一种改进型集成式的制作方法-尊龙凯时官方app下载

文档序号:36405572发布日期:2023-12-16 11:49阅读:来源:国知局

技术特征:
1.
一种改进型集成式
led
芯片结构,其特征在于,包括:生长衬底;位于所述生长衬底之上设有层状外延结构,其包括外延结构一和外延结构二,且二者之间以绝缘层进行隔离;所述外延结构一和外延结构二从下至上均包括负极性层

量子阱发光层和正极性层;位于所述外延结构一和外延结构二的正极性层之上设有透明导电层;位于所述外延结构一的正极性层及负极性层

外延结构二的正极性层及负极性层

透明导电层和生长衬底之上设有第一绝缘层;位于所述第一绝缘层

透明导电层

外延结构一的负极性层和外延结构二的负极性层之上设有第一扩展电极;位于所述第一绝缘层

第一扩展电极

透明导电层

外延结构一的负极性层和外延结构二的负极性层之上设有反射绝缘层;位于所述第一绝缘层

反射绝缘层和第一扩展电极之上设有第二扩展电极;位于所述第二扩展电极之上设有
micro led
芯片;位于所述
micro led
芯片

反射绝缘层

第二扩展电极和第一绝缘层之上设有第二绝缘层;位于所述第二绝缘层和第二扩展电极之上设有焊线电极
。2.
如权利要求1所述的改进型集成式
led
芯片结构,其特征在于,所述生长衬底为蓝宝石衬底,其厚度为
80-200um。3.
如权利要求1所述的改进型集成式
led
芯片结构,其特征在于,所述外延结构一和外延结构二分别为蓝光外延结构和绿光外延结构,并通过量子阱发光层中元素掺杂浓度,控制外延结构一和外延结构二分别发出不同颜色光
。4.
如权利要求1所述的改进型集成式
led
芯片结构,其特征在于,所述透明导电层材料为
ito
或者
izo
,厚度
50-200nm。5.
如权利要求1所述的改进型集成式
led
芯片结构,其特征在于,所述第一绝缘层为无机材料或有机材料制成,其厚度为
50-200nm
;且从所述第一绝缘层的顶面贯穿至外延结构一和外延结构二的正极性层之上的透明导电层以及外延结构一和外延结构二的负极性层上设有第一绝缘层窗口,使透明导电层

外延结构一和外延结构二的负极性层部分显露;所述第一绝缘层窗口的形状为圆形

椭圆形

方形或菱形中的一种,其孔径大小从底面至顶面逐渐增大
。6.
如权利要求5所述的改进型集成式
led
芯片结构,其特征在于,所述第一扩展电极包括负极性扩展电极和正极性扩展电极,其中正极性扩展电极和透明导电层通过第一绝缘层窗口互联,负极性扩展电极和外延结构一及外延结构二的负极性层通过第一绝缘层窗口互联
。7.
如权利要求1所述的改进型集成式
led
芯片结构,其特征在于,所述反射绝缘层为
dbr
反射结构,其厚度为
1-5um。8.
如权利要求7所述的改进型集成式
led
芯片结构,其特征在于,从所述反射绝缘层的顶面贯穿至第一扩展电极的表面处设有反射绝缘层窗口,其形状为圆形

椭圆形

方形或菱
形中的一种
。9.
如权利要求8所述的改进型集成式
led
芯片结构,其特征在于,所述第二扩展电极分为四个区域,即为区域一

区域二

区域三和区域四,其中区域一

区域二和区域四的第二扩展电极通过反射绝缘层窗口与第一扩展电极互联;区域三的第二扩展电极其一部分附着在反射绝缘层上,一部分附着于第一绝缘层上
。10.
如权利要求1所述的改进型集成式
led
芯片结构,其特征在于,所述第一扩展电极

第二扩展电极其从下至上均依次包括欧姆接触粘结层

反射层

阻挡层和粘结层;所述欧姆接触粘结层由金属材料或其他叠层材料制成,其厚度为
2-10nm
;所述反射层位于欧姆接触粘结层之上,由金属材料或其他叠层材料制成,其厚度为
10-200nm
;所述阻挡层位于反射层之上,由金属材料或其他叠层材料制成,其厚度为
50-200nm
;所述粘结层位于阻挡层之上,由金属材料或其他合金材料制成,其厚度为
50-200nm。11.
如权利要求1所述的改进型集成式
led
芯片结构,其特征在于,所述
micro led
芯片为红光
micro led
芯片,并采用共晶键合的方式通过芯片焊线电极与第二扩展电极互联
。12.
如权利要求1所述的改进型集成式
led
芯片结构,其特征在于,所述第二绝缘层为有机绝缘材料或无机绝缘材料制成;从所述第二绝缘层的顶面贯穿至第二扩展电极的表面处设有第二绝缘层窗口,其形状为圆形

椭圆形

方形或菱形中的一种
。13.
如权利要求
12
所述的改进型集成式
led
芯片结构,其特征在于,所述焊线电极通过第二绝缘层窗口和第二扩展电极互联
。14.
如权利要求
13
所述的改进型集成式
led
芯片结构,其特征在于,所述焊线电极从下至上依次包括粘结层

反射层

阻挡层和键合层;所述粘结层由金属材料或其他叠层材料制成,其厚度为
2-10nm
;所述反射层位于粘结层之上,由金属材料或其他叠层材料制成,其厚度为
10-200nm
;所述阻挡层位于反射层之上,由金属材料或其他叠层材料制成,其厚度为
50-500nm
;所述键合层位于阻挡层之上,由金属材料或其他合金制成,其厚度为
0.1-20um。15.
一种改进型集成式
led
芯片的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:
s1
,提供一生长衬底;
s2
,在该生长衬底之上制作层状外延结构,即外延结构一和外延结构二,两层外延结构之间以绝缘层隔离;
s3
,通过光刻

刻蚀

去胶的方式,去除外延结构二的部分正极性层和量子阱发光层,暴露出外延结构二的负极性层;
s4
,继续通过光刻

刻蚀

去胶的方式,去除外延结构二的部分正极性层

量子阱发光层

负极性层,暴露出外延结构一的正极性层;
s5
,通过光刻

刻蚀

去胶的方式,去除外延结构一的部分正极性层

量子阱发光层,暴露出外延结构一的负极性层;
s6
,继续通过光刻

刻蚀

去胶的方式,去除外延结构一的部分负极性层,暴露出生长衬底;
s7
,通过沉积

光刻

蚀刻

去胶的方式,在外延结构一及外延结构二的正极性层之上制作透明导电层;
s8
,通过沉积

光刻

蚀刻

去胶的方式,在透明导电层

外延结构一及外延结构二的正极性层

外延结构一及外延结构二的负极性层和生长衬底之上制作第一绝缘层,并制作第一绝缘层窗口,暴露出透明导电层及外延结构一及外延结构二的负极性层;
s9
,通过光刻

蒸镀

去胶的方式,在第一绝缘层

外延结构一及外延结构二的负极性层和透明导电层之上制作第一扩展电极,并将其通过第一绝缘层窗口和透明导电层

外延结构一及外延结构二的负极性层互联;
s10
,通过沉积的方式,在第一绝缘层

第一扩展电极

透明导电层

外延结构一及外延结构二的负极性层之上制作反射绝缘层,然后再通过光刻

刻蚀

去胶的方式,去除部分第一扩展电极及第一绝缘层之上的反射绝缘层,制作反射绝缘层窗口;
s11
,通过光刻

蒸镀

去胶的方式,在反射绝缘层

第一绝缘层

第一扩展电极之上制作第二扩展电极,并将其通过反射绝缘层窗口和第一扩展电极互联;
s12
,通过转移的方式,把
micro led
芯片转移至第二扩展电极之上,再采用共晶键合的方式通过芯片焊线电极使
micro led
芯片和第二扩展电极互联;
s13
,通过沉积的方式,在第二扩展电极
、micro led
芯片

反射绝缘层

第一绝缘层之上制作第二绝缘层,然后再通过光刻

刻蚀

去胶的方式,去除部分第二扩展电极之上的第二绝缘层,制作第二绝缘层窗口;
s14
,通过光刻

蒸镀

去胶的方式,在第二绝缘层

第二绝缘层窗口处的第二扩展电极之上制作焊线电极;
s15
,研磨

切割,形成单个的改进型集成式
led
芯片结构


技术总结
本申请公开了一种改进型集成式


技术研发人员:陈波
受保护的技术使用者:昆山麦沄显示技术有限公司
技术研发日:2023.11.09
技术公布日:2023/12/15
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