蚀刻方法和等离子体处理装置与流程-尊龙凯时官方app下载

蚀刻方法和等离子体处理装置与流程技术资料下载

技术编号:36175677

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.本公开涉及一种蚀刻方法和等离子体处理装置。背景技术.在专利文献中公开了对第一区域和第二区域进行蚀刻的方法,所述第一区域具有通过交替地设置氧化硅膜和氮化硅膜而构成的多层膜,所述第二区域具有单层的氧化硅膜。根据专利文献所记载的蚀刻方法,重复地交替执行生成包含氢氟碳化合物的第一处理气体的等离子体的工序、以及生成包含碳氟化合物的第二处理气体的等离子体的工序。.现有技术文献.专利文献.专利文献:日本特开-号公报发明内容.发明要解决的问题.本公开所涉及的技术改善蚀刻图...
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