
和第二连接件
wah2
相同的结构

第一连接件
wah1
和第二连接件
wah2
可以与电极
rme
和连接电极
cne
叠置

第一连接件
wah1
和第二连接件
wah2
可以与第一电极
rme1、
第二电极
rme2
和第三电极
rme3
叠置

第一连接件
wah1
可以与第一连接电极
cne1
和第二连接电极
cne2
叠置

第二连接件
wah2
可以与第三连接电极
cne3
叠置

276.作为分隔件
wa
的第二部分
wav
的第一延伸部
wav1
可以与第二电极
rme2
和第二连接电极
cne2
叠置

作为分隔件
wa
的另一第二部分
wav
的第二延伸部
wav2
可以与第一电极
rme1
和第一连接电极
cne1
叠置

作为分隔件
wa
的另一第二部分
wav
的第三延伸部
wav3
可以与第三电极
rme3
和第三连接电极
cne3
叠置

在一个示例中,第一延伸部
wav1
可以设置在发射区域
ema
的左部分中,第二延伸部
wav2
可以设置在发射区域
ema
的中间中,第三延伸部
wav3
可以设置在发射区域
ema
的右部分中

第一延伸部
wav1
和第二延伸部
wav2
可以在第一方向
dr1
上彼此间隔开且第二发光元件
ed2
置于它们之间,第二延伸部
wav2
和第三延伸部
wav3
可以在第一方向
dr1
上彼此间隔开且第一发光元件
ed1
置于它们之间

277.分隔件
wa
的第一部分
(
即,第一固定件
waa1
和第二固定件
waa2)
可以在第二方向
dr2
上延伸,并且可以是分隔件
wa
的与发光元件
ed
叠置的部分

第一固定件
waa1
可以直接设置在第二发光元件
ed2
上以固定并保护第二发光元件
ed2
,第二固定件
waa2
可以直接设置在第一发光元件
ed1
上以固定并保护第一发光元件
ed1。
第一固定件
waa1
和第二固定件
waa2
可以与连接电极
cne
叠置

第一固定件
waa1
可以与第二连接电极
cne2
和第三连接电极
cne3
叠置,第二固定件
waa2
可以与第一连接电极
cne1
和第三连接电极
cne3
叠置

278.由于分隔件
wa
设置在电极
rme
和发光元件
ed
上,因此可以增大可以施加到发射区域
ema
上的墨的体积

结果,可以增大可以在发射区域
ema
中对准的发光元件的数量,因此可以改善亮度

279.电极
rme
可以包括第一电极
rme1、
第二电极
rme2
和第三电极
rme3。
第一电极
rme1
可以设置在发射区域
ema
的中间中,第二电极
rme2
可以设置在第一电极
rme1
的左侧,第三电极
rme3
可以设置在第一电极
rme1
的右侧

280.第一电极
rme1
可以设置在第二延伸部
wav2
上,第二电极
rme2
可以设置在第一延伸部
wav1
上,第三电极
rme3
可以设置在第三延伸部
wav3


电极
rme
可以至少设置在第一延伸部
wav1、
第二延伸部
wav2
和第三延伸部
wav3
的倾斜侧表面上

第一电极
rme1
可以具有在第一方向
dr1
上比第二延伸部
wav2
大的宽度,第二电极
rme2
可以具有在第一方向
dr1
上比第一延伸部
wav1
小的宽度,第三电极
rme3
可以具有在第一方向
dr1
上比第三延伸部
wav3
小的宽


281.第一电极
rme1
和第三电极
rme3
可以在第二方向
dr2
上延伸

在子像素
spxn
的子区域
sa
的分离部
rop
中,第一电极
rme1
和第三电极
rme3
可以与另一子像素
spxn
的第一电极
rme1
和第三电极
rme3
间隔开

第二电极
rme2
可以在第一方向
dr1
上延伸横跨在第一方向
dr1
上布置的多个子像素
spxn。
282.第一电极
rme1
可以通过形成在与堤
bnl
叠置的区域中的第一电极接触孔
ctd
连接到第三导电层

第一电极
rme1
可以通过第一电极接触孔
ctd
与第三导电层接触,第一电极接触孔
ctd
在发射区域
ema
的上侧在与堤
bnl
叠置的区域中穿透过孔层
17。
根据每个子像素
spxn
中的第三导电层的结构,第一电极接触孔
ctd
的位置可以从一个子像素
spxn
到另一子像素
spxn
不同

283.第二电极
rme2
可以通过第二电极接触孔
cts
连接到第二电压线
vl2
,第二电极接触孔
cts
在发射区域
ema
的下侧在子区域
sa
中穿透过孔层
17。
284.发光元件
ed
中的每个可以设置在不同的电极
rme


发光元件
ed
可以包括设置在第一电极
rme1
和第三电极
rme3
上的第一发光元件
ed1
以及设置在第一电极
rme1
和第二电极
rme2
上的第二发光元件
ed2。
第一发光元件
ed1
可以设置在第一电极
rme1
的右侧,第二发光元件
ed2
可以设置在第一电极
rme1
的左侧

285.连接电极
cne
可以包括作为第一类型连接电极的第一连接电极
cne1
和第二连接电极
cne2
以及作为第二类型连接电极的第三连接电极
cne3。
286.第一连接电极
cne1
可以在第二方向
dr2
上延伸,并且可以设置在第一电极
rme1


第一连接电极
cne1
的在第二延伸部
wav2
上的一部分可以与第一电极
rme1
叠置,并且可以从第一电极
rme1
在第二方向
dr2
上延伸超过堤
bnl
以设置在发射区域
ema
上方的另一子像素
spxn
的子区域
sa


在子像素
spxn
的子区域
sa
中,第一连接电极
cne1
可以通过第一触点
ct1
与第一电极
rme1
接触

287.第二连接电极
cne2
可以在第二方向
dr2
上延伸,并且可以设置在第二电极
rme2


第二连接电极
cne2
的在第一延伸部
wav1
上的一部分可以与第二电极
rme2
叠置,并且可以从第二电极
rme2
在第二方向
dr2
上延伸超过堤
bnl
以设置在发射区域
ema
上方的另一子像素
spxn
的子区域
sa


在子像素
spxn
的子区域
sa
中,第二连接电极
cne2
可以通过第二触点
ct2
与第二电极
rme2
接触

288.第三连接电极
cne3
可以包括在第二方向
dr2
上延伸的第一子延伸部
cn_e1
和第二子延伸部
cn_e2
以及使第一子延伸部
cn_e1
和第二子延伸部
cn_e2
连接的第一子连接件
cn_b1。
第一子延伸部
cn_e1
可以在发射区域
ema
中设置在第三电极
rme3
上,第二子延伸部
cn_e2
可以在发射区域
ema
中设置在第一电极
rme1


第一子连接件
cn_b1
可以在堤
bnl
的在发射区域
ema
下方的一部分上在第一方向
dr1
上延伸,并且可以使第一子延伸部
cn_e1
和第二子延伸部
cn_e2
连接

第三连接电极
cne3
可以设置在发射区域
ema
中和堤
bnl
上,并且可以不连接到第三电极
rme3。
289.第三电极
rme3
可以完全地被第一绝缘层
pas1
覆盖

第三电极
rme3
的顶表面在子区域
sa
中可以不暴露,第三电极
rme3
可以以第三电极
rme3
不电连接到连接电极
cne
和发光元件
ed
的浮置状态布置

第一发光元件
ed1
和第二发光元件
ed2
可以仅通过第三连接电极
cne3
串联连接

290.如图
28
中所示,第三电极
rme3
可以保持浮置以不连接到连接电极
cne
,但是可以连接到与其相邻的另一电极
rme。
在一个示例中,第三电极
rme3
可以连接到在第一方向
dr1
上与子像素
spxn
相邻的另一子像素
spxn
的第二电极
rme2
,并且第二电源电压可以施加到第三电极
rme3。
因为第三电极
rme3
不连接到连接电极
cne
,所以即使第二电源电压施加到第三电极
rme3
,第二电源电压也不会影响发光元件
ed
的光的发射

在该示例中,第三电极
rme3
可以从相邻子像素
spxn
的第二电极
rme2
分支,并且仅第一电极
rme1
可以在子像素
spxn
的子区域
sa
的分离部
rop
中分离

291.在结束详细描述时,本领域技术人员将理解的是,在基本上不脱离公开的原理的情况下,可以对实施例进行许多变化和修改

因此,公开的实施例仅在一般性和描述性意义上使用,而不是出于限制的目的

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